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기판을 준비하고 기판 상에 전도성 나노 입자를 코팅하는 단계;상기 전도성 나노 입자가 코팅된 기판 상에 고분자 필름을 코팅하는 단계;상기 고분자 필름 상에 접착성 테이프를 부착하는 단계; 및상기 기판을 제거하는 단계를 포함하고,상기 기판은 소수성 처리된 기판이고, 상기 고분자 필름은 상기 전도성 나노 입자를 잡아주는 지지대 역할을 하는,접착성 유연 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 나노 입자는 금속 나노 와이어를 포함하는,접착성 유연 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 나노 입자 및 상기 고분자 필름은 스핀 코팅에 의해 코팅되는,접착성 유연 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 필름으로 PMMA(polymethylmethacrylate) 또는 에틸셀룰로오스(Ethylcellulose)가 이용되는,접착성 유연 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판을 제거하는 단계 이후,공기 중에서 건조시키는 단계를 추가로 포함하는,접착성 유연 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항, 및 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따라 제작된, 접착성 유연 투명 전극
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제 1 항, 및 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따라 제작된 접착성 유연 투명 전극을 준비하는 단계; 및퀀텀닷 엘이디(QDLED)의 상부 전극으로 이용하기 위해 상기 접착성 유연 투명 전극을 퀀텀닷 엘이디 소자의 상부에 핫프레싱 방법으로 부착시키는 단계를 포함하는,퀀텀닷 엘이디의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 핫프레싱 방법은 90 내지 110℃의 온도에서, 2 내지 3 MPa에서 20 내지 40초간 수행되는,퀀텀닷 엘이디의 제조 방법
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