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은 나노 플레이크; 신축성을 갖는 고분자; 및 용매를 포함하는 전도성 잉크 조성물을 신축성 기판 상에 도포하는 단계; 및상기 기판에 도포된 전도성 잉크 조성물을 건조하여 상기 용매를 증발시키는 단계;를 포함하고,상기 용매는 MIBK(Methyl iso-butyl ketone) 또는 헥실 아세테이트를 포함하는 것인,유연 전극 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전도성 잉크 조성물은 스크린 프린팅 기법으로 도포되는 것을 특징으로 하는,유연 전극 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전도성 잉크 조성물은 10 내지 40℃에서 건조되는 것을 특징으로 하는,유연 전극 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 신축성을 갖는 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유연 전극 제조 방법:[화학식 1]상기 화학식 1에서, n 은 30 내지 40 이다
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제1항에 있어서,상기 전도성 잉크 조성물은 상기 은 나노 플레이크를 전체 중량 대비 70 내지 80wt% 함량으로 포함하는 것을 특징으로 하는,유연 전극 제조 방법
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신축성 기판 상에 제1 전자 소자와 제2 전자 소자를 형성하는 단계;상기 신축성 기판 상에 은 나노 플레이크; 신축성을 갖는 고분자; 및 용매를 포함하는 전도성 잉크 조성물을 상기 제1 전자 소자와 상기 제2 전자 소자를 연결하도록 도포하는 단계; 및상기 용매가 증발하도록 상기 전도성 잉크 조성물을 건조하여 상기 제1 전자 소자와 상기 제2 전자 소자를 전기적으로 연결하는 유연 전극을 형성하는 단계;를 포함하는,신축성 전자 소자 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 용매는 MIBK(Methyl iso-butyl ketone) 또는 헥실 아세테이트를 포함하는 것을 특징으로 하는,신축성 전자 소자 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 전도성 잉크 조성물은 10 내지 40℃에서 건조되는 것을 특징으로 하는,신축성 전자 소자 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 신축성을 갖는 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 신축성 전자 소자 제조 방법:[화학식 1]상기 화학식 1에서, n 은 30 내지 40 이다
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제6항에 있어서,상기 전도성 잉크 조성물은 상기 은 나노 플레이크를 전체 중량 대비 70 내지 80wt% 함량으로 포함하는 것을 특징으로 하는,신축성 전자 소자 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 유연 전극을 형성하는 단계 후, 제1 전자, 제2 전자 및 유연 전극의 상면에 보호층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,신축성 전자 소자 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 보호층은 PDMS 및 poly(dimethylsiloxane)(PDMS)-4,4'-methylenbis(phenyl urea)(MPU)x-isophorone bisurea units(IU)(1-x) (0003c#x≤1) 중에서 선택되는 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는,신축성 전자 소자 제조 방법
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신축성 기판의 상면에 배치된 제1 전자 소자 및 제2 전자 소자; 및상기 제1 전자 소자 및 제2 전자 소자를 연결하도록 상기 신축성 기판 상에 배치된 유연 전극;을 포함하고,상기 유연 전극은 은 나노 플레이크 및 신축성을 갖는 고분자를 포함하는 은 나노 플레이크 전도성 복합체를 포함하는 것인,신축성 전자 소자
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제13항에 있어서,상기 신축성을 갖는 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 신축성 전자 소자:[화학식 1]상기 화학식 1에서, n 은 30 내지 40 이다
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제13항에 있어서,상기 제1 전자 소자 및 제2 전자 소자 각각은 서로 독립적으로 비휘발성 메모리 소자, 디스플레이 소자, 트랜지스터 소자 및 센서 소자 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,신축성 전자 소자
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제13항에 있어서,상기 제1 전자 소자, 제2 전자 소자 및 유연 전극의 상면에 형성된 보호층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는,신축성 전자 소자
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