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전자 장치에 있어서, 상기 전자 장치의 내부로 유입된 검체의 적어도 일부를 이용하여 플라즈마를 생성하도록 구성된 전극 구조를 포함하는 플라즈마 생성부;상기 플라즈마에 의해 생성된 입사광을 분리시키도록 구성된 광 분리부; 및제1 대역 필터를 포함하는 제1 층, 상기 제1 층 아래에 배치되고, 상기 제1 대역 필터의 적어도 일부와 중첩된 제2 대역 필터를 포함하는 제2 층, 및 상기 제2 층 아래에 배치되고, 상기 제1 대역 필터 또는 상기 제2 대역 필터 중 적어도 하나를 지난 굴절광을 전달받도록 구성된 광 다이오드를 포함하는 제3 층을 포함하는 광 검출부를 포함하는 전자 장치
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제1 항에 있어서,상기 전극 구조는 복수의 지점들에서 플라즈마를 발생시키기 위한 그리드 형상 또는 빗살 형상으로 형성된 전자 장치
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제1 항에 있어서,상기 광 다이오드에서 획득된 신호에 기초하여 상기 검체의 구성 성분을 분석하도록 구성된 프로세서를 더 포함하는 전자 장치
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4
제3 항에 있어서,상기 플라즈마 생성부에서 생성된 상기 플라즈마의 위치를 반영하는 플라즈마 위치 정보를 저장하도록 구성된 메모리를 더 포함하는 전자 장치
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제4 항에 있어서,상기 프로세서는, 상기 플라즈마의 위치 정보에 기초하여, 상기 검체의 위치별 원소 정보가 반영된 플라즈마 매핑 정보를 생성하도록 구성된 전자 장치
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제1 항에 있어서,상기 제1 층은 상기 제2 대역 필터의 적어도 일부와 중첩된 제1 리세스를 포함하고, 상기 제2 층은 상기 제1 대역 필터의 적어도 일부와 중첩된 제2 리세스를 포함하고,상기 광 다이오드는 상기 제1 대역 필터 및 제2 리세스를 지난 광을 전달받도록 구성된 제1 광 다이오드, 상기 제1 리세스 및 상기 제2 대역 필터를 지난 광을 전달받도록 구성된 제2 광 다이오드, 및 상기 제1 대역 필터 및 상기 제2 대역 필터를 지난 광을 전달받도록 구성된 제3 광 다이오드를 포함하는 전자 장치
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7
제1 항에 있어서,상기 광 분리부는 상기 플라즈마 발생부와 상기 광 검출부 사이에 배치된 전자 장치
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제1 항에 있어서,상기 광 분리부는 상이한 굴절률을 가진 복수의 광 분리 층들을 포함하는 전자 장치
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제8 항에 있어서,상기 복수의 광 분리 층들은 제1 굴절률을 가진 제1 광 분리 층, 및 상기 제1 광 분리 층과 상기 광 검출부 사이에 위치하고, 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가진 제2 광 분리 층을 포함하는 전자 장치
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제1 항에 있어서,상기 제1 대역 필터는, 제1-1 파장 대역의 빛을 투과하도록 구성된 제1-1 대역 필터, 및 상기 제1-1 파장 대역과 상이한 제1-2 파장 대역의 빛을 투과하도록 구성된 제1-2 대역 필터를 포함하고, 상기 제2 대역 필터는, 제2-1 파장 대역의 빛을 투과하도록 구성된 제2-1 대역 필터, 및 상기 제2-1 파장 대역과 상이한 제2-2 파장 대역의 빛을 투과하도록 구성된 제2-2 대역 필터를 포함하고, 상기 제2-1 파장 대역의 일부는, 상기 제1-1 파장 대역의 적어도 일부와 중첩되고, 상기 제2-2 파장 대역의 적어도 일부는 상기 제1-1 파장 대역 또는 상기 제1-2 파장 대역과 중첩된 전자 장치
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제10 항에 있어서,상기 광 검출부는 상기 제2 층 및 상기 제3 층 사이에 배치되고, 상기 제2 대역 필터의 적어도 일부와 중첩된 제3 대역 필터를 포함하는 제4 층을 포함하는 전자 장치
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12
제1 항에 있어서,상기 전극 구조의 적어도 일부는 실질적으로 하나의 평면 상에 위치하고,상기 플라즈마는 실질적으로 하나의 평면상에서 생성되도록 구성된 전자 장치
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13
제1 항에 있어서,상기 제1 대역 필터 및 상기 제2 대역 필터는 격자형으로 배열된 전자 장치
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제1 항에 있어서,상기 광 분리부는 상기 입사광을 상기 제1 대역 필터의 제1 파장 대역에 대응하게 분산시키도록 구성된 전자 장치
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제1 항에 있어서,상기 광 검출부는 상기 제1 대역 필터의 적어도 일부 및 상기 제2 대역 필터의 적어도 일부를 둘러싸는 격벽 구조를 포함하는 전자 장치
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전자 장치에 있어서,상기 전자 장치의 내부로 유입된 검체의 적어도 일부를 이용하여 플라즈마를 생성하도록 구성된 전극 구조를 포함하는 플라즈마 생성부;상기 플라즈마에 의해 생성된 입사광을 분리시키도록 구성된 광 분리부; 및제1 대역 필터 및 제1 리세스를 포함하는 제1 층, 상기 제1 층 아래에 배치되고, 제2 대역 필터 및 제2 리세스를 포함하는 제2 층, 및 상기 제2 층 아래에 배치되고, 광 다이오드를 포함하는 제3 층을 포함하는 광 검출부; 및상기 광 다이오드에서 획득된 신호에 기초하여 상기 검체의 구성 성분을 분석하도록 구성된 프로세서를 포함하고,상기 광 다이오드는 상기 제1 대역 필터 및 제2 리세스를 지난 광을 전달받도록 구성된 제1 광 다이오드, 상기 제1 리세스 및 상기 제2 대역 필터를 지난 광을 전달받도록 구성된 제2 광 다이오드, 및 상기 제1 대역 필터 및 상기 제2 대역 필터를 지난 광을 전달받도록 구성된 제3 광 다이오드를 포함하는 전자 장치
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제16 항에 있어서,상기 전극 구조는 복수의 지점들에서 플라즈마를 발생시키기 위한 그리드 형상 또는 빗살 형상으로 형성된 전자 장치
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제16 항에 있어서,상기 플라즈마 생성부에서 생성된 상기 플라즈마의 위치를 반영하는 플라즈마 위치 정보를 저장하도록 구성된 메모리를 더 포함하는 전자 장치
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제18 항에 있어서,상기 프로세서는, 상기 플라즈마의 위치 정보에 기초하여, 상기 검체의 위치별 원소 정보가 반영된 플라즈마 매핑 정보를 생성하도록 구성된 전자 장치
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제16 항에 있어서,상기 광 분리부는 제1 굴절률을 가진 제1 광 분리 층, 및 상기 제1 광 분리 층과 상기 광 검출부 사이에 위치하고, 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가진 제2 광 분리 층을 포함하는 전자 장치
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