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원자층 증착(atomic layer deposition)(ALD) 공정에 의한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법으로, 기판이 구비된 반응 챔버 내에, Ge의 산화 상태(oxidation state)가 +2가인 Ge 전구체를 포함하는 제 1 소오스 가스를 공급하는 제 1 단계; 상기 반응 챔버 내에 제 1 퍼지 가스를 공급하는 제 2 단계; 상기 반응 챔버 내에 Se 전구체를 포함하는 제 2 소오스 가스 및 상기 Ge 전구체와 상기 Se 전구체 사이의 반응을 촉진시키는 촉매제의 역할을 하는 반응촉진 가스를 공급하는 제 3 단계; 및 상기 반응 챔버 내에 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 4 단계를 포함하고, 상기 반응촉진 가스는 상기 기판 상에서 상기 Ge 전구체와 반응하여 Ge(NH2)를 형성하도록 구성된, 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 Ge 전구체는 Ge(Ⅱ)-guanidinate를 포함하는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 Ge 전구체는 GeⅡN(CH3)2[(NiPr)2CN(CH3)2]를 포함하는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 반응촉진 가스는 NH3를 포함하는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 Se 전구체는 산화 상태(oxidation state)가 -2가인 Se를 포함하는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 Se 전구체는 [(CH3)3Si]2Se를 포함하는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 칼코게나이드계 박막의 형성 방법은 Ge와 Se의 비율이 1:1인 화학양론적인(stoichiometric) GeSe를 형성하도록 구성된 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 칼코게나이드계 박막의 형성 방법에서 증착 온도는 70∼200℃ 범위인 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 내지 4 단계를 복수 회 반복 수행하는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 칼코게나이드계 박막을 어닐링(annealing)하는 단계를 더 포함하는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 칼코게나이드계 박막을 어닐링(annealing)하는 단계는 200∼500℃의 온도로 수행하는 원자층 증착(ALD) 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법
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스위칭 소자의 형성 방법에 있어서, 청구항 1 내지 11 중 어느 한 항에 기재된 방법을 이용해서 칼코게나이드계 박막을 형성하는 단계를 포함하는 스위칭 소자의 형성 방법
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제 12 항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 OTS(Ovonic threshold switch) 소자를 포함하는 스위칭 소자의 형성 방법
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메모리 요소 및 상기 메모리 요소에 전기적으로 연결된 스위칭 소자를 포함하는 메모리 소자의 제조 방법에 있어서, 청구항 12에 기재된 방법을 이용해서 상기 스위칭 소자를 형성하는 단계를 포함하는 메모리 소자의 제조 방법
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