맞춤기술찾기

이전대상기술

샤워 헤드 및 그를 포함하는 박막 증착 장치

  • 기술번호 : KST2022007305
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판에 균일하게 가스를 분사하여 박막을 증착하는 샤워 헤드 및 그를 포함하는 박막 증착 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 샤워 헤드는 제1 샤워 헤드와 제2 샤워 헤드를 포함한다. 제1 샤워 헤드는 가스 공급관으로 공급되는 가스를 분산하여 아래로 분사하는 복수의 제1 분사 노즐이 방사형으로 형성되어 있다. 그리고 제2 샤워 헤드는 제1 샤워 헤드의 아래에 설치되며 제1 샤워 헤드 보다 큰 분사면을 가지며, 제1 샤워 헤드로부터 공급된 가스를 분산하여 아래에 위치하는 기판 위로 분사하는 복수의 제2 분사 노즐이 방사형으로 형성된다.
Int. CL C23C 16/455 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020210038207 (2021.03.24)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0071849 (2022.05.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020200159180   |   2020.11.24
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.03.24)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김형근 경기도 용인시 수지구
2 전준혁 경기도 수원시 장안구
3 윤성호 경기도 군포시 번영로***번길 * 무궁화아파트 *
4 김현미 서울특별시 서초구
5 성기훈 경기도 안양시 만안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2021-0347241-08
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
가스 공급관으로 공급되는 가스를 분산하여 아래로 분사하는 복수의 제1 분사 노즐이 방사형으로 형성된 제1 샤워 헤드; 및상기 제1 샤워 헤드의 아래에 설치되며 상기 제1 샤워 헤드 보다 큰 분사면을 가지며, 상기 제1 샤워 헤드로부터 공급된 가스를 분산하여 아래에 위치하는 기판 위로 분사하는 복수의 제2 분사 노즐이 방사형으로 형성된 제2 샤워 헤드;를 포함하는 박막 증착 장치용 샤워 헤드
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 샤워 헤드는 원판 형태를 가지며, 원판의 중심에 대해서 방사형으로 상기 제1 및 제2 분사 노즐이 형성된 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치용 샤워 헤드
3 3
제2항에 있어서,상기 제1 샤워 헤드는 중심에 대한 이웃하는 제1 분사 노즐 간의 제1 방사 각도가 상기 제2 샤워 헤드의 이웃하는 제2 분사 노즐 간의 제2 방사 각도 보다는 큰 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치용 샤워 헤드
4 4
제3항에 있어서,상기 제1 방사 각도는 상기 제2 방사 각도의 2배인 것을 특징으로 하는 박막 증착용 샤워 헤드
5 5
제3항에 있어서,방사선 상에 형성된 분사 노즐의 개수는 상기 제2 샤워 헤드가 상기 제1 샤워 헤드 보다는 많은 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치용 샤워 헤드
6 6
제2항에 있어서, 상기 제1 샤워 헤드는,중심에 대해서 방사형으로 복수의 제1 관통 구멍이 형성된 제1 본체; 및상기 복수의 제1 관통 구멍에 각각 설치되어 상기 제1 본체의 하부면으로 돌출된 상기 복수의 제1 분사 노즐;을 포함하고,상기 제2 샤워 헤드는,중심에 대해서 방사형으로 복수의 제2 관통 구멍이 형성된 제2 본체; 및상기 복수의 제2 관통 구멍에 각각 설치되어 상기 제2 본체의 하부면으로 돌출된 상기 복수의 제2 분사 노즐;을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치용 샤워 헤드
7 7
제6항에 있어서,상기 제1 샤워 헤드는 중심에 제1 관통 구멍이 형성되어 있지 않고, 상기 제2 샤워 헤드는 중심에 상기 제2 관통 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치용 샤워 헤드
8 8
제6항에 있어서,상기 제1 및 제2 분사 노즐은 중심에 대해서 반경이 다른 복수 개의 원주 상에 형성된 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치용 샤워 헤드
9 9
제8항에 있어서,동일 방사선 상에 위치하는 이웃하는 상기 제1 분사 노즐 간의 거리는 동일하고, 동일 방사선 상에 위치하는 이웃하는 상기 제2 분사 노즐 간의 거리는 동일한 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치용 샤워 헤드
10 10
제9항에 있어서,동일 방사선 상에 위치하는 이웃하는 상기 제1 분사 노즐 간의 거리와 동일 방사선 상에 위치하는 이웃하는 상기 제2 분사 노즐 간의 거리는 동일한 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치용 샤워 헤드
11 11
상부면에 기판이 탑재되어 고정되는 스테이지; 및상기 스테이지 위에 설치되며, 상기 기판 위로 가스를 공급하는 샤워 헤드;상기 샤워 헤드로 가스를 공급하는 가스 공급관;을 포함하고,상기 샤워 헤드는,상기 가스 공급관으로 공급되는 가스를 분산하여 아래로 분사하는 복수의 제1 분사 노즐이 방사형으로 형성된 제1 샤워 헤드; 및상기 제1 샤워 헤드의 아래에 설치되며 상기 제1 샤워 헤드 보다 큰 분사면을 가지며, 상기 제1 샤워 헤드로부터 공급된 가스를 분산하여 아래에 위치하는 상기 기판 위로 분사하는 복수의 제2 분사 노즐이 방사형으로 형성된 제2 샤워 헤드;를 포함하는 박막 증착 장치
12 12
제11항에 있어서,상기 제2 분사 노즐과 상기 기판 간의 간격이 25mm일 때, 기판에서 1mm 내지 7mm 떨어진 위치에서의 가스의 유동 균일도가 다른 높이에 비해서 높게 나타내는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자기술연구원 원천기술개발사업 (C) 5nm급 이하 반도체 노광 공정용 EUV 투과 소재 기술 개발