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플라즈마 생성부를 포함하는 전자 장치

  • 기술번호 : KST2022023653
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 개시의 다양한 실시예들에 따르면, 전자 장치는 상기 전자 장치의 내부로 유입된 검체의 적어도 일부를 이용하여 플라즈마를 생성하도록 구성된 전극 구조를 포함하는 플라즈마 생성부, 상기 플라즈마에 의해 생성된 입사광을 분리시키도록 구성된 광 분리부 및 제1 대역 필터를 포함하는 제1 층, 상기 제1 층 아래에 배치되고, 상기 제1 대역 필터의 적어도 일부와 중첩된 제2 대역 필터를 포함하는 제2 층, 및 상기 제2 층 아래에 배치되고, 상기 제1 대역 필터 또는 상기 제2 대역 필터 중 적어도 하나를 지난 굴절광을 전달받도록 구성된 광 다이오드를 포함하는 제3 층을 포함하는 광 검출부를 포함할 수 있다.
Int. CL G01N 21/67 (2006.01.01) G01N 21/69 (2006.01.01) G01J 3/14 (2006.01.01) G01J 3/443 (2006.01.01) H05H 1/46 (2006.01.01) G01N 21/25 (2006.01.01)
CPC G01N 21/67(2013.01) G01N 21/69(2013.01) G01J 3/14(2013.01) G01J 3/443(2013.01) H05H 1/46(2013.01) G01N 2021/258(2013.01)
출원번호/일자 1020210076107 (2021.06.11)
출원인 삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0167049 (2022.12.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조영규 경기도 수원시 영통구
2 여재익 서울특별시 강남구
3 김성환 경기도 수원시 영통구
4 박상훈 서울특별시 관악구
5 박장표 경기도 수원시 영통구
6 양준호 인천광역시 서구
7 정용원 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이건주 대한민국 서울 종로구 명륜동*가 ***-* 미화빌딩 이건주특허법률사무소
2 김정훈 대한민국 서울 종로구 명륜동*가 ***-* 미화빌딩(이건주특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2021-0676590-44
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2021.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2021-5205564-29
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.04.04 수리 (Accepted) 4-1-2022-5079741-71
4 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.08.11 수리 (Accepted) 4-1-2022-5189083-38
5 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.10.07 수리 (Accepted) 4-1-2022-5235636-01
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번호 청구항
1 1
전자 장치에 있어서, 상기 전자 장치의 내부로 유입된 검체의 적어도 일부를 이용하여 플라즈마를 생성하도록 구성된 전극 구조를 포함하는 플라즈마 생성부;상기 플라즈마에 의해 생성된 입사광을 분리시키도록 구성된 광 분리부; 및제1 대역 필터를 포함하는 제1 층, 상기 제1 층 아래에 배치되고, 상기 제1 대역 필터의 적어도 일부와 중첩된 제2 대역 필터를 포함하는 제2 층, 및 상기 제2 층 아래에 배치되고, 상기 제1 대역 필터 또는 상기 제2 대역 필터 중 적어도 하나를 지난 굴절광을 전달받도록 구성된 광 다이오드를 포함하는 제3 층을 포함하는 광 검출부를 포함하는 전자 장치
2 2
제1 항에 있어서,상기 전극 구조는 복수의 지점들에서 플라즈마를 발생시키기 위한 그리드 형상 또는 빗살 형상으로 형성된 전자 장치
3 3
제1 항에 있어서,상기 광 다이오드에서 획득된 신호에 기초하여 상기 검체의 구성 성분을 분석하도록 구성된 프로세서를 더 포함하는 전자 장치
4 4
제3 항에 있어서,상기 플라즈마 생성부에서 생성된 상기 플라즈마의 위치를 반영하는 플라즈마 위치 정보를 저장하도록 구성된 메모리를 더 포함하는 전자 장치
5 5
제4 항에 있어서,상기 프로세서는, 상기 플라즈마의 위치 정보에 기초하여, 상기 검체의 위치별 원소 정보가 반영된 플라즈마 매핑 정보를 생성하도록 구성된 전자 장치
6 6
제1 항에 있어서,상기 제1 층은 상기 제2 대역 필터의 적어도 일부와 중첩된 제1 리세스를 포함하고, 상기 제2 층은 상기 제1 대역 필터의 적어도 일부와 중첩된 제2 리세스를 포함하고,상기 광 다이오드는 상기 제1 대역 필터 및 제2 리세스를 지난 광을 전달받도록 구성된 제1 광 다이오드, 상기 제1 리세스 및 상기 제2 대역 필터를 지난 광을 전달받도록 구성된 제2 광 다이오드, 및 상기 제1 대역 필터 및 상기 제2 대역 필터를 지난 광을 전달받도록 구성된 제3 광 다이오드를 포함하는 전자 장치
7 7
제1 항에 있어서,상기 광 분리부는 상기 플라즈마 발생부와 상기 광 검출부 사이에 배치된 전자 장치
8 8
제1 항에 있어서,상기 광 분리부는 상이한 굴절률을 가진 복수의 광 분리 층들을 포함하는 전자 장치
9 9
제8 항에 있어서,상기 복수의 광 분리 층들은 제1 굴절률을 가진 제1 광 분리 층, 및 상기 제1 광 분리 층과 상기 광 검출부 사이에 위치하고, 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가진 제2 광 분리 층을 포함하는 전자 장치
10 10
제1 항에 있어서,상기 제1 대역 필터는, 제1-1 파장 대역의 빛을 투과하도록 구성된 제1-1 대역 필터, 및 상기 제1-1 파장 대역과 상이한 제1-2 파장 대역의 빛을 투과하도록 구성된 제1-2 대역 필터를 포함하고, 상기 제2 대역 필터는, 제2-1 파장 대역의 빛을 투과하도록 구성된 제2-1 대역 필터, 및 상기 제2-1 파장 대역과 상이한 제2-2 파장 대역의 빛을 투과하도록 구성된 제2-2 대역 필터를 포함하고, 상기 제2-1 파장 대역의 일부는, 상기 제1-1 파장 대역의 적어도 일부와 중첩되고, 상기 제2-2 파장 대역의 적어도 일부는 상기 제1-1 파장 대역 또는 상기 제1-2 파장 대역과 중첩된 전자 장치
11 11
제10 항에 있어서,상기 광 검출부는 상기 제2 층 및 상기 제3 층 사이에 배치되고, 상기 제2 대역 필터의 적어도 일부와 중첩된 제3 대역 필터를 포함하는 제4 층을 포함하는 전자 장치
12 12
제1 항에 있어서,상기 전극 구조의 적어도 일부는 실질적으로 하나의 평면 상에 위치하고,상기 플라즈마는 실질적으로 하나의 평면상에서 생성되도록 구성된 전자 장치
13 13
제1 항에 있어서,상기 제1 대역 필터 및 상기 제2 대역 필터는 격자형으로 배열된 전자 장치
14 14
제1 항에 있어서,상기 광 분리부는 상기 입사광을 상기 제1 대역 필터의 제1 파장 대역에 대응하게 분산시키도록 구성된 전자 장치
15 15
제1 항에 있어서,상기 광 검출부는 상기 제1 대역 필터의 적어도 일부 및 상기 제2 대역 필터의 적어도 일부를 둘러싸는 격벽 구조를 포함하는 전자 장치
16 16
전자 장치에 있어서,상기 전자 장치의 내부로 유입된 검체의 적어도 일부를 이용하여 플라즈마를 생성하도록 구성된 전극 구조를 포함하는 플라즈마 생성부;상기 플라즈마에 의해 생성된 입사광을 분리시키도록 구성된 광 분리부; 및제1 대역 필터 및 제1 리세스를 포함하는 제1 층, 상기 제1 층 아래에 배치되고, 제2 대역 필터 및 제2 리세스를 포함하는 제2 층, 및 상기 제2 층 아래에 배치되고, 광 다이오드를 포함하는 제3 층을 포함하는 광 검출부; 및상기 광 다이오드에서 획득된 신호에 기초하여 상기 검체의 구성 성분을 분석하도록 구성된 프로세서를 포함하고,상기 광 다이오드는 상기 제1 대역 필터 및 제2 리세스를 지난 광을 전달받도록 구성된 제1 광 다이오드, 상기 제1 리세스 및 상기 제2 대역 필터를 지난 광을 전달받도록 구성된 제2 광 다이오드, 및 상기 제1 대역 필터 및 상기 제2 대역 필터를 지난 광을 전달받도록 구성된 제3 광 다이오드를 포함하는 전자 장치
17 17
제16 항에 있어서,상기 전극 구조는 복수의 지점들에서 플라즈마를 발생시키기 위한 그리드 형상 또는 빗살 형상으로 형성된 전자 장치
18 18
제16 항에 있어서,상기 플라즈마 생성부에서 생성된 상기 플라즈마의 위치를 반영하는 플라즈마 위치 정보를 저장하도록 구성된 메모리를 더 포함하는 전자 장치
19 19
제18 항에 있어서,상기 프로세서는, 상기 플라즈마의 위치 정보에 기초하여, 상기 검체의 위치별 원소 정보가 반영된 플라즈마 매핑 정보를 생성하도록 구성된 전자 장치
20 20
제16 항에 있어서,상기 광 분리부는 제1 굴절률을 가진 제1 광 분리 층, 및 상기 제1 광 분리 층과 상기 광 검출부 사이에 위치하고, 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가진 제2 광 분리 층을 포함하는 전자 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.