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광 감응층을 포함하는 광 감지 소자로서,상기 광 감응층은 PolyTPD와 BCF를 함유하는,광 센서
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제1항에 있어서,기판과 상기 광 감응층 사이에 배치된 게이트 전극;상기 광 감응층 상에 배치된 절연층;상기 절연층 상에 배치된 채널층; 그리고,상기 게이트 전극 양측의 상기 채널층 상에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하는,광 센서
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 광 감응층은 약 1:1의 중량비로 PolyTPD와 BCF를 포함하는,광 센서
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 광 감응층은 약 1000 내지 약 3200nm 또는 그 이상 파장 범위의 광을 감지하는,광 센서
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게이트 전극이 형성된 기판의 게이트 전극 상에, PolyTPD와 BCF를 함유하는 광 감응층을 형성하고;상기 광 감응층 및 상기 기판 상에 절연층과 채널층을 순차로 형성하고; 그리고,상기 게이트 전극 양측의 상기 채널층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성함을 포함하는,광 센서 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 광 감응층을 형성함은:PolyTPD과 BCF를 함유하는 광 감응 용액을 형성하고;상기 광 감응 용액을 상기 게이트 전극이 형성된 기판의 게이트 전극 상에 코팅함을 포함하는,광 센서 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 광 감응 용액은 상기 PolyTPD와 상기 BCF를 약 1:1의 중량비로 포함하는,광 센서 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 광 감응 용액을 형성함은,PolyTPD를 함유하는 용액과 BCF를 함유하는 용액을 혼합하거나;용매에 PolyTPD와 BCF를 첨가함을 포함하는, 광 센서 제조 방법
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제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광 감응층, 상기 절연층, 상기 채널층, 상기 소스 전극 및 상기 트레인 전극은 모두 용액 공정을 통해 형성되는,광 센서 제조 방법
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광 감응층을 포함하는 유기 광 트랜지스터로서,상기 광 감응층은 불소화된 분자로 도핑된 트리아릴아민 기반 폴리머를 포함하는,유기 광 트랜지스터
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제10항에 있어서,상기 트리아릴아민 기반 폴리머는 PolyTPD를 포함하고, 상기 불소화된 분자는 BCF를 포함는,유기 광 트랜지스터
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12
제9항 또는 제10항에 있어서,상기 광 감응층은 약 1000 내지 약 3200nm 또는 그 이상 파장 범위의 광을 감지하는,유기 광 트랜지스터
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제9항 또는 제10항에 있어서,기판과 상기 광 감응층 사이에 배치된 게이트 전극;상기 광 감응층 상에 배치된 절연층;상기 절연층 상에 배치된 유기 반도체 채널층; 그리고,상기 게이트 전극 양측의 상기 채널층 상에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하는,유기 광 트랜지스터
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광 감응층을 형성함을 포함하는 유기 광 트랜지스터 제조 방법으로,상기 광 감응층을 형성함은:불소화된 분자로 트리아릴아민 기반 폴리머를 도핑하고;상기 불소화된 분자로 도핑된 상기 트리아릴아민 기반 폴리머를 기판 상에 증착함을 포함하는,유기 광 트랜지스터 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 불소화된 분자로 트리아릴아민 기반 폴리머를 도핑함은:트리아릴아민 기반 폴리머 함유 용액과 불소화된 분자 함유 용액을 혼합하거나;용매에 트리아릴아민 기반 폴리머와 불소화된 분자를 첨가함을 포함하는,유기 광 트랜지스터 제조 방법
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제14항 또는 제15항에 있어서,상기 트리아릴아민 기반 폴리머는 PolyTPD를 포함하고, 상기 불소화된 분자는 BCF를 포함는,유기 광 트랜지스터 제조 방법
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제14항 또 는 제15항에 있어서,상기 기판은 게이트 전극이 형성된 투명 기판을 포함하고, 상기 광 감응층은 상기 게이트 전극 상에 형성되며,상기 광 감응층 상에 절연층, 유기 반도체 체널층 그리고, 소스 및 드레인 전극을 순차로 형성함을 더 포함하는,유기 광 트랜지스터 제조 방법
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