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반도체 소자, 표시 패널, 및 그들을 포함하는 표시 장치

  • 기술번호 : KST2023001799
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자, 표시 패널, 및 그들을 포함하는 표시 장치를 개시한다. 그의 소자는 기판의 일측 상의 하부 전극과, 상기 기판의 타측 상의 스페이서와, 상기 스페이서 상의 중부 전극과, 상기 스페이서의 측벽, 상기 중부 전극, 및 상기 하부 전극의 일부 상의 하부 채널 층과, 상기 하부 채널 층 상의 하부 게이트 절연 층과, 상기 게이트 절연 층 상의 공통 게이트 전극과, 상기 공통 게이트 전극 상의 상부 게이트 절연 층과, 상기 스페이서 및 상기 중부 전극의 상기 상부 게이트 절연 층 상의 상부 전극과, 상기 상부 전극에 연결되고, 상기 상부 게이트 절연 층의 측벽 상에 배치된 상부 채널 층과, 상기 상부 채널 층의 일부에 연결되고, 상기 공통 게이트 전극 외곽의 상기 하부 게이트 절연 층 및 상기 상부 게이트 절연 층을 관통하여 상기 하부 전극에 연결되는 콘택 전극을 포함한다.
Int. CL H10K 59/00 (2023.01.01) H10K 50/80 (2023.01.01) G09G 3/3266 (2016.01.01) G09G 3/3275 (2016.01.01) H01L 27/12 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC H10K 59/1213(2013.01) H10K 59/124(2013.01) H10K 59/123(2013.01) H10K 50/805(2013.01) H10K 50/8428(2013.01) H10K 59/131(2013.01) G09G 3/3266(2013.01) G09G 3/3275(2013.01) H01L 27/1237(2013.01) H01L 27/1225(2013.01) H01L 27/1251(2013.01) H01L 29/78696(2013.01)
출원번호/일자 1020220110739 (2022.09.01)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-2521257-0000 (2023.04.10)
공개번호/일자 10-2023-0040273 (2023.03.22) 문서열기
공고번호/일자 (20230417) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020210122688   |   2021.09.14
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.09.01)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양종헌 대전광역시 유성구
2 강승열 대전광역시 유성구
3 김용해 대전광역시 유성구
4 김희옥 대전광역시 유성구
5 나제호 대전광역시 유성구
6 문제현 대전광역시 유성구
7 박찬우 대전광역시 유성구
8 오힘찬 대전광역시 유성구
9 조성목 대전광역시 유성구
10 조성행 대전광역시 유성구
11 최지훈 대전광역시 유성구
12 피재은 대전광역시 유성구
13 황치선 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2022-0921293-15
2 [우선심사신청]심사청구서·우선심사신청서
2022.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2022-0923137-47
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2022.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0829807-93
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2022.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-1409763-19
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2022.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2022-1409762-74
6 등록결정서
Decision to grant
2023.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2023-0211751-97
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 일측 상의 하부 전극;상기 하부 전극의 일부 및 상기 기판의 타측 상의 스페이서;상기 스페이서 상의 중부 전극;상기 스페이서의 측벽, 상기 중부 전극, 및 상기 하부 전극의 일부 상의 하부 채널 층;상기 하부 채널 층 상의 하부 게이트 절연 층;상기 하부 채널 층에 대응되는 상기 하부 게이트 절연 층 상의 공통 게이트 전극;상기 스페이서 및 상기 하부 전극 상부의 상기 하부 게이트 절연 층 상에 제공되고, 상기 공통 게이트 전극 상에 제공되는 상부 게이트 절연 층; 상기 스페이서 상부의 상기 상부 게이트 절연 층 상에 제공되는 상부 전극;상기 상부 전극에 연결되고, 상기 상부 게이트 절연 층의 측벽 상에 배치된 상부 채널 층; 및상기 상부 채널 층의 일부에 연결되고, 상기 공통 게이트 전극 외곽의 상기 하부 게이트 절연 층 및 상기 상부 게이트 절연 층을 관통하여 상기 하부 전극에 연결되는 콘택 전극을 포함하는 반도체 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 하부 채널 층, 상기 하부 게이트 절연 층, 및 상기 공통 게이트 전극은 n형 박막 트랜지스터인 반도체 소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 상부 채널 층, 상기 상부 게이트 절연 층, 및 상기 공통 게이트 전극은 p형 박막 트랜지스터인 반도체 소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 하부 게이트 절연 층은 상기 상부 게이트 절연 층보다 두꺼운 반도체 소자
5 5
제 1 항에 있어서,상기 중부 전극은 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극의 두께와 다른 두께를 갖는 반도체 소자
6 6
제 5 항에 있어서,상기 중부 전극은 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극보다 두꺼운 반도체 소자
7 7
제 1 항에 있어서,상기 중부 전극과 상기 하부 게이트 절연 층 사이에 제공되는 상부 스페이서; 및상기 상부 스페이서와 상기 하부 게이트 절연 층 사이의 추가 전극을 더 포함하는 반도체 소자
8 8
제 1 항에 있어서,상기 공통 게이트 전극은 상기 하부 채널 층 및 상기 상부 채널 층보다 넓은 반도체 소자
9 9
제 1 항에 있어서,상기 스페이서의 측벽과 상기 하부 채널 층 사이의 하부 버퍼 스페이서; 및상기 상부 채널 층의 측벽 상의 상부 버퍼 스페이서를 더 포함하는 반도체 소자
10 10
제 1 항에 있어서,상기 스페이서는 상기 하부 전극보다 두꺼운 반도체 소자
11 11
기판의 일측 상의 데이터 라인;상기 기판의 타측 상의 전원 전극;상기 데이터 라인 및 상기 전원 전극 사이의 상기 기판 상의 스페이서;상기 스페이서 상의 중부 전극;상기 스페이서의 일측 측벽을 따라 상기 중부 전극 및 상기 데이터 라인을 연결하는 하부 채널 층;상기 하부 채널 층, 상기 중부 전극, 상기 데이터 라인, 및 상기 전원 전극 상의 하부 게이트 절연 층;상기 스페이서의 일측 측벽의 상기 하부 게이트 절연 층 상의 스캔 라인; 상기 스페이서의 타측 측벽의 상기 하부 게이트 절연 층 상의 구동 게이트 전극;상기 스캔 라인 및 상기 구동 게이트 전극 상의 상부 게이트 절연 층;상기 스페이서의 상기 상부 게이트 절연 층 상의 상부 전극;상기 상부 전극에 연결되고, 상기 스페이서의 타측 측벽의 상기 상부 게이트 절연 층 상에 배치되는 상부 채널 층;상기 상부 채널 층에 연결되고, 상기 하부 게이트 절연 층 및 상기 상부 게이트 절연 층을 관통하여 상기 전원 전극에 연결되는 콘택 전극;상기 콘택 전극, 상기 상부 채널 층, 상기 상부 게이트 절연 층 상의 제 1 층간 절연 층;상기 제 1 층간 절연 층 상에 제공되고, 상기 제 1 층간 절연 층을 관통하여 상기 상부 전극에 연결되는 애노드;상기 애노드의 양측 가장자리 및 상기 제 1 층간 절연 층 상의 제 2 층간 절연 층;상기 애노드 및 상기 제 2 층간 절연 층 상의 발광 층; 및상기 발광 층 상의 캐소드를 포함하는 표시 패널
12 12
제 11 항에 있어서,상기 스캔 라인은 상기 하부 채널 층의 길이보다 긴 길이를 갖는 표시 패널
13 13
제 11 항에 있어서,상기 상부 채널 층은 상기 구동 게이트 전극의 길이 보다 짧은 길이를 갖는 표시 패널
14 14
제 11 항에 있어서,상기 구동 게이트 전극은 상기 하부 게이트 절연 층을 관통하여 상기 중부 전극에 연결되는 표시 패널
15 15
제 11 항에 있어서,상기 캐소드 상의 보호 층을 더 포함하는 표시 패널
16 16
표시 패널; 및상기 표시 패널 가장자리에 연결되어 상기 표시 패널을 제어하는 스캔 신호 및 데이터 신호를 제공하는 반도체 소자를 구비한 구동 회로를 포함하되,상기 반도체 소자는:제 1 기판의 일측 상의 하부 전극;상기 하부 전극의 일부 및 상기 제 1 기판의 타측 상의 스페이서;상기 스페이서 상의 중부 전극;상기 스페이서의 측벽, 상기 중부 전극, 및 상기 하부 전극의 일부 상의 하부 채널 층;상기 하부 채널 층 상의 하부 게이트 절연 층;상기 하부 채널 층에 대응되는 상기 하부 게이트 절연 층 상의 공통 게이트 전극;상기 공통 게이트 전극 상의 상부 게이트 절연 층; 상기 스페이서 및 상기 중부 전극의 상기 상부 게이트 절연 층 상의 상부 전극;상기 상부 전극에 연결되고, 상기 상부 게이트 절연 층의 측벽 상에 배치된 상부 채널 층; 및상기 상부 채널 층의 일부에 연결되고, 상기 공통 게이트 전극 외곽의 상기 하부 게이트 절연 층 및 상기 상부 게이트 절연 층을 관통하여 상기 하부 전극에 연결되는 콘택 전극을 포함하는 표시 장치
17 17
제 16 항에 있어서,상기 반도체 소자는 인버터 회로를 포함하는 표시 장치
18 18
제 16 항에 있어서,상기 표시 패널은:제 2 기판 상에 일 방향으로 연장하는 데이터 라인; 및상기 데이터 라인에 교차하는 스캔 라인을 포함하되,상기 반도체 소자는 상기 스캔 라인에 연결되는 표시 장치
19 19
제 16 항에 있어서,상기 구동 회로는:상기 표시 패널의 일측 가장자리에 연결되는 스캔 구동 회로; 및상기 스캔 구동 회로와 교차하여 배열되는 데이터 구동 회로를 포함하는 표시 장치
20 20
제 19 항에 있어서,상기 스캔 구동 회로는 상기 반도체 소자를 포함하는 표시 장치
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1 과학기술정보통신부 한국전자통신연구원 나노소재기술개발 초고해상도/초유연 TFT 소재평가 플랫폼 구축 및 백플레인 기술 개발