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클래드층;상기 클래드층 내부에서 제1 방향으로 연장되는 도파로층으로서, 상기 도파로층은 활성 도파로층 및 상기 활성 도파로층과 접촉하는 수동 도파로층을 포함하는 것;상기 클래드층 내부에 제공되고, 상기 도파로층과 인접하는 회절 격자들;상기 활성 도파로층의 측벽을 덮는 제1 코팅층; 및상기 수동 도파로층의 측벽을 덮는 제2 코팅층을 포함하되,상기 회절 격자들은 상기 활성 도파로층과 수직적으로 중첩되고,상기 활성 도파로층의 유효 굴절률 및 상기 수동 도파로층의 유효 굴절률은 동일한 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 활성 도파로층의 두께 및 상기 수동 도파로층의 두께는 동일한 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 회절 격자들 사이의 1/4λ 파장 천이 영역을 더 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 제1 코팅층의 반사율은 80% 이상이고,상기 제2 코팅층의 반사율은 1% 이하인 분포 궤환형 레이저 다이오드
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5
제 1 항에 있어서,상기 회절 격자들은 제1 회절 격자들 및 상기 제1 회절 격자들 및 상기 수동 도파로층 사이에 제공되는 제2 회절 격자들을 포함하고,상기 제1 회절 격자들의 결합 계수(coupling coefficient)는 상기 제2 회절 격자들의 결합 계수와 다른 분포 궤환형 레이저 다이오드
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6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 제2 회절 격자들의 결합 계수는 상기 제1 방향으로 갈수록 점진적으로 변화하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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7
제 6 항에 있어서,상기 제2 회절 격자들의 결합 계수는 상기 제1 회절 격자들의 결합 계수의 20% 내지 100%인 분포 궤환형 레이저 다이오드
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8
제 7 항에 있어서,상기 제1 회절 격자들의 결합 계수는 50 내지 200 cm-1이고,상기 제2 회절 격자들의 결합 계수는 10 내지 200 cm-1인 분포 궤환형 레이저 다이오드
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9 |
9
제 5 항에 있어서,상기 제2 회절 격자들 각각의 상기 제1 방향으로의 폭은 상기 제1 방향으로 갈수록 점진적으로 변화하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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10 |
10
제 5 항에 있어서,상기 제2 회절 격자들 각각에서, 상기 제1 방향과 직교하고 상기 도파로층의 상면과 나란한 제2 방향으로의 폭은 상기 제1 방향으로 갈수록 점진적으로 변화하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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11
제 1 항에 있어서,상기 회절 격자들은 제1 회절 격자들 및 상기 제1 회절 격자들 및 상기 수동 도파로층 사이에 제공되는 제2 회절 격자들을 포함하고,상기 제1 회절 격자들의 제1 격자 주기는 상기 제2 회절 격자들의 제2 격자 주기와 다른 분포 궤환형 레이저 다이오드
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12
제 11 항에 있어서,상기 제1 회절 격자들의 결합 계수 및 상기 제2 회절 격자들의 결합 계수는 동일한 분포 궤환형 레이저 다이오드
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13
제 11 항에 있어서,상기 제1 회절 격자들의 제1 격자 주기는 상기 제2 회절 격자들의 제2 격자 주기보다 작은 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 13 항에 있어서,상기 제1 격자 주기와 상기 제2 격자 주기의 차이는 상기 제1 격자 주기의 0
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제 1 항에 있어서,상기 활성 도파로층 및 상기 수동 도파로층은 단일 집적되는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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클래드층;상기 클래드층 내부에서 제1 방향으로 연장되는 활성 도파로층;상기 클래드층 내부에서 상기 제1 방향으로 연장되며, 상기 활성 도파로층과 단일 집적되는 전계 흡수 변조기 도파로층;상기 클래드층 내부에 제공되고, 상기 활성 도파로층과 인접하는 회절 격자들;상기 활성 도파로층의 측벽을 덮는 제1 코팅층;상기 전계 흡수 변조기 도파로층의 측벽을 덮는 제2 코팅층;상기 클래드층 하면 상에 제공되는 제1 전극;상기 클래드층 상면 상에 제공되며 상기 활성 도파로층과 중첩되는 제2 전극; 및 상기 클래드층 상면 상에 제공되며 상기 전계 흡수 변조기 도파로층과 중첩되는 제3 전극을 포함하되,상기 제2 전극 및 상기 제3 전극은 상기 제1 방향으로 서로 이격되는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 16 항에 있어서,상기 활성 도파로층 및 상기 전계 흡수 변조기 도파로층과 단일 집적되는 수동 도파로층을 더 포함하되,상기 수동 도파로층은 상기 활성 도파로층 및 상기 전계 흡수 변조기 도파로층 사이에 제공되고,상기 활성 도파로층의 유효 굴절률 및 상기 수동 도파로층의 유효 굴절률은 동일한 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 17 항에 있어서,상기 회절 격자들은 제1 회절 격자들 및 상기 제1 회절 격자들 및 상기 수동 도파로층 사이에 제공되는 제2 회절 격자들을 포함하고,상기 제1 회절 격자들의 결합 계수(coupling coefficient)는 상기 제2 회절 격자들의 결합 계수와 다른 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 16 항에 있어서,상기 활성 도파로층의 두께 및 상기 전계 흡수 변조기 도파로층의 두께는 동일한 분포 궤환형 레이저 다이오드
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20
제 16 항에 있어서,상기 제1 코팅층의 반사율은 80% 이상이고,상기 제2 코팅층의 반사율은 1% 이하인 분포 궤환형 레이저 다이오드
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