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구리 나노와이어가 표면 성장된 형상기억합금, 이를 포함하는 인공 근육, 그리고 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022022569
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시예는 인공 근육으로 응용되는 형상기억합금의 구동 속도 향상에 관한 것으로, 형상기억합금의 표면에 구리 나노와이어를 성장시킴으로써 열전도 및 열대류를 향상시켜 형상기억합금의 자연냉각 속도 및 구동 속도를 향상시키는 것에 관한 것이다.
Int. CL C22C 1/10 (2006.01.01) C21D 9/52 (2006.01.01) B25J 9/10 (2006.01.01) C25D 3/38 (2006.01.01) C30B 29/60 (2006.01.01) C30B 29/10 (2006.01.01)
CPC C22C 1/101(2013.01) C22C 1/1094(2013.01) C21D 9/52(2013.01) B25J 9/1075(2013.01) C25D 5/34(2013.01) C25D 3/38(2013.01) C30B 29/60(2013.01) C30B 29/10(2013.01) C21D 2201/01(2013.01)
출원번호/일자 1020210066787 (2021.05.25)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0159016 (2022.12.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.05.25)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오일권 대전광역시 유성구
2 오세웅 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2021-0599425-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.01.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2022.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0807913-19
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2022.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0188744-70
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번호 청구항
1 1
형상기억합금의 표면의 산화막을 제거하는 단계,상기 산화막이 제거된 형상기억합금의 표면에 구리를 전착(電着, electrodeposit)시키는 단계,상기 구리가 전착된 형상기억합금의 표면에 수산화구리 나노와이어를 성장시키는 단계,상기 형상기억합금의 표면에 성장된 수산화구리 나노와이어를 산화구리 나노와이어로 산화시키는 단계, 그리고상기 형상기억합금의 표면에 성장된 산화구리 나노와이어를 구리 나노와이어로 환원시키는 단계를 포함하는 형상기억합금의 제조 방법
2 2
제1항에서,상기 형상기억합금의 표면의 산화막을 제거하기 위한 주재료는 인산 (H3PO4), 과산화수소수(H2O2), 그리고 물을 포함하는 형상기억합금의 제조 방법
3 3
제2항에서,상기 형상기억합금의 표면의 산화막을 제거하는데 사용되는 용액은 인산과 과산화수소수의 혼합 용액을 포함하고, 상기 인산과 상기 과산화수소의 질량 비율이 5:1 내지 4:1인 형상기억합금의 제조 방법
4 4
제2항에서,상기 형상기억합금의 표면의 산화막을 제거하는데 사용되는 혼합 용액은 80℃ 내지 90℃의 온도에서 사용되는 형상기억합금의 제조 방법
5 5
제2항에서,상기 형상기억합금의 표면의 산화막을 제거하기 위한 시간은 40분 내지 60분인 형상기억합금의 제조 방법
6 6
제1항에서,상기 산화막이 제거된 형상기억합금의 표면에 구리를 전착시키기 위한 주재료는 황산구리(CuSO4), 황산(H2SO4), 그리고 물을 포함하는 형상기억합금의 제조 방법
7 7
제6항에서, 상기 산화막이 제거된 형상기억합금의 표면에 구리를 전착시키는데 사용되는 용액은 황산구리와 황산의 혼합 용액을 포함하고, 상기 황산구리와 상기 황산의 몰 비율이 1:1인 형상기억합금의 제조 방법
8 8
제6항에서, 상기 산화막이 제거된 형상기억합금의 표면에 구리를 전착시키기 위한 조건으로 삼전극 전기도금법이 사용되고, 상기 삼전극 전기도금법으로 형상기억합금이 작동 전극, 포화 KCl을 전해질로 하는 Ag/AgCl 전극이 기준 전극, 구리막이 상대 전극으로 사용되는 형상기억합금의 제조 방법
9 9
제8항에서,상기 삼전극 전기도금법에 사용된 구리막의 두께는 0
10 10
제8항에서,상기 삼전극 전기도금법의 입력 전압은 -0
11 11
제1항에서,상기 구리가 전착된 형상기억합금의 표면에 수산화구리 나노와이어를 성장시키는 단계의 주재료는 과황산암모늄((NH4)2S2O8), 수산화칼륨(KOH), 그리고 물을 포함하는 형상기억합금의 제조 방법
12 12
제11항에서,상기 구리가 전착된 형상기억합금의 표면에 수산화구리 나노와이어를 성장시키는데 과황산암모늄과 수산화칼륨이 사용되는 형상기억합금의 제조 방법
13 13
제11항에서,상기 구리가 전착된 형상기억합금의 표면에 수산화구리 나노와이어를 성장시키기 위해 상온에서 과황산암모늄과 수산화칼륨 혼합 용액에 구리가 전착된 형상기억합금을 5분 내지 15분 동안 담가 두는 형상기억합금의 제조 방법
14 14
제1항에서,상기 형상기억합금의 표면에 성장된 수산화구리 나노와이어를 산화구리 나노와이어로 산화시키는 단계를 위해 140℃ 내지 150℃ 오븐에서 2시간 내지 3시간 동안 수산화구리 나노와이어가 성장된 형상기억합금을 가열시켜 수산화구리 나노와이어를 산화구리 나노와이어로 산화시키는 형상기억합금의 제조 방법
15 15
제1항에서,상기 형상기억합금의 표면에 성장된 산화구리 나노와이어를 구리 나노와이어로 환원시키기 위한 주재료는 물에 혼합된 0
16 16
제15항에서,상기 형상기억합금의 표면에 성장된 산화구리 나노와이어를 구리 나노와이어로 환원시키기 위한 방법으로 삼전극 순환 전압법이 사용되는 형상기억합금의 제조 방법
17 17
제16항에서,상기 삼전극 순환 전압법으로 산화구리 나노와이어가 성장된 형상기억합금이 작동 전극으로, 포화 KCl을 전해질로 하는 Ag/AgCl 전극이 기준 전극으로, 백금 전극이 상대 전극으로 사용되는 형상기억합금의 제조 방법
18 18
제17항에서,상기 삼전극 순환 전압법의 순환 전압 조건으로 -2
19 19
형상기억합금 와이어, 스프링, 또는 박막, 그리고상기 형상기억합금 와이어, 스프링, 또는 박막의 표면에 직접 성장되어 있는 구리 나노와이어를 포함하는 인공 근육
20 20
제19항에서,상기 구리 나노와이어가 직접 성장된 형상기억합금에서 상기 구리 나노와이어는 0
21 21
형상기억합금은 와이어, 스프링, 또는 박막의 형상을 갖고, 그리고상기 형상기억합금의 표면에 구리 나노와이어가 직접 성장되어 있는,형상기억합금
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 이공분야기초연구사업 (N01210177)(통합EZ)Functionally Antagonistic Nano-Engineering 창의연구단(2021년도)
2 산업통상자원부 한국기계연구원 산업기술혁신사업 (N02200136)(RCMS)100m를 7초에 주파하는 로봇 슈트(2020년도)