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쓰기 워드라인에 게이트가 연결된 제1 구동 트랜지스터;읽기 워드라인에 게이트가 연결된 제2 구동 트랜지스터; 및상기 제1 구동 트랜지스터를 통해 비트라인에 연결되는 제1 입력 단자, 소스라인에 연결되는 제2 입력 단자 및 제2 구동 트랜지스터를 통해 상기 비트라인에 연결되는 출력 단자를 포함하고, 상기 비트라인과 상기 소스라인 사이에 흐르는 쓰기 전류에 의해 단계적으로 변하는 병렬 저항 값을 시냅스 가중치로 저장하는 시냅스 가중치 소자를 포함하는 뉴로모픽 장치
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제1항에 있어서, 상기 시냅스 가중치 소자는상기 출력 단자에 연결된 상부 전극층;일단이 상기 제1 입력 단자에 연결되고, 타단이 상기 제2 입력 단자에 연결되어 상기 쓰기 전류에 대응하는 스핀 궤도 전류가 흐르는 하부 전극층; 및상기 스핀 궤도 전류에 의해 자화 방향이 변하는 자유층, 상기 자유층 상에 배치된 터널 장벽층, 상기 터널 장벽층 상에 배치되고 상기 자화 방향이 고정된 고정층 및 상기 고정층 상에 배치된 캡핑층을 각각 포함하고, 상기 상부 전극층 및 상기 하부 전극층 사이에 병렬로 배치되며, 서로 다른 임계 전류 밀도를 갖는 복수의 자기 터널 접합 소자를 포함하는 뉴로모픽 장치
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제2항에 있어서,상기 임계 전류 밀도는 미리 설정된 임계 전류 밀도 범위 내에서 일정 레벨 단위로 구분되는 값을 갖는 뉴로모픽 장치
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제3항에 있어서,상기 복수의 자기 터널 접합 소자 각각은 단면이 타원의 형태를 갖고, 상기 타원의 장축과 단축 간의 비율을 제어하여 상기 임계 전류 밀도를 설정하는 뉴로모픽 장치
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제3항에 있어서,상기 복수의 자기 터널 접합 소자 각각은 상기 하부 전극층 상에 일렬로 배치되고, 상기 임계 전류 밀도는 상기 복수의 자기 터널 접합 소자 각각의 배치 순서대로 일정 레벨만큼 증가하는 뉴로모픽 장치
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제5항에 있어서,상기 하부 전극층은 일단부터 타단까지 일정 비율로 폭이 증가되는 형태로 형성되는 뉴로모픽 장치
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제5항에 있어서,상기 캡핑층은 상기 복수의 자기 터널 접합 소자 각각의 배치 순서대로 일정 비율로 증가되는 산화 강도로 산화되는 뉴로모픽 장치
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제2항에 있어서,상기 복수의 자기 터널 접합 소자 각각의 저항 값은 동일하고,상기 출력 단자에 대한 전류를 독출하여 상기 시냅스 가중치를 판별하는 뉴로모픽 장치
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제2항에 있어서,상기 복수의 자기 터널 접합 소자 각각의 저항 값이 서로 다르게 설정되는 뉴로모픽 장치
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제9항에 있어서,상기 복수의 자기 터널 접합체를 상기 임계 전류 밀도의 크기 순서대로 정렬시킨 상태에서 상기 임계 전류 밀도의 크기가 작은 순서와 큰 순서 별로 하나씩 매칭시키고, 상기 복수의 자기 터널 접합체 중 매칭된 자기 터널 접합체의 저항 값을 동일하게 설정하는 뉴로모픽 장치
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제10항에 있어서,상기 복수의 자기 터널 접합 소자 중 상기 임계 전류의 밀도가 중간 값인 자기 터널 접합 소자를 기준으로 양측 방향으로 정렬된 자기 터널 접합 소자의 저항 값이 증가하도록 설정되는 뉴로모픽 장치
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제9항에 있어서,상기 출력 단자에 대한 전압 및 저항 중 어느 하나를 독출하여 상기 시냅스 가중치를 판별하는 뉴로모픽 장치
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