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화합물 반도체 소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2023001639
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 화합물 반도체 소자는 유전층의 상부면 상에 순차적으로 적층된 제1 내지 제4 반도체층; 상기 제3 반도체층과 제4반도체층 내부에 형성된 제1 고농도 도핑영역들; 상기 제1 고농도 도핑영역들 상에 각각 형성된 제1 메탈 접합 전극들; 상기 제1 메탈 접합 전극들 사이의 상기 제4 반도체층 상에 형성된 전하 저장층들; 상기 제1 메탈 접합 전극들 상에 형성된 제1 금속 배선; 상기 전하 저장층들 사이의 상기 제4 반도체층 및 상기 전하 저장층들 상에 형성되는 상부 게이트 전극; 상기 제1 금속 배선과 상기 상부 게이트 전극 상에 형성된 제2 금속 배선; 상기 제1 고농도 도핑영역들 하부에 형성되고, 상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층 내부에 형성된 제2 고농도 도핑 영역들; 상기 제2 고농도 도핑 영역들 상에 각각 형성된 제2 메탈 접합 전극들; 상기 제1 유전층의 하부면 상에 형성된 하부 게이트 전극; 상기 제2 메탈 접합 전극들 상에 형성된 제3 금속배선; 및 상기 제3 금속배선 및 하부 게이트 전극 상에 형성된 제4 금속 배선을 포함한다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자 1020220035828 (2022.03.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0111122 (2023.07.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020220006656   |   2022.01.17
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장성재 대전광역시 유성구
2 김성일 대전광역시 유성구
3 김해천 대전광역시 유성구
4 노윤섭 대전광역시 유성구
5 안호균 대전광역시 유성구
6 이상흥 대전광역시 유성구
7 임종원 대전광역시 유성구
8 정현욱 대전광역시 유성구
9 최일규 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인지명 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로**** 차우빌딩*층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2022-0311802-69
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번호 청구항
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유전층의 상부면 상에 순차적으로 적층된 제1 내지 제4 반도체층;상기 제3 반도체층과 제4반도체층 내부에 형성된 제1 고농도 도핑영역들; 상기 제1 고농도 도핑영역들 상에 각각 형성된 제1 메탈 접합 전극들;상기 제1 메탈 접합 전극들 사이의 상기 제4 반도체층 상에 형성된 전하 저장층들;상기 제1 메탈 접합 전극들 상에 형성된 제1 금속 배선;상기 전하 저장층들 사이의 상기 제4 반도체층 및 상기 전하 저장층들 상에 형성되는 상부 게이트 전극;상기 제1 금속 배선과 상기 상부 게이트 전극 상에 형성된 제2 금속 배선;상기 제1 고농도 도핑영역들 하부에 형성되고, 상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층 내부에 형성된 제2 고농도 도핑 영역들; 상기 제2 고농도 도핑 영역들 상에 각각 형성된 제2 메탈 접합 전극들; 상기 제1 유전층의 하부면 상에 형성된 하부 게이트 전극;상기 제2 메탈 접합 전극들 상에 형성된 제3 금속배선; 및상기 제3 금속배선 및 하부 게이트 전극 상에 형성된 제4 금속 배선을 포함하는 화합물 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자통신연구원 2021년도브릿지연구개발사업 질화갈륨 반도체를 사용한 위성통신용 내방사선 송수신 MMIC 국산화 기술 개발