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집적도를 개선하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022006601
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 집적도를 개선하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하여 상기 기판 상 일 방향으로 연장 형성되는 복수의 스트링들-상기 복수의 스트링들 각각은 평면 상 사각 형태(Rectangle type)를 가진 채 상기 일 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층의 연장 형성되는 사면 중 마주보는 양면 각각의 외부에 접촉하며 상기 일 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-을 포함한다.
Int. CL H01L 27/11582 (2017.01.01) H01L 27/11565 (2017.01.01) H01L 27/11568 (2017.01.01) H01L 27/11587 (2017.01.01) H01L 27/1159 (2017.01.01) H01L 27/11597 (2017.01.01)
CPC H01L 27/11582(2013.01) H01L 27/11565(2013.01) H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11587(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/11597(2013.01)
출원번호/일자 1020200136919 (2020.10.21)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0052688 (2022.04.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.10.21)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2020-1116612-71
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2022.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0323392-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하여 상기 기판 상 일 방향으로 연장 형성되는 복수의 스트링들-상기 복수의 스트링들 각각은 평면 상 사각 형태(Rectangle type)를 가진 채 상기 일 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층의 연장 형성되는 사면 중 마주보는 양면 각각의 외부에 접촉하며 상기 일 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-을 포함하는 3차원 플래시 메모리
2 2
제1항에 있어서,상기 복수의 스트링들은, 일정 간격으로 이격된 채 동일 로우(Row) 또는 동일 컬럼(Column) 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
3 3
제2항에 있어서,상기 복수의 스트링들은, 평면 상 바(Bar) 형태를 갖는 스트링 바(Bar)가 분할되어 일괄적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
4 4
제1항에 있어서,상기 3차원 플래시 메모리는, 상기 복수의 스트링들 각각에 대해 상기 전하 저장층이 형성된 양면에 접촉하는 상기 복수의 워드 라인들을 상기 복수의 스트링들 각각의 듀얼 게이트로 사용하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
5 5
기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 희생층들, 상기 복수의 희생층들 사이에 교번하며 적층되는 복수의 절연층들 및 상기 복수의 희생층들을 관통하여 상기 기판 상 일 방향으로 연장 형성되는 스트링 바(Bar)-상기 스트링 바는 평면 상 바 형태를 가진 채 상기 일 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층의 연장 형성되는 사면 중 넓은 면적을 갖는 마주보는 양면 각각의 외부에 접촉하며 상기 일 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-를 포함하는 반도체 구조체를 준비하는 단계; 상기 스트링 바 상에 일정 간격으로 분리 트렌치(Trench)들을 형성하는 단계; 및 상기 분리 트렌치들에 절연막을 채워 넣어 상기 스트링 바가 분할된 상기 복수의 스트링들-상기 복수의 스트링들 각각은 평면 상 사각 형태(Rectangle type)를 가진 채 상기 일 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층의 연장 형성되는 사면 중 마주보는 양면 각각의 외부에 접촉하며 상기 일 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-을 일괄적으로 생성하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 복수의 희생층들을 제거하고, 상기 복수의 희생층들이 제거된 공간들에 전도성 물질을 채워 넣어 복수의 워드 라인들을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 복수의 워드 라인들을 형성하는 단계는, 상기 분리 트렌치들을 통해 상기 복수의 희생층들이 제거된 공간들에 상기 전도성 물질을 채워 넣는 단계; 또는 상기 분리 트렌치들과 별도로 구비된 적어도 하나의 워드 라인 제거 패턴을 통해 상기 복수의 희생층들이 제거된 공간들에 상기 전도성 물질을 채워 넣는 단계 중 어느 하나의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
8 8
기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들, 상기 복수의 워드 라인들 사이에 교번하며 적층되는 복수의 절연층들 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하여 상기 기판 상 일 방향으로 연장 형성되는 스트링 바(Bar)-상기 스트링 바는 평면 상 바 형태를 가진 채 상기 일 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층의 연장 형성되는 사면 중 넓은 면적을 갖는 마주보는 양면 각각의 외부에 접촉하며 상기 일 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-를 포함하는 반도체 구조체를 준비하는 단계; 상기 스트링 바 상에 일정 간격으로 분리 트렌치(Trench)들을 형성하는 단계; 및 상기 분리 트렌치들에 절연막을 채워 넣어 상기 스트링 바가 분할된 상기 복수의 스트링들-상기 복수의 스트링들 각각은 평면 상 사각 형태(Rectangle type)를 가진 채 상기 일 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층의 연장 형성되는 사면 중 마주보는 양면 각각의 외부에 접촉하며 상기 일 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-을 일괄적으로 생성하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
9 9
기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 희생층들, 상기 복수의 희생층들 사이에 교번하며 적층되는 복수의 절연층들 및 상기 복수의 희생층들을 관통하여 상기 기판 상 일 방향으로 연장 형성되는 스트링 바(Bar)-상기 스트링 바는 평면 상 바 형태를 가진 채 상기 일 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층의 연장 형성되는 사면 중 넓은 면적을 갖는 마주보는 양면 각각의 외부에 접촉하며 상기 일 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-를 포함하는 반도체 구조체를 준비하는 단계; 상기 복수의 희생층들을 제거하고, 상기 복수의 희생층들이 제거된 공간들에 전도성 물질을 채워 넣어 복수의 워드 라인들을 형성하는 단계; 상기 스트링 바 상에 일정 간격으로 메탈 마스크들을 배치하는 단계; 상기 메탈 마스크들을 이용하는 포토 레지스트 공정을 통해, 상기 스트링 바에서 상기 메탈 마스크들에 의해 가려지지 않은 부분들을 에칭하는 단계; 및 상기 스트링 바에서 상기 메탈 마스크들에 의해 가려지지 않은 부분들이 에칭된 공간들에 절연막을 채워 넣어 상기 스트링 바가 분할된 상기 복수의 스트링들-상기 복수의 스트링들 각각은 평면 상 사각 형태(Rectangle type)를 가진 채 상기 일 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층의 연장 형성되는 사면 중 마주보는 양면 각각의 외부에 접촉하며 상기 일 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-을 일괄적으로 생성하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
10 10
기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들, 상기 복수의 워드 라인들 사이에 교번하며 적층되는 복수의 절연층들 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하여 상기 기판 상 일 방향으로 연장 형성되는 스트링 바(Bar)-상기 스트링 바는 평면 상 바 형태를 가진 채 상기 일 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층의 연장 형성되는 사면 중 넓은 면적을 갖는 마주보는 양면 각각의 외부에 접촉하며 상기 일 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-를 포함하는 반도체 구조체를 준비하는 단계; 상기 스트링 바 상에 일정 간격으로 메탈 마스크들을 배치하는 단계; 상기 메탈 마스크들을 이용하는 포토 레지스트 공정을 통해, 상기 스트링 바에서 상기 메탈 마스크들에 의해 가려지지 않은 부분들을 에칭하는 단계; 및 상기 스트링 바에서 상기 메탈 마스크들에 의해 가려지지 않은 부분들이 에칭된 공간들에 절연막을 채워 넣어 상기 스트링 바가 분할된 상기 복수의 스트링들-상기 복수의 스트링들 각각은 평면 상 사각 형태(Rectangle type)를 가진 채 상기 일 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층의 연장 형성되는 사면 중 마주보는 양면 각각의 외부에 접촉하며 상기 일 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-을 일괄적으로 생성하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.