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제1 금속으로 이루어진 금속 나노와이어; 및 상기 금속 나노와이어 표면에 형성된 제2 금속으로 이루어진 금속 나노입자;를 포함하는 나노 구조체; 및상기 나노 구조체를 둘러싸는 하이드로젤 스킨;을 포함하는 플라즈모닉 복합 구조체
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제1항에 있어서,상기 나노 구조체는 금속 나노와이어 및 금속 나노입자 사이에 형성된 제3 금속으로 이루어진 금속 코팅층을 더 포함하는 플라즈모닉 복합 구조체
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제1항에 있어서,상기 금속 나노입자는 자가 조립 단층막(Self-assembled monolayer, SAM)을 통해 금속 나노와이어에 형성된 것인 플라즈모닉 복합 구조체
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제3항에 있어서,상기 자가 조립 단층막은 퍼플루오로데칸티올(perfluorodecanethiol, PFDT)을 포함하는 것인 플라즈모닉 복합 구조체
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제1항에 있어서,상기 제1 금속 및 제2 금속은 각각 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co), 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 망간(Mn)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하고, 상기 제1 금속 및 제2 금속은 서로 같거나 상이한 것인 플라즈모닉 복합 구조체
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제2항에 있어서,상기 제3 금속은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co), 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 망간(Mn)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 플라즈모닉 복합 구조체
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제1항에 있어서,상기 금속 나노와이어의 직경은 10 nm 내지 500 nm인 플라즈모닉 복합 구조체
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제1항에 있어서,상기 금속 나노입자의 직경은 5 nm 내지 200 nm인 플라즈모닉 복합 구조체
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제2항에 있어서,상기 금속 코팅층의 두께는 5 nm 내지 50 nm인 플라즈모닉 복합 구조체
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제1항에 있어서,상기 하이드로젤 스킨은 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트(Polyethylene (glycol) Diacrylate), 폴리에틸렌글리콜 메틸에테르 아크릴레이트, 폴리아크릴아마이드(Polyacrylamide), 폴리(N-이소프로필아크릴아마이드)(Poly(N-isopropylacrylamide)) 및 하이드록시에틸메타크릴레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 고분자로 형성된 것인 플라즈모닉 복합 구조체
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제1항에 있어서,상기 하이드로젤 스킨의 두께는 1 nm 내지 100 nm인 플라즈모닉 복합 구조체
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제1 금속으로 이루어진 금속 나노와이어 표면에 제3 금속으로 이루어진 금속 코팅층을 형성하는 단계;상기 금속 코팅층에 자가 조립 단층막(Self-assembled monolayer, SAM)을 형성하는 단계; 상기 자가 조립 단층막에 제2 금속으로 이루어진 금속 나노입자를 형성하여 나노 구조체를 형성하는 단계; 및상기 나노 구조체에 나노 구조체를 둘러싸는 하이드로젤 스킨을 형성하는 단계;를 포함하는 플라즈모닉 복합 구조체의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 금속 나노입자를 형성하는 것은 열적 증발법을 이용하여 제2 금속을 증착시켜 나노입자를 형성하며, 이후 자가 조립 단층막이 일부를 제거하는 것인 플라즈모닉 복합 구조체의 제조방법
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기판; 및상기 기판에 형성된 제1항의 플라즈모닉 복합 구조체;를 포함하는 타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판
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제14항에 있어서,상기 기판은 마이크로 웰 어레이 구조를 가지는 것인 타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판
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제14항에 있어서,상기 기판은 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 실리콘(Si), 유리(glass) 및 석영(quartz)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하는 제1층과, 마이크로 웰 어레이 구조를 형성하는 제2층을 포함하는 타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판
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제14항에 있어서,상기 플라즈모닉 복합 구조체는 3D 구조의 다중 스택(multiple stack)이 형성된 것인 타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판
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기판을 준비하는 단계;상기 기판에 제1 금속으로 이루어진 금속 나노와이어를 형성하는 단계;상기 금속 나노와이어 표면에 제3 금속으로 이루어진 금속 코팅층을 형성하는 단계;상기 금속 코팅층에 자가 조립 단층막(Self-assembled monolayer, SAM)을 형성하는 단계; 상기 자가 조립 단층막에 제2 금속으로 이루어진 금속 나노입자를 형성하여 나노 구조체를 형성하는 단계; 및상기 나노 구조체에 나노 구조체를 둘러싸는 하이드로젤 스킨을 형성하는 단계;를 포함하는 타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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제18항에 있어서,상기 기판을 준비하는 단계는,폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 실리콘(Si), 유리(glass) 및 석영(quartz)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하는 제1층 상부에 마이크로 웰 어레이 구조를 형성하는 제2층을 형성하는 것인 타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
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제14항의 타겟 물질 검출용 표면증강 라만 분광용 기판을 이용한 타겟 물질 검출방법
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