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수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 교대로 적층된 층간 절연막들 및 게이트 전극들과, 상기 층간 절연막들 및 상기 게이트 전극들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 데이터 저장 패턴 및 상기 데이터 저장 패턴의 내측벽에 덮으며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴을 포함함-을 각각 포함하는 스택 구조체들-상기 스택 구조체들은 상기 수직 방향으로 적층됨-; 및 상기 스택 구조체들의 사이에 배치된 채, 상기 스택 구조체들 각각의 수직 채널 패턴들을 서로 연결시키는 연결부들을 포함하는 버퍼층을 포함하고
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제1항에 있어서,상기 연결부들 각각은, 상기 버퍼층에서 상기 수평 방향으로의 일부분에 대한 습식 식각(Wet etching)이 수행된 측벽에 형성되어 모서리가 굴곡진 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제2항에 있어서,상기 버퍼층은, 상기 습식 식각이 수행될 수 있는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제3항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하는 물질은, 실리콘 산화물 또는 금속 산화물 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 연결부들 각각은, 상기 버퍼층이 서로 다른 식각비를 갖는 복수의 층들이 상기 수직 방향으로 적층되어 구성됨에 따라, 상기 버퍼층에서 상기 수평 방향으로의 일부분에 대한 식각이 수행된 측벽에 형성되어 모서리가 굴곡진 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제5항에 있어서,상기 복수의 층들 중 상기 수직 방향으로 중앙에 위치하는 층은, 상기 복수의 층들 중 상기 수직 방향으로 가장자리에 위치하는 층들보다 높은 식각비를 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 수직 채널 패턴들 각각이 상기 수직 채널 패턴들 각각에 의해 적어도 일부분이 감싸진 채 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 백 게이트를 포함하는 경우, 상기 연결부들 각각은, 상기 백 게이트가 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 내부 홀(Hole)을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 연결부들 각각은, 상기 수직 채널 패턴들과 동일한 물질로 형성되는 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 연결부들 각각은, 평면 상 상기 수직 채널 패턴들 각각을 수용하는 크기 및 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 교대로 적층된 층간 절연막들 및 게이트 전극들과, 상기 층간 절연막들 및 상기 게이트 전극들을 상기 수직 방향으로 관통하는 채널 홀들을 포함하는 하부 스택 구조체를 준비하는 단계; 상기 하부 스택 구조체의 상부에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층이 형성된 상기 하부 스택 구조체의 상부에, 상기 수평 방향으로 연장 형성되며 상기 수직 방향으로 교대로 적층된 상기 층간 절연막들 및 상기 게이트 전극들과, 상기 층간 절연막들 및 상기 게이트 전극들을 상기 수직 방향으로 관통하는 채널 홀들을 포함하는 상부 스택 구조체를 형성하는 단계; 상기 채널 홀들의 위치에 기초하여 상기 버퍼층을 상기 수직 방향으로 관통하는 채널 연결 홀들을 형성하는 단계; 상기 채널 홀들 및 상기 채널 연결 홀들을 통해, 잔여 부분이 언더컷(Undercut) 형상을 갖도록 상기 버퍼층에서 상기 수평 방향으로의 일부분에 대한 습식 식각(Wet etching)을 수행하는 단계; 및 상기 채널 홀들의 내측벽 및 상기 버퍼층에 대한 식각이 수행된 측벽에, 데이터 저장 패턴 및 수직 채널 패턴을 각각 포함하는 수직 채널 구조체들을 상기 수직 방향으로 연장 형성하는 단계를 포함하고, 상기 수직 채널 구조체들을 상기 수직 방향으로 연장 형성하는 단계는, 상기 상부 스택 구조체에 연장 형성된 수직 채널 패턴들과 상기 하부 스택 구조체에 연장 형성된 수직 채널 패턴들을 서로 연결시키며 상기 수직 채널 패턴들 각각보다 상기 수평 방향으로 돌출된 채 모서리가 굴곡진 형상을 갖는 연결부들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하는 단계는, 상기 습식 식각이 수행될 수 있는 물질로 상기 버퍼층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 교대로 적층된 층간 절연막들 및 게이트 전극들과, 상기 층간 절연막들 및 상기 게이트 전극들을 상기 수직 방향으로 관통하는 채널 홀들을 포함하는 하부 스택 구조체를 준비하는 단계; 상기 하부 스택 구조체의 상부에 서로 다른 식각비를 갖는 복수의 층들이 상기 수직 방향으로 적층된 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층이 형성된 상기 하부 스택 구조체의 상부에, 상기 수평 방향으로 연장 형성되며 상기 수직 방향으로 교대로 적층된 상기 층간 절연막들 및 상기 게이트 전극들과, 상기 층간 절연막들 및 상기 게이트 전극들을 상기 수직 방향으로 관통하는 채널 홀들을 포함하는 상부 스택 구조체를 형성하는 단계; 상기 채널 홀들의 위치에 기초하여 상기 버퍼층을 상기 수직 방향으로 관통하는 채널 연결 홀들을 형성하는 단계; 상기 채널 홀들 및 상기 채널 연결 홀들을 통해, 잔여 부분이 언더컷(Undercut) 형상을 갖도록 상기 버퍼층에서 상기 수평 방향으로의 일부분에 대한 식각을 수행하는 단계; 및 상기 채널 홀들의 내측벽 및 상기 버퍼층에 대한 식각이 수행된 측벽에, 데이터 저장 패턴 및 수직 채널 패턴을 각각 포함하는 수직 채널 구조체들을 상기 수직 방향으로 연장 형성하는 단계를 포함하고, 상기 수직 채널 구조체들을 상기 수직 방향으로 연장 형성하는 단계는, 상기 상부 스택 구조체에 연장 형성된 수직 채널 패턴들과 상기 하부 스택 구조체에 연장 형성된 수직 채널 패턴들을 서로 연결시키며 상기 수직 채널 패턴들 각각보다 상기 수평 방향으로 돌출된 채 모서리가 굴곡진 형상을 갖는 연결부들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하는 단계는, 상기 복수의 층들 중 상기 수직 방향으로 중앙에 위치하는 층을 상기 복수의 층들 중 상기 수직 방향으로 가장자리에 위치하는 층들보다 높은 식각비를 갖는 물질로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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