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다수의 로우 라인 및 다수의 비트 라인에 연결되고, 제1 채널층을 갖는 제1 3단자 시냅스 소자; 및상기 제1 3단자 시냅스 소자와 쌍(pair)을 이루고, 제2 채널층을 갖는 제2 3단자 시냅스 소자를 포함하고,상기 제1 3단자 시냅스 소자와 상기 제2 3단자 시냅스 소자는 게이트 전극이 서로 연결되되, 상기 제1 채널층 및 상기 제2 채널층은 서로 다른 재질을 갖는 것인 3단자 시냅스 소자를 이용한 뉴로모픽 시스템
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제1항에 있어서,상기 제1 3단자 시냅스 소자 및 상기 제2 3단자 시냅스 소자의 게이트 전극에는 동일한 극성의 게이트 바이어스가 동시에 인가되는 것인 3단자 시냅스 소자를 이용한 뉴로모픽 시스템
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제2항에 있어서,상기 제1 채널층 및 상기 제2 채널층은 상기 동일한 극성의 게이트 바이어스 인가에 의해 서로 반대되는 전도도 변화를 갖는 것인 3단자 시냅스 소자를 이용한 뉴로모픽 시스템
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제1항에 있어서,상기 제1 채널층 및 상기 제2 채널층은 동일한 이온 물질로 도핑되는 것인 3단자 시냅스 소자를 이용한 뉴로모픽 시스템
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제1항에 있어서,상기 제1 채널층 및 상기 제2 채널층은 산소, 리튬, 수소, 나트륨, 구리 및 은 이온 중 어느 하나의 이온으로 도핑되는 것인 3단자 시냅스 소자를 이용한 뉴로모픽 시스템
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제5항에 있어서, 상기 산소 이온 도핑시,상기 제1 채널층은 PCMO, LCMO, SrCoO, SrFeO 및 SmNiO 물질 중 어느 하나의 물질로 형성되고,상기 제2 채널층은 WOx(1
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제5항에 있어서, 상기 리튬 이온 도핑시,상기 제1 채널층은 WO, WSe 및 그래핀(graphene) 물질 중 어느 하나의 물질로 형성되고,상기 제2 채널층은 Li1-xCoO2(0003c#x003c#0
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8
제1항에 있어서,상기 제1 3단자 시냅스 소자 및 상기 제2 3단자 시냅스 소자에 동일한 극성의 게이트 바이어스가 인가될 때, 상기 제1 채널층의 컨덕턴스가 감소되면, 상기 제2 채널층의 컨덕턴스는 증가하고, 상기 제2 채널층의 컨덕턴스가 증가하면, 상기 제2 채널층의 컨덕턴스는 감소하는 것인 3단자 시냅스 소자를 이용한 뉴로모픽 시스템
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제1항에 있어서, 상기 제1 3단자 시냅스 소자는,상기 반도체 기판 상에 배치된 상기 제1 채널층을 사이에 두고 서로 이격되어 배치된 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극;상기 제1 채널층 상에 배치되고, 전해질 물질로 형성된 제1 중간층; 및상기 제1 중간층 상에 배치된 제1 이온 저장층을 더 포함하는 3단자 시냅스 소자를 이용한 뉴로모픽 시스템
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제1항에 있어서, 상기 제2 3단자 시냅스 소자는,상기 반도체 기판 상에 배치된 상기 제2 채널층을 사이에 두고 서로 이격되어 배치된 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극;상기 제2 채널층 상에 배치되고, 전해질 물질로 형성된 제2 중간층; 및상기 제2 중간층 상에 배치된 제2 이온 저장층을 더 포함하는 3단자 시냅스 소자를 이용한 뉴로모픽 시스템
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