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광투과성 기판;
상기 광투과성 기판 상에 형성된 제1 투명 전극;
상기 투명 전극 상에 형성된 PN 접합 반도체층;
상기 PN접합 반도체층 상에 형성된 제2 투명 전극;
을 포함하며,
상기 PN접합 반도체층은 반도체성을 갖는 나노 와이어(nano wire), 나노 튜브(nano tube), 또는 나노 파티클(nano particle)을 포함하는 나노 소재를 포함하며,
상기 제1 투명 전극 및 상기 제2 투명 전극은 탄소나노튜브(CNT)들이 연결된 망상구조를 포함하고,
상기 제1 투명 전극 또는 상기 제2 투명 전극은 상기 PN접합 반도체층과 쇼트키(schottky) 접합으로 연결된 태양 전지
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제1항에 있어서,
상기 PN접합 반도체층은 P형 반도체층을 포함하고, P형 반도체층은 3족 물질 또는 4족 진성 반도체에 P형 물질이 도핑된 물질로 이루어진 태양 전지
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3
제1항에 있어서,
상기 PN접합 반도체층은 N형 반도체층을 포함하고, N형 반도체층은 5족 물질 또는 4족 진성 반도체에 N형 물질이 도핑된 물질로 이루어진 태양 전지
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4
제1항에 있어서,
상기 제1 투명 전극 또는 상기 제2 투명 전극은 탄소나노튜브를 포함하는 태양 전지
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제1항에 있어서,
상기 제1 투명 전극 또는 상기 제2 투명 전극은 금속성 나노 소재를 포함하는 태양 전지
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제1항에 있어서,
상기 PN접합 반도체층은 반도체성 탄소나노튜브를 포함하는 태양 전지
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제1항에 있어서,
상기 나노 파티클은 양자점을 포함하는 태양 전지
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제1항에 있어서,
상기 제1 투명 전극 또는 상기 제2 투명 전극은 복수 개로 이루어져 이격 배치되고, 상기 제1 투명 전극 또는 상기 제2 투명 전극 사이에는 반사방지막이 형성된 태양 전지
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제1항에 있어서,
상기 제1 투명 전극과 상기 제2 투명 전극에 전기적으로 연결되어 충전과 방전을 되풀이하는 축전부를 포함하는 태양 전지
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제1항에 있어서,
상기 PN접합 반도체층은 P형 반도체층과 N형 반도체층을 포함하고, 상기 P형 반도체층 또는 상기 N형 반도체층은 복수 개의 층으로 이루어지고, 각 층은 빛에 반응하는 파장대가 상이한 나노 소재로 이루어진 태양 전지
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광투과성 기판 준비 단계;
상기 광투과성 기판 상에 제1 투명 전극을 형성하는 제1 투명 전극 형성 단계;
상기 제1 투명 전극 상에 PN접합 반도체층을 형성하는 PN접합 반도체층 형성 단계;
상기 PN접합 반도체층 상에 제2 투명 전극을 형성하는 제2 투명 전극 형성 단계
를 포함하고,
상기 PN접합 반도체층은 반도체성을 갖는 나노 와이어(nano wire), 나노 튜브(nano tube), 또는 나노 파티클(nano particle)을 포함하는 나노 소재를 포함하며,
상기 제1 투명 전극 및 상기 제2 투명 전극은 탄소나노튜브(CNT)들이 연결된 망상구조를 포함하는 투명한 막으로 이루어지며,
상기 제1 투명 전극 또는 상기 제2 투명 전극을 상기 PN접합 반도체층과 쇼트키 접합시키는 단계를 더 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제12항에 있어서,
상기 PN접합 반도체층 형성 단계는 상기 나노 소재의 페르미 준위 조절 단계를 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제12항에 있어서,
상기 PN접합 반도체층 형성 단계는 상기 나노 소재의 밴드 갭을 조절하는 단계를 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제12항에 있어서,
상기 PN접합 반도체층은 반도체성을 갖는 탄소나노튜브를 포함하고, 상기 PN접합 반도체층 형성 단계는 금속성을 갖는 탄소나노튜브와 반도체성을 갖는 탄소나노튜브를 분리하는 단계를 포함하는 태양 전지 제조 방법
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