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3차원 적층 구조의 상부층으로의 스레딩 변전위의 전파가 억제되는 트렌치 구조를 갖는 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2022014520
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예들은 제1 물질로 이루어진 기판; 상기 기판의 상부면 상에 형성된 절연층; 상기 기판을 향해 관통하는, 상기 절연층에 형성된 트렌치; 및 상기 트렌치에 배치된 시드층을 포함한 반도체 소자와 관련된다. 상기 시드층은 제2 물질로 이루어지고, 상기 제2 물질은 상기 제1 물질에 대해 격자 불일치(mismatch)하고, 상기 시드층은 상기 기판의 상부면과 비-평행하고 (111) 면의 003c#110003e# 방향에 평행한 제1 방향으로 적어도 부분적으로 연장된 스레딩 전위 및 제2 방향으로 적어도 부분적으로 연장된 스레딩 전위를 포함하고, 상기 스레딩 전위의 연장은 상기 트렌치의 측벽에서 종료된다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/0245(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02455(2013.01) H01L 21/02469(2013.01) H01L 21/02516(2013.01) H01L 21/02639(2013.01)
출원번호/일자 1020210012069 (2021.01.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0108958 (2022.08.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.01.28)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 서울특별시 성북구
2 김승환 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 (수송동, 석탄회관빌딩)(케이씨엘특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2021-0113177-07
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.07.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 물질로 이루어진 기판; 상기 기판의 상부면 상에 형성된 절연층; 상기 기판을 향해 관통하는, 상기 절연층에 형성된 트렌치; 및 상기 트렌치에 배치된 시드층을 포함하고, 상기 시드층은 제2 물질로 이루어지고, 상기 제2 물질은 상기 제1 물질에 대해 격자 불일치(mismatch)하고, 상기 시드층은 상기 기판의 상부면과 비-평행하고 (111) 면의 003c#110003e# 방향에 평행한 제1 방향으로 적어도 부분적으로 연장된 스레딩 전위 및 제2 방향으로 적어도 부분적으로 연장된 스레딩 전위를 포함하고, 상기 스레딩 전위의 연장은 상기 트렌치의 측벽에서 종료되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 트렌치는 1
3 3
제2항에 있어서, 상기 트렌치는 1
4 4
제1항에 있어서, 상기 트렌치의 평면은 원형, 타원형, 또는 다각형인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 트렌치는 해당 평면에 평행한 가상의 선이 상기 제1 방향 또는 제2 방향과 비-평행한 평면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 트렌치에서 해당 평면에 평행한 가상의 선과 상기 제1 방향 또는 제2 방향의 각도는 45°인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 제2 물질은 SixGe1-x, Ge, 3-5족 화합물, 2-6족 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자
8 8
제7항에 있어서, 상기 제1 물질은 Si를 포함한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자
9 9
제1항에 있어서, 상기 제2 물질은 Si를 포함한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자
10 10
제9항에 있어서, 상기 제1 물질은 Si를 포함한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자
11 11
제1항 내지 제10항 중 어느 하나의 항에 있어서, 하나 이상의 다른 트렌치; 및 하나 이상의 다른 시드층을 더 포함하고, 상기 절연층에 형성된 복수의 트렌치는 서로 이격 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
12 12
제11항에 있어서, 상기 복수의 트렌치는 상기 제1 방향 또는 제2 방향으로 이격 배열되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
13 13
제12항에 있어서, 상기 제1 방향 또는 제2 방향을 따라 이격 배열된 트렌치 중에서 일 트렌치와 다른 일 트렌치는 평면 배치 및 형태 중 적어도 하나가 서로 상이한 것을 특징으로 하는 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 차세대지능형반도체기술개발(R＆D) 저온 공정 기반 실리콘계 M3D 고결정질 상부 소자층 형성 기술개발