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유기 반도체 및 공융 매트릭스의 공융 혼합물(eutectic mixture)을 기판에 접촉시킨 상태에서 일 방향으로 이동하여 마찰열을 발생시킴으로써 기판 상에 유기 반도체 코팅을 형성하는 단계를 포함하는, 기판 상에 단결정 유기 반도체 코팅을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유기 반도체가 가전자대 및 전도대의 에너지 차이가 -1
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제 1 항에 있어서,상기 유기 반도체가 10-4 내지 103Scm-1의 전기 전도도를 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 단결정 유기 반도체 코팅을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유기 반도체가 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)(P3HT), Poly[4-(4,4-dihexadecyl-4H-cyclopenta[1,2-b:5,4-b’]dithiophen-2-yl)-alt-[1,2,5]thiadiazolo[3,4-c]pyridine](PCDTPT), Poly[(5-fluoro-2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl)(4,4-dihexadecyl-4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b']dithiophene-2,6-diyl)(6-fluoro-2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl)(4,4-dihexadecyl-4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b']dithiophene-2,6-diyl)] (PFT-100), poly(9,9-dioctylfluorene-cobenzothiadiazole)(F8BT), poly[N-9'-heptadecanyl-2,7-carbazolealt-5,5-(4',7'-di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)](PCDTBT), poly[2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl[4,4-bis(2-ethylhexyl-4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b']dithiophene-2,6-diyl)]](PCPDTBT) 및 poly(2,5-bis(3-alkylthiophene-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene)(PBTTT)로 구성된 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 기판 상에 단결정 유기 반도체 코팅을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 공융 매트릭스의 상온에서의 증기압이 0
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제 1 항에 있어서, 상기 공융 매트릭스가 벤조산, 살리실산, 나프탈렌, 1,3,5-트리클로로벤젠(1,3,5-TCB), 1,4-디브로모테트라플루오로벤젠(1,4-DBTFB) 및 2-브로모-1,3,4,5,6,7,8-헵타플루오로나프탈렌으로 구성된 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 기판 상에 단결정 유기 반도체 코팅을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 공융 혼합물이 상기 유기 반도체 및 공융 매트릭스를 1:1 내지 1:100의 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 단결정 유기 반도체 코팅을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 공융 혼합물이 고체 펠릿의 형태인 것을 특징으로 하는, 기판 상에 단결정 유기 반도체 코팅을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판이 종이, 유리, 금속, 실리콘 웨이퍼, 플라스틱 및 중합체로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 단결정 유기 반도체 코팅을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판이 3차원 굴곡진 기판 또는 휘어지는 기판인 것을 특징으로 하는, 기판 상에 단결정 유기 반도체 코팅을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판이 음각 또는 양각의 패턴이 형성된 기판인 것을 특징으로 하는, 기판 상에 단결정 유기 반도체 코팅을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 공융 혼합물의 일 방향 이동은 수동, 로봇팔, 2D 프린터 또는 3D 프린터를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 단결정 유기 반도체 코팅을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 공융 혼합물의 일 방향 이동은 기판에 대하여 0
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제 1 항에 있어서,상기 유기 반도체 코팅의 형성 단계는 상기 유기 반도체의 녹는점 미만의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 단결정 유기 반도체 코팅을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판 상에 유기 반도체 코팅을 형성하는 단계 이후에, 상기 유기 반도체 코팅을 제 2 기판으로 전사하는 단계를 더 포함하는, 기판 상에 단결정 유기 반도체 코팅을 형성하는 방법
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