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3차원 플래시 메모리의 소프트 프로그램 보상 동작 방법

  • 기술번호 : KST2022010079
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 3차원 플래시 메모리의 소프트 프로그램 보상 동작 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리의 소프트 프로그램 보상 동작 방법은, 프로그램 동작이 수행된 이후, 상기 프로그램 동작의 대상이 되는 대상 메모리 셀에 상하로 인접한 인접 메모리 셀들 각각에 음의 값의 보상 전압을 인가하는 단계; 및 상기 인접 메모리 셀들 각각에 음의 값의 보상 전압이 인가됨에 응답하여, 상기 프로그램 동작에 의해 소프트 프로그램된 상기 인접 메모리 셀들을 복원하는 단계를 포함한다.
Int. CL G11C 16/34 (2006.01.01) G11C 16/10 (2006.01.01) G11C 16/30 (2006.01.01) H01L 27/11573 (2017.01.01) H01L 27/11582 (2017.01.01)
CPC G11C 16/34(2013.01) G11C 16/10(2013.01) G11C 16/30(2013.01) H01L 27/11573(2013.01) H01L 27/11582(2013.01)
출원번호/일자 1020210014854 (2021.02.02)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2410784-0000 (2022.06.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20220622) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.02.02)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2021-0135726-78
2 등록결정서
Decision to grant
2022.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0244655-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상 수평 방향으로 연장 형성된 채 수직 방향으로 적층된 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하며 상기 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 메모리 셀 스트링-상기 적어도 하나의 메모리 셀 스트링은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 연장 형성되는 전하 저장층을 포함하며, 상기 복수의 워드 라인들에 대응하는 복수의 메모리 셀들을 구성함-을 포함하는 3차원 플래시 메모리의 소프트 프로그램 보상 동작 방법에 있어서,프로그램 동작이 수행된 이후, 상기 프로그램 동작의 대상이 되는 대상 메모리 셀에 상하로 인접한 인접 메모리 셀들 각각에 음의 값의 보상 전압을 인가하는 단계; 및 상기 인접 메모리 셀들 각각에 음의 값의 보상 전압이 인가됨에 응답하여, 상기 프로그램 동작에 의해 소프트 프로그램된 상기 인접 메모리 셀들을 복원하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 소프트 프로그램 보상 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 인접 메모리 셀들 각각에 인가되는 보상 전압은, 상기 프로그램 동작에 의해 소프트 프로그램된 상기 인접 메모리 셀들이 복원되도록 하는 음의 값으로 결정되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 소프트 프로그램 보상 동작 방법
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제2항에 있어서,상기 인접 메모리 셀들 각각에 인가되는 보상 전압은, -5V 이하의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 소프트 프로그램 보상 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 인가하는 단계는, 상기 복수의 메모리 셀들 중 상기 인접 메모리 셀들을 제외한 나머지 메모리 셀들에 패스 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 소프트 프로그램 보상 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 인가하는 단계는, 상기 복수의 워드 라인들 중 상기 인접 메모리 셀들에 대응하는 인접 워드 라인들 각각에 음의 값의 전압을 인가하는 단계; 및 상기 대상 메모리 셀이 위치하는 채널층에 0V의 값의 전압을 인가하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 소프트 프로그램 보상 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 인가하는 단계는, 상기 복수의 워드 라인들 중 상기 인접 메모리 셀들에 대응하는 인접 워드 라인들 각각에 0의 값의 전압을 인가하는 단계; 및 상기 대상 메모리 셀이 위치하는 채널층에 양의 값의 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 소프트 프로그램 보상 동작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.