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기판; 및상기 기판 상부에 배치되는 반도체층을 포함하고,상기 반도체층은 박막 성장 공정 단계에서 스퍼터링 방식에 추가 에너지가 공급됨으로써 증착되고,상기 추가 에너지는,이온빔, 전자빔, 플라즈마, 자외선, 레이저, 및 LED광원 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는반도체 기판
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제1항에 있어서,상기 기판은 유리 기판이고,상기 반도체층은 단일 결정면을 가지는 질화물 반도체층이고,상기 반도체층은 상기 추가 에너지로 상기 이온빔이 사용되는 이온빔 스퍼터링에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는,반도체 기판
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제2항에 있어서,상기 이온빔 스퍼터링에는 헬륨(He), 네온(Ne), 알곤(Ar), 크립톤(Kr), 제논(Xe), 라돈(Rn), 수소(H2), 산소(O2), 질소(N2), 염소(Cl2), 암모니아(NH3) 중 적어도 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는반도체 기판
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제2항에 있어서,상기 이온빔 스퍼터링에 사용되는 스퍼터링 타겟은 갈륨(Ga) 또는 갈륨 질화물(GaN) 등을 포함하는 것을 특징으로 하는반도체 기판
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제2항에 있어서,상기 반도체층은,상기 박막 성장 공정 단계에서 증착 온도가 600도(℃) 이하인 것을 특징으로 하는반도체 기판
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제1항에 있어서,상기 기판은,비정질 기판 및 다결정 기판 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는반도체 기판
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제6항에 있어서,상기 기판은,유리 기판, 쿼츠 기판, 스테인리스 스틸 기판, 및 고분자 기판 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는반도체 기판
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제1항에 있어서,상기 반도체층은,다결정, 마이크로결정, 및 나노결정 중 어느 하나의 결정구조를 가지는 실리콘 반도체층인 것을 특징으로 하는,반도체 기판
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제1항에 있어서,상기 반도체층은,InGaZnO 기반의 산화물 반도체층인 것을 특징으로 하는,반도체 기판
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제1항에 있어서,상기 반도체층은,CuInSe2 기반 1-3-5족 화합물 반도체층인 것을 특징으로 하는,반도체 기판
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제1항에 있어서,상기 기판과 상기 반도체층 사이에 배치되고, 알루미늄 질화물 및 아연 산화물로 중 적어도 하나로 구성되는 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판
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기판의 상부에 스퍼터링 방식으로 단일 결정면을 가지는 질화물 반도체층을 성장시키는 박막 증착부; 및상기 기판에 이온빔, 전자빔, 플라즈마, 자외선, 레이저, 및 LED광원 중 적어도 하나의 추가 에너지를 공급하는 에너지 공급부를 포함하고,상기 에너지 공급부는,상기 박막 증착부가 상기 기판의 상부에 상기 질화물 반도체층을 성장시키는 동시에 상기 기판에 상기 추가 에너지를 공급하는 것을 특징으로 하는반도체 박막 증착 장치
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