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OMO 구조를 갖는 투명전극층을 구비하는 양면 수광형 태양전지 모듈의 제조방법으로서,상기 모듈의 제조방법은,기판 상에 제 1 투명전극층을 형성하는 단계;상기 제 1 투명전극층의 적어도 어느 일부를 제거하여, 상기 제 1 투명전극층을 오프셋하여 스트립 형태로 분할하는 P1 스크라이빙 패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 투명전극층 상에 광전변환층을 형성하는 단계;상기 광전변환층의 적어도 어느 일부를 제거하되, 상기 P1 스크라이빙 패턴을 기준으로 오프셋하여 스트립 형태로 분할하는 P2 스크라이빙 패턴을 형성하는 단계;상기 광전변환층 상에 제 2 투명전극층을 형성하는 단계; 및상기 광전변환층과 상기 제 2 투명전극층의 어느 일부를 제거하되, 상기 P2 스크라이빙 패턴을 기준으로 오프셋하여 스트립 형태로 분할하는 P3 스크라이빙 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제 2 투명전극층을 형성하는 단계는,상기 광전변환층 상에 제 1 산화물 박막, 은(Ag) 혹은 산화은(AgOx) 박막 및 제 2 산화물 박막을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하며, 상기 모듈은 복수개의 셀을 포함하며, 상기 셀의 폭은 4㎜ 내지 6㎜의 범위를 갖도록 패터닝되고,상기 P2 스크라이빙 패턴을 형성하는 단계는, 1
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제 1 항에 있어서,상기 광전변환층을 형성하는 단계는,PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)를 이용하여 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막층을 형성하는 단계를 포함하는,양면 수광형 태양전지 모듈의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 광전변환층을 형성하는 단계는,P형 반도체층, I형 반도체층 및 N형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는,양면 수광형 태양전지 모듈의 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 N형 반도체층은 상기 제 1 산화물 박막의 하부면과 접촉하는,양면 수광형 태양전지 모듈의 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 I형 반도체층은 300㎚ 내지 400㎚의 두께 범위를 갖는,양면 수광형 태양전지 모듈의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 투명전극층의 표면은 텍스처링(texturing)된,양면 수광형 태양전지 모듈의 제조방법
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 의한 양면 수광형 태양전지 모듈의 제조방법으로 구현된,양면 수광형 태양전지 모듈
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