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일정한 길이를 가지는 실리콘 재질의 광도파로로서, 평행하게 배열되는 복수 개의 단위 광 방사기;상기 단위 광 방사기를 커버하는 클래딩부; 및상기 클래딩부 상에 복수 개의 상기 단위 광 방사기와 평행하게 배열되는 복수 개의 전극을 포함하고,복수 개의 상기 전극은 수직한 방향으로 복수 개의 상기 단위 광 방사기와 겹치지 않게 배열되는 것을 특징으로 하는,광 위상배열 방사기
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청구항 1에 있어서,복수 개의 상기 전극은 복수 개의 상기 단위 광 방사기 간의 수직한 방향에 배열되는 것을 특징으로 하는,광 위상배열 방사기
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청구항 2에 있어서,복수 개의 상기 단위 광 방사기 하부의 베이스부에 복수 개의 상기 전극에 대응되는 수만큼 형성된 도핑부(doping region); 및복수 개의 상기 전극과 복수 개의 상기 도핑부를 각각 연결하는 도선을 더 포함하는,광 위상배열 방사기
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청구항 3에 있어서,복수 개의 상기 도핑부는 수직한 방향으로 복수 개의 상기 단위 광 방사기와 겹치지 않게 배열되는 것을 특징으로 하는,광 위상배열 방사기
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청구항 1에 있어서,상기 클래딩부는 상기 단위 광 방사기보다 낮은 굴절율을 가진 실리카 클래딩(silica cladding)인 것을 특징으로 하는,광 위상배열 방사기
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청구항 1에 있어서,복수 개의 상기 단위 광 방사기의 간격은 동일하고, 상기 단위 광 방사기 각각에는 길이 방향을 따라 동일한 간격으로 요철 구조가 형성된 것을 특징으로 하는,광 위상배열 방사기
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7
일정한 길이를 가지는 실리콘 재질의 광도파로로서, 평행하게 배열되는 복수 개의 단위 광 방사기;상기 단위 광 방사기를 커버하는 클래딩부;상기 클래딩부 상면 일 측에 상기 클래딩부의 폭 방향을 따라 이격 배치된 제1 전극; 및상기 클래딩부 상면 타 측에 상기 제1 전극과 대향되게 상기 클래딩부의 폭 방향을 따라 이격 배치된 제2 전극을 포함하는,광 위상배열 방사기
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청구항 7에 있어서,복수 개의 상기 단위 광 방사기 하부의 베이스부에 형성되며, 수직한 방향으로 복수 개의 상기 단위 광 방사기와 겹치지 않게 배열되는 복수 개의 도핑부(doping region); 및복수 개의 상기 도핑부를 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극과 각각 연결하는 도선을 더 포함하는,광 위상배열 방사기
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9
청구항 8에 있어서,복수 개의 상기 도핑부는 복수 개의 상기 단위 광 방사기 간에 배열되는 것을 특징으로 하는,광 위상배열 방사기
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10
청구항 9에 있어서,복수 개의 상기 단위 광 방사기의 간격은 동일하고, 상기 단위 광 방사기 각각에는 길이 방향을 따라 동일한 간격으로 요철 구조가 형성된 것을 특징으로 하는,광 위상배열 방사기
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11
청구항 10에 있어서,상기 단위 광 방사기 각각은 상기 요철 구조가 형성된 요철구조 영역과 상기 요철 구조가 형성되지 않은 비 요철구조 영역으로 구분되고,상기 요철 구조 영역으로부터 멀어질수록 폭이 점점 작아지도록 테이퍼(taper)진 것을 특징으로 하는,광 위상배열 방사기
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12
청구항 11에 있어서,상기 도핑부 각각은 상기 요철구조 영역에 대응되는 영역에 해당하는 제1 도핑부와 상기 비 요철구조 영역에 대응되는 영역에 해당하는 제2 도핑부로 구분되고,상기 제1 도핑부로부터 멀어질수록 폭이 점점 커지도록 테이퍼(taper)진 것을 특징으로 하는,광 위상배열 방사기
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13
청구항 12에 있어서,상기 도선은 복수 개의 상기 도핑부의 상기 제2 도핑부에 연결되는 것을 특징으로 하는,광 위상배열 방사기
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14
청구항 7에 있어서,상기 클래딩부는 상기 단위 광 방사기보다 낮은 굴절율을 가진 실리카 클래딩(silica cladding)인 것을 특징으로 하는,광 위상배열 방사기
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