[KST2014042686][한양대학교] |
멀티 셀 메모리 장치의 전압 발생 회로 |
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[KST2015141114][한양대학교] |
레귤레이터 및 이를 포함하는 멀티 레벨 셀 메모리 장치의 전압 발생 회로 |
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[KST2022023236][한양대학교] |
강유전체 물질 기반의 3차원 플래시 메모리 및 그 동작 방법 |
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[KST2015140954][한양대학교] |
비휘발성 기억 장치 및 그 쓰기 방법 |
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[KST2020002884][한양대학교] |
전이금속에 의해 결정화 유도된 다결정질 금속 산화물 채널층 및 알루미늄 산화막을 구비하는 박막트랜지스터 및 수직형 비휘발성 메모리 소자 |
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[KST2021005708][한양대학교] |
정공 주입 소거 방식을 지원하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법 |
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[KST2022022353][한양대학교] |
3차원 플래시 메모리의 개선된 프로그램 동작 방법 |
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[KST2022022354][한양대학교] |
연결부를 포함하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법 |
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[KST2022019707][한양대학교] |
다층막 구조의 채널층을 포함하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법 |
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[KST2022006609][한양대학교] |
테이퍼드 채널 효과를 완화하기 위한 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법 |
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[KST2023006028][한양대학교] |
강유전체 기반의 데이터 저장 패턴 및 백 게이트를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 동작 방법 |
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[KST2023006029][한양대학교] |
강유전체 기반의 데이터 저장 패턴을 포함하는 3차원 플래시 메모리의 동작 방법 |
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[KST2015141119][한양대학교] |
플래시 메모리의 바이어스 회로 |
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[KST2014047368][한양대학교] |
플래시 메모리의 데이터 관리방법 |
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[KST2022022349][한양대학교] |
연결부를 포함하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법 |
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[KST2022018006][한양대학교] |
프로그램 동작 시 메모리 셀들 사이의 간섭을 방지하는 3차원 플래시 메모리 및 그 동작 방법 |
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[KST2014043188][한양대학교] |
공통 피웰을 이용하는 낸드 플래시 메모리 및 이의 동작방법 |
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[KST2021009696][한양대학교] |
수평으로 구성된 전하 저장층 기반의 3차원 플래시 메모리 및 그 동작 방법 |
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[KST2022006572][한양대학교] |
GSL의 누설 전류를 개선하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법 |
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[KST2014043287][한양대학교] |
비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치 및 방법 |
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[KST2014041936][한양대학교] |
플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법 |
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[KST2015141316][한양대학교] |
부궤환 경로를 가지는 전압 레귤레이터 |
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[KST2022006601][한양대학교] |
집적도를 개선하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법 |
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[KST2022022671][한양대학교] |
게이트 퍼스트 공정을 통해 제조되는 3차원 플래시 메모리 |
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[KST2022018007][한양대학교] |
플로팅 디바이스를 포함하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법 |
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[KST2022006589][한양대학교] |
듀얼 게이트 구조의 3차원 플래시 메모리 및 그 동작 방법 |
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[KST2023005964][한양대학교] |
수직 채널 구조체의 이상 형상에 의한 셀 특성 열화를 개선하는 회로적 보상 방법 및 시스템 |
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[KST2014041934][한양대학교] |
플래시 메모리 장치의 센싱 회로 및 플래시 메모리 장치의 센싱 방법 |
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[KST2022006627][한양대학교] |
고유전율 알루미늄 산화막을 구비하는 반도체 소자 제조방법 |
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[KST2022010027][한양대학교] |
GIDL 기반 소거 동작 시 홀 발생 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법 |
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