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태양전지용 실리콘 기판의 표면처리방법

  • 기술번호 : KST2023000601
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광전변환효율이 우수한 태양전지용 실리콘 기판의 표면처리방법이 제공된다. 본 발명에 따른 태양전지용 실리콘 기판의 표면처리방법은 실리콘 기판상에 마이크로 피라미드 구조체를 형성하는 마이크로 피라미드 형성단계, 마이크로 피라미드 구조체의 표면에 금속나노입자를 부착시키는 금속나노입자 부착단계, 금속나노입자가 부착된 위치에 나노구조를 형성하는 나노구조 형성단계 및 나노구조를 평탄화시키는 나노구조 평탄화단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01)
출원번호/일자 1020150147757 (2015.10.23)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1718630-0000 (2017.03.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170321) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.10.23)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김근주 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 에스제이테크놀러지 경기도 오산시 독산성로
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-1029777-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0386905-48
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0730299-56
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.07.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0730307-34
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0882571-93
7 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2017.01.06 수리 (Accepted) 7-1-2017-0000770-13
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0120382-97
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.02.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0120395-80
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0140891-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
16 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2021.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2021-5199350-79
17 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.02.28 수리 (Accepted) 4-1-2023-5049578-11
18 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2023-5197067-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판상에 마이크로 피라미드 구조체를 형성하는 마이크로 피라미드 형성단계;상기 마이크로 피라미드 구조체의 표면에 금속나노입자를 부착시키는 금속나노입자 부착단계; 상기 금속나노입자가 부착된 위치에 나노다공성 요철구조로서 나노침상구조를 형성하는 나노구조 형성단계; 및 상기 나노구조를 평탄화시켜 상기 나노침상구조의 입구를 확대시키는 나노구조 평탄화단계;를 포함하는 태양전지용 실리콘 기판의 표면처리방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 마이크로 피라미드 형성단계는, 상기 실리콘 기판 상에 염기성 용액을 이용한 식각공정을 적용하여 수행되고, 상기 염기성 용액을 이용한 식각공정은, 상기 실리콘 기판 상에 KOH 및 NaOH 중 적어도 하나의 염기성 용액 및 이소프로필 알코올을 1
3 3
청구항 1에 있어서,상기 금속나노입자 부착단계는, 상기 마이크로 피라미드 구조체 상에 금속나노입자를 응집시키는 응집방법 또는 상기 마이크로 피라미드 구조체의 표면에 증착시키는 증착방법 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 수행되는 것인 태양전지용 실리콘 기판의 표면처리방법
4 4
청구항 3에 있어서,상기 금속나노입자는 은나노입자이고, 상기 금속나노입자 부착단계는, 질산은 용액을 이용하여 수행되는 것인 태양전지용 실리콘 기판의 표면처리방법
5 5
청구항 3에 있어서,상기 금속나노입자는 은나노입자이고, 상기 금속나노입자 부착단계는, 전자빔 증착장치를 이용하여 상기 마이크로 피라미드 구조체 표면에 상기 은나노입자를 증착하여 수행되는 것인 태양전지용 실리콘 기판의 표면처리방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 금속나노입자 부착단계 후, 상기 부착된 금속나노입자를 진공 열처리하는 단계;를 더 포함하는 것인 태양전지용 실리콘 기판의 표면처리방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 나노구조 형성단계는, 상기 금속나노입자 부착단계 후에, 산성용액을 적용하여 상기 금속나노입자를 촉매로 하여 상기 금속나노입자의 부착위치에서 하측 방향으로 나노구조가 형성되는 것인 태양전지용 실리콘 기판의 표면처리방법
8 8
청구항 1에 있어서,상기 나노구조 평탄화단계는, 상기 실리콘 기판에 염기성 용액을 적용시켜 수행되는 것인 태양전지용 실리콘 기판의 표면처리방법
9 9
표면에 나노구조가 형성된 마이크로 피라미드 구조체를 포함하는 2차 이상 표면처리된 태양전지용 실리콘 기판으로서, 상기 나노구조는 실리콘 기판상에 마이크로 피라미드 구조체를 형성하는 마이크로 피라미드 형성단계; 상기 마이크로 피라미드 구조체의 표면에 금속나노입자를 부착시키는 금속나노입자 부착단계; 상기 금속나노입자가 부착된 위치에 나노다공성 요철구조로서 나노침상구조를 형성하는 나노구조 형성단계; 및 상기 나노구조를 평탄화시켜 상기 나노침상구조의 입구를 확대시키는 나노구조 평탄화단계;가 수행되어 형성되어, 상기 나노구조는 상기 나노구조 평탄화단계에서 입구가 평탄화되고, 상기 마이크로 피라미드 구조체의 하측방향으로 형성된 것인 태양전지용 실리콘 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 광전자정밀(주) 중소기업기술혁신개발 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 나노 텍스쳐링 공정장비 개발