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원자층 증착(atomic layer deposition)(ALD) 공정에 의한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법으로, 상기 칼코게나이드계 박막의 형성 방법은 Ge-Te계 물질을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 Ge-Te계 물질을 형성하는 단계는, 기판이 구비된 반응 챔버 내에, Ge의 산화 상태(oxidation state)가 +2가인 Ge 전구체를 포함하는 제 1 소오스 가스를 공급하는 제 1 단계; 상기 반응 챔버 내에 제 1 퍼지 가스를 공급하는 제 2 단계; 상기 반응 챔버 내에 Te 전구체를 포함하는 제 2 소오스 가스 및 상기 Ge 전구체와 상기 Te 전구체 사이의 반응을 촉진시키는 제 1 공반응물 가스(coreagent gas)를 공급하는 제 3 단계; 및 상기 반응 챔버 내에 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 4 단계를 포함하고, 상기 제 2 소오스 가스와 상기 제 1 공반응물 가스(coreagent gas)는 상기 반응 챔버 내에 동시에 공급되는, 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 Ge 전구체는 Ge(Ⅱ)-guanidinate를 포함하는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 Ge 전구체는 Ge(Ⅱ)-amido guanidinate를 포함하는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 Ge 전구체는 GeⅡN(CH3)2[(NiPr)2CN(CH3)2]를 포함하는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 공반응물 가스(coreagent gas)는 NH3를 포함하는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 Te 전구체에서 Te는 -2가의 산화 상태(oxidation state)를 갖는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 Te 전구체는 Te(SiMe3)2를 포함하는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 Ge-Te계 물질을 형성하는 단계에서 증착 온도는 70∼200℃ 범위인 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 칼코게나이드계 박막의 형성 방법은 Sb-Te계 물질을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 Sb-Te계 물질을 형성하는 단계는, 상기 반응 챔버 내에 Sb 전구체를 포함하는 제 3 소오스 가스를 공급하는 제 5 단계; 상기 반응 챔버 내에 제 3 퍼지 가스를 공급하는 제 6 단계; 상기 반응 챔버 내에 제 2 Te 전구체를 포함하는 상기 제 4 소오스 가스 및 제 2 공반응물 가스(coreagent gas)를 공급하는 제 7 단계; 및 상기 반응 챔버 내에 제 4 퍼지 가스를 공급하는 제 8 단계를 포함하는, 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 제 4 소오스 가스는 상기 제 2 소오스 가스와 동일하고, 상기 제 2 공반응물 가스는 상기 제 1 공반응물 가스와 동일한 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 제 4 소오스 가스와 상기 제 2 공반응물 가스는 상기 반응 챔버 내에 동시에 공급되는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 Sb-Te계 물질을 형성하는 단계에서 증착 온도는 70∼200℃ 범위인 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 Ge-Te계 물질을 형성하는 단계는 GeTe 물질을 형성하도록 구성되고, 상기 Sb-Te계 물질을 형성하는 단계는 Sb2Te3 물질을 형성하도록 구성된 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 Ge-Te계 물질을 형성하기 위한 상기 제 1 내지 4 단계를 m회(m은 1 이상의 정수) 반복 수행하고, 상기 Sb-Te계 물질을 형성하기 위한 상기 제 5 내지 8 단계를 n회(n은 1 이상의 정수) 반복 수행하는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 Ge-Te계 물질을 형성하는 단계와 상기 Sb-Te계 물질을 형성하는 단계를 교대로 반복 수행하는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 칼코게나이드계 박막은 (GeTe)x(Sb2Te3)1-x 물질을 포함하는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 칼코게나이드계 박막을 어닐링(annealing)하는 단계를 더 포함하는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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청구항 1 내지 17 중 어느 한 항에 기재된 방법을 이용해서 칼코게나이드계 박막을 형성하는 단계를 포함하는 상변화 물질층의 형성 방법
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청구항 18에 기재된 방법을 이용해서 상변화 물질층을 형성하는 단계; 및 상기 상변화 물질층에 전압을 인가하기 위한 전극 구조를 형성하는 단계를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법
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원자층 증착(atomic layer deposition)(ALD) 공정에 의한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법으로, 상기 칼코게나이드계 박막의 형성 방법은 Ge-Te계 물질을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 Ge-Te계 물질을 형성하는 단계는, 기판이 구비된 반응 챔버 내에, Ge의 산화 상태(oxidation state)가 +2가인 Ge 전구체를 포함하는 제 1 소오스 가스를 공급하는 제 1 단계; 상기 반응 챔버 내에 제 1 퍼지 가스를 공급하는 제 2 단계; 상기 반응 챔버 내에 Te 전구체를 포함하는 제 2 소오스 가스 및 상기 Ge 전구체와 상기 Te 전구체 사이의 반응을 촉진시키는 제 1 공반응물 가스(coreagent gas)를 공급하는 제 3 단계; 및 상기 반응 챔버 내에 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 4 단계를 포함하고, 상기 제 1 공반응물 가스(coreagent gas)는 상기 Te 전구체와 반응하여 TeH2를 발생시키도록 구성된, 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 20 항에 있어서, 상기 Ge 전구체는 GeⅡN(CH3)2[(NiPr)2CN(CH3)2]를 포함하는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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