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기판;상기 기판 상부에 위치하는 그래핀 시트; 및상기 그래핀 시트 상에 도핑된 산화주석(SnO2) 나노입자와 산화니켈(NiO) 나노입자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 그래핀 시트는 단층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 검출 센서
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제1항에 있어서, 상기 산화주석 나노입자와 산화니켈 나노입자는 단층, 또는 다층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 산화주석 나노입자와 산화니켈 나노입자의 단일 입자의 평균 크기는 20 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 산화주석(SnO2) 와 산화니켈(NiO) 나노입자의 단일 입자들이 응집된 경우의 평균 크기는 300 내지 500nm인 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 도핑은 산화주석(SnO2)과 산화니켈(NiO) 나노입자를 상기 그래핀 시트상에 3 내지 10회 스핀코팅하여 수행되는 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 암모니아 가스 검출 센서는 250초 이내에 암모니아 가스를 검출하는 것을 특징으로 하는 모니아 가스 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 암모니아 가스 검출 센서는 20 내지 35℃에서 암모니아 가스를 검출하는 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 검출 센서
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제1항에 있어서,암모니아 가스 검출 센서는 0
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제1항에 있어서,상기 암모니아 가스 검출 센서는,상기 그래핀 시트 양단에 연결되는 전극; 및 상기 암모니아 가스 검출 센서를 구동하는 전원부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 검출 센서
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산화주석 (SnO2) 나노입자와 산화니켈 (NiO) 나노입자를 제조하는 단계; 및그래핀 시트의 상부에 상기 산화주석 나노입자와 산화니켈 나노입자를 도핑하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 검출 센서의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 그래핀 시트의 상부에 상기 산화주석 나노입자와 산화니켈 나노입자로 도핑하는 단계는, 상기 그래핀 시트를 산화주석 나노입자와 산화니켈 나노입자를 포함하는 용액에 침지하고, 상기 용액을 900 내지 1100rpm의 속도로 200 내지 400초 동안 스핀코팅하여 수행되는 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 검출 센서의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 스핀코팅은 3 내지 10회 수행되는 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 검출 센서의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 산화주석 나노입자와 산화니켈 나노입자를 포함하는 용액의 농도는 60 μL 내지 200μL인 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 검출 센서의 제조방법
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 암모니아 가스 검출센서; 챔버;제어 및 기록 장치;유량 제어 장치; 및가스 공급 장치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 검출 시스템
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