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비등방성을 갖는 반도체 나노판상구조체(semiconductor nanoplatelets)를 준비하는 단계,아지드 기를 포함하는 광가교제를 준비하는 단계,상기 광가교제 및 상기 나노판상구조체를 포함하는 잉크 조성물을 준비하는 단계,기판 상에 상기 잉크 조성물을 도포하여 반도체 나노판상구조체 박막을 형성하는 단계, 그리고 상기 반도체 나노판상구조체 박막에 열 또는 광을 포함하는 에너지원을 가하여, 가교된 반도체 나노판상구조체 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법
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제1항에서,상기 광가교제는 하기 화학식 1로 표시되는,[화학식 1]반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법
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제1항에서,상기 반도체 나노판상구조체는 코어/쉘 구조를 갖는 것인, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법
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제3항에서,상기 반도체 나노판상구조체는 CdSe/CdZnS를 포함하는, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법
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제1항에서,상기 잉크 조성물을 준비하는 단계는, 상기 나노판상구조체를 제1 유기 용매에 분산시킨 용액과, 상기 가교제를 제2 유기 용매에 분산시킨 용액을, 서로 혼합하는 단계를 포함하는, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법
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제5항에서,상기 제1 유기 용매는 옥탄을 포함하며, 상기 제2 유기 용매는 톨루엔을 포함하는, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법
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제1항에서,상기 나노판상구조체에 대한 상기 광가교제의 무게 비율은 3 wt% 내지 15 wt%인, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법
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제1항에서,상기 나노판상구조체의 농도는 2 mg/ml 내지 15 mg/ml인, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법
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제1항에서,금속 산화물 나노 입자를 상기 기판에 도포한 후, 상기 잉크 조성물을 도포하는, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법
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제9항에서,상기 금속 산화물 나노 입자는 아연 산화물 나노 입자인, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법
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제1항에서,상기 가교된 반도체 나노판상구조체 패턴을 형성하는 단계는, 포토마스크를 이용하는, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법
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제11항에서,상기 가교된 반도체 나노판상구조체 패턴을 형성하는 단계는, 세척액을 이용하여 세척함으로써, 광가교되지 않은 부분을 제거하는 단계를 포함하는, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법
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기판, 그리고상기 기판 위에 위치하고, 아지드 기를 포함하는 광가교제에 의해 가교되어 있고, 비등방성을 갖는 반도체 나노판상구조체 패턴을 포함하는, 반도체 나노판상구조체
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제13항에서,상기 광가교제는 하기 화학식 1로 표시되는,[화학식 1]반도체 나노판상구조체
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제13항에서,상기 반도체 나노판상구조체는 CdSe/CdZnS를 포함하는, 반도체 나노판상구조체
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제13항에서,상기 기판과 상기 반도체 나노판상구조체 패턴의 사이에 금속 산화물 나노 입자를 포함하는 금속 산화물 나노 입자층이 위치하는, 반도체 나노판상구조체
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제16항에서,상기 금속 산화물 나노 입자는 아연 산화물 나노 입자인, 반도체 나노판상구조체
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기판,상기 기판 위에 위치하는 한 쌍의 전극, 그리고상기 기판 위에 위치하고, 아지드 기를 포함하는 광가교제에 의해 가교되어 있고, 비등방성을 갖는 반도체 나노판상구조체 패턴을 포함하는, 전계발광소자
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