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광에너지에 의한 자가충전형 이차전지

  • 기술번호 : KST2015124402
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 빛 발전용 전극기능과 발전된 전기에너지를 충전 및 방전할 수 있는 전극 기능을 하나의 전지구조로 일체화시키고 빛 발전형 전극과 에너지 충전 전극의 전위차를 연계적으로 제어함으로써, 광에너지의 변환 효율을 극대화하고, 셀의 에너지 이용률을 상승시키며, 전지의 수명을 연장시킬 수 있는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지에 대한 것이다. 이를 위해, 빛을 투과시키는 투명전극; 상기 투명전극 위에 형성되어 입사된 빛에 의해 전류를 발생시키는 PN반도체층; 상기 PN반도체층 위에 형성되어 상기 발생된 전류를 충전하는 이차전지층; 을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지를 제공한다. 자가충전형, 이차전지, 빛 발전형 전극, 전기 에너지 충전 전극, PN반도체, 고체 전해질, 광 에너지, 전위차, 산화환원.
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/053 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020070092928 (2007.09.13)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0934956-0000 (2009.12.23)
공개번호/일자 10-2009-0027827 (2009.03.18) 문서열기
공고번호/일자 (20100106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.13)
심사청구항수 47

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이중기 대한민국 서울 강남구
2 조병원 대한민국 서울 은평구
3 정경윤 대한민국 서울 성북구
4 김형선 대한민국 서울 강서구
5 김일두 대한민국 서울 동작구
6 전찬욱 대한민국 서울 중랑구
7 김용상 대한민국 경기 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 채종현 경기도 남양주시 호평로
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0663340-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0041597-62
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0103426-34
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0282006-23
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.05.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0282005-88
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2009.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0346901-08
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2009-0640746-99
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0640748-80
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0640709-10
11 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0463520-72
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
14 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent		 2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
빛을 투과시키는 투명전극; 상기 투명전극 위에 형성되어 입사된 빛에 의해 전류를 발생시키는 PN반도체층; 상기 PN반도체층 위에 형성되어 상기 발생된 전류를 충전하는 이차전지층; 을 포함하여 구성되되, 상기 이차전지층의 에너지밴드는 n형반도체보다는 작고 p형반도체보다는 큰 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 PN반도체층은, 상기 투명전극 위에 형성된 P형 반도체 및 상기 P형 반도체 위에 형성된 N형 반도체를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 이차전지층은, 상기 N형 반도체 위에 형성된 이차전지 음극, 상기 이차전지 음극 위에 형성된 고분자전해질층, 상기 고분자전해질층 위에 형성된 이차전지 양극, 상기 이차전지 양극 위에 형성된 전류집전체를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 P형 반도체 및 N형 반도체는 Cu(InGa)Se2(P형) - ZnO(N형), Cu(InGa)Se2(P형) - ZnS(N형), Cu(InGa)Se2(P형) - ZnSe(N형), Cu(InGa)Se2(P형)-InSe(N형), CdSe(N형)-In(OH,S)(P형)의 조합 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
5 5
청구항 3에 있어서, 상기 이차전지 음극의 소재는 LiMyFe1-yPO4, V2O5, LiV3O8, LiCoVPO4, LiM'zCo1-zO2, LiCoaNibMncO2 (a+b+c=1), LiM'zNi1-zO2 중 어느 하나이며, 상기 이차전지 양극의 소재는 Li1-xM'zCo1-zO2 Li1-xCoaNibMncO2 (a+b+c=1), Li1-xM'zMn2-zO4, Li1-xM'zNi1-zO2, LiMyFe1-yPO4 (a+b+c=1)(단, M은 금속 양이온) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 이차전지 음극의 소재로서 상기 나열된 음극 소재의 복합물을 사용하거나, 상기 이차전지 양극의 소재로서 상기 나열된 양극 소재의 복합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
7 7
청구항 3에 있어서, 상기 N형 반도체인 ZnO와 상기 이차전지 음극은 3차원 구조로 인터록킹 되어있는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
8 8
청구항 3에 있어서, 상기 N형 반도체인 ZnO와 상기 이차전지 음극은 분자나노구조로 복합화되어 있는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
9 9
청구항 4 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명전극은 경질의 기판 또는 연성 기판 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 경질의 기판은 유리, 스테인레스 기판 중 어느 하나이며, 상기 연성 기판은 PI, PES, PET, PEN 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
11 11
청구항 4 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자전해질층은 리튬염을 포함한 액체 전해질, 전도성 폴리머 전해질, 이온성 액체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
12 12
청구항 4 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명전극은 상기 P형 반도체와 오믹접합을 형성할 수 있는 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
13 13
청구항 1에 있어서, 상기 PN반도체층은, 상기 투명전극 위에 형성된 N형 반도체 및 상기 N형 반도체 위에 형성된 P형 반도체를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 이차전지층은, 상기 P형 반도체 위에 형성된 이차전지 양극, 상기 이차전지 양극 위에 형성된 고분자전해질층, 상기 고분자전해질층 위에 형성된 이차전지 음극, 상기 이차전지 음극 위에 형성된 전류집전체를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
15 15
청구항 13에 있어서, 상기 P형 반도체 및 N형 반도체는 Cu(InGa)Se2(P형) - ZnO(N형), Cu(InGa)Se2(P형) - ZnS(N형), Cu(InGa)Se2(P형) - ZnSe(N형), Cu(InGa)Se2(P형)-InSe(N형), CdSe(N형)-In(OH,S)(P형)의 조합 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
16 16
청구항 14에 있어서, 상기 이차전지 음극의 소재는 LiMyFe1-yPO4, V2O5, LiV3O8, LiCoVPO4, LiM'zCo1-zO2, LiCoaNibMncO2 (a+b+c=1), LiM'zNi1-zO2 중 어느 하나이며, 상기 이차전지 양극의 소재는 Li1-xM'zCo1-zO2 Li1-xCoaNibMncO2 (a+b+c=1), Li1-xM'zMn2-zO4, Li1-xM'zNi1-zO2, LiMyFe1-yPO4 (단, M은 금속 양이온) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
17 17
청구항 16에 있어서, 상기 이차전지 음극의 소재로서 상기 나열된 음극 소재의 복합물을 사용하거나, 상기 이차전지 양극의 소재로서 상기 나열된 양극 소재의 복합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
18 18
삭제
19 19
삭제
20 20
청구항 15 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명전극은 경질의 기판 또는 연성 기판상에 형성되는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
21 21
청구항 20에 있어서, 상기 경질의 기판은 유리, 스테인레스 기판 중 어느 하나이며, 상기 연성 기판은 PI, PES, PET, PEN 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
22 22
청구항 14에 있어서, 상기 고분자전해질층은 리튬염을 포함한 액체 전해질, 전도성 폴리머 전해질, 이온성 액체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
23 23
청구항 14에 있어서, 상기 투명전극은 상기 N형 반도체와 오믹접합을 형성할 수 있는 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지
24 24
(a) 기판 위에 투명전극을 형성하는 단계; (b) 상기 투명전극 위에 PN반도체층을 형성하는 단계; (c) 상기 PN반도체층 위에 이차전지층을 형성하는 단계; 를 포함하여 구성되되, 상기 이차전지층의 에너지밴드는 n형반도체보다는 작고 p형반도체보다는 큰 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
25 25
청구항 24에 있어서, 상기 (b) 단계는, (b-1) 상기 투명전극 위에 P형 반도체를 형성하는 단계; (b-2) 상기 P형 반도체 위에 N형 반도체를 형성하는 단계; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
26 26
청구항 25에 있어서, 상기 (c) 단계는, (c-1) 상기 N형 반도체 위에 이차 전지 음극을 형성하는 단계; (c-2) 상기 이차 전지 음극 위에 고분자전해질층을 형성하는 단계; (c-3) 상기 고분자전해질층 위에 이차 전지 양극을 형성하는 단계; (c-4) 상기 이차 전지 양극 위에 전류집전체를 형성하는 단계; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
27 27
청구항 25에 있어서, 상기 P형 반도체 및 N형 반도체는 Cu(InGa)Se2(P형) - ZnO(N형), Cu(InGa)Se2(P형) - ZnS(N형), Cu(InGa)Se2(P형) - ZnSe(N형), Cu(InGa)Se2(P형)-InSe(N형), CdSe(N형)-In(OH,S)(P형)의 조합 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
28 28
청구항 26에 있어서, 상기 이차전지 음극의 소재는 LiMyFe1-yPO4, V2O5, LiV3O8, LiCoVPO4, LiM'zCo1-zO2, LiCoaNibMncO2 (a+b+c=1), LiM'zNi1-zO2 중 어느 하나이며, 상기 이차전지 양극의 소재는 Li1-xM'zCo1-zO2 Li1-xCoaNibMncO2 (a+b+c=1), Li1-xM'zMn2-zO4, Li1-xM'zNi1-zO2, LiMyFe1-yPO4 (단, M은 금속 양이온) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
29 29
청구항 28에 있어서, 상기 이차전지 음극의 소재로서 상기 나열된 음극 소재의 복합물을 사용하거나, 상기 이차전지 양극의 소재로서 상기 나열된 양극 소재의 복합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
30 30
청구항 26에 있어서, 상기 (b-2) 단계는, 고분자 템플레이팅 기술을 이용하여 상기 N형 반도체의 비표면적을 증대시키는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
31 31
청구항 30에 있어서, 상기 (b-2) 단계는, 고분자 비드(Beads)를 분산 및 건조하는 단계; 상기 N형 반도체 재료를 증착하는 단계; 상기 고분자 비드를 열처리하여 분해하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
32 32
청구항 26에 있어서, 상기 (b-2) 단계는, 전기방사법을 이용하여 상기 N형 반도체인 ZnO의 비표면적을 증대시키는 단계를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
33 33
청구항 32에 있어서, 상기 전기방사법을 이용하여 상기 N형 반도체인 ZnO의 비표면적을 증대시키는 단계는, 전기방사법에 의하여 N형 반도체 재료의 나노파이버를 제조하는 단계; 상기 나노파이버를 열압착 하여 트위스트된 구조를 얻는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
34 34
청구항 26에 있어서, 상기 (b-2) 단계는, 수용액 공침법을 이용하여 상기 N형 반도체인 ZnO와 상기 이차전지 음극을 분자나노구조로 복합화하는 단계를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
35 35
청구항 24 내지 청구항 34 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (a) 단계의 기판은 경질의 기판 또는 연성 기판인 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
36 36
청구항 35에 있어서, 상기 경질의 기판은 유리, 스테인레스 기판 중 어느 하나이며, 상기 연성 기판은 PI, PES, PET, PEN 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
37 37
청구항 26 내지 청구항 34 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자전해질층은 리튬염을 포함한 액체 전해질, 전도성 폴리머 전해질, 이온성 액체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
38 38
청구항 26 내지 청구항 34 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명전극은 상기 P형 반도체와 오믹접합을 형성할 수 있는 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
39 39
청구항 24에 있어서, 상기 (b) 단계는, (b-1) 상기 투명전극 위에 N형 반도체를 형성하는 단계; (b-2) 상기 N형 반도체 위에 P형 반도체를 형성하는 단계; 를 포함하여 구성되되, 상기 이차전지층의 에너지밴드는 n형반도체보다는 작고 p형반도체보다는 큰 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
40 40
청구항 39에 있어서, 상기 (c) 단계는, (c-1) 상기 P형 반도체 위에 이차 전지 양극을 형성하는 단계; (c-2) 상기 이차 전지 양극 위에 고분자전해질층을 형성하는 단계; (c-3) 상기 고분자전해질층 위에 이차 전지 음극을 형성하는 단계; (c-4) 상기 이차 전지 음극 위에 전류집전체를 형성하는 단계; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
41 41
청구항 39에 있어서, 상기 P형 반도체 및 N형 반도체는 Cu(InGa)Se2(P형) - ZnO(N형), Cu(InGa)Se2(P형) - ZnS(N형), Cu(InGa)Se2(P형) - ZnSe(N형), Cu(InGa)Se2(P형)-InSe(N형), CdSe(N형)-In(OH,S)(P형)의 조합 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
42 42
청구항 40에 있어서, 상기 이차전지 음극의 소재는 LiMyFe1-yPO4, V2O5, LiV3O8, LiCoVPO4, LiM'zCo1-zO2, LiCoaNibMncO2 (a+b+c=1), LiM'zNi1-zO2 중 어느 하나이며, 상기 이차전지 양극의 소재는 Li1-xM'zCo1-zO2 Li1-xCoaNibMncO2 (a+b+c=1), Li1-xM'zMn2-zO4, Li1-xM'zNi1-zO2, LiMyFe1-yPO4 (단, M은 금속 양이온) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
43 43
청구항 42에 있어서, 상기 이차전지 음극의 소재로서 상기 나열된 음극 소재의 복합물을 사용하거나, 상기 이차전지 양극의 소재로서 상기 나열된 양극 소재의 복합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
44 44
청구항 40에 있어서, 상기 (b-2) 단계는, 고분자 템플레이팅 기술을 이용하여 상기 P형 반도체의 비표면적을 증대시키는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
45 45
청구항 44에 있어서, 상기 (b-2) 단계는, 고분자 비드(Beads)를 분산 및 건조하는 단계; 상기 P형 반도체 재료를 증착하는 단계; 상기 고분자 비드를 열처리하여 분해하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
46 46
삭제
47 47
삭제
48 48
삭제
49 49
청구항 39 내지 청구항 45 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (a) 단계의 기판은 경질의 기판 또는 연성 기판인 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
50 50
청구항 49에 있어서, 상기 경질의 기판은 유리, 스테인레스 기판 중 어느 하나이며, 상기 연성 기판은 PI, PES, PET, PEN 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
51 51
청구항 39 내지 청구항 45 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자전해질층은 리튬염을 포함한 액체 전해질, 전도성 폴리머 전해질, 이온성 액체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
52 52
청구항 39 내지 청구항 45 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명전극은 상기 N형 반도체와 오믹접합을 형성할 수 있는 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 광에너지에 의한 자가충전형 이차전지 제조 방법
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1 JP21071262 JP 일본 FAMILY
2 US08729382 US 미국 FAMILY
3 US20090072780 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2009071262 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2009072780 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US8729382 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.