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반도체 기판 상에 대상막을 제공하고,상기 대상막과 대향하는 복수의 연마 돌기들을 포함하는 연마 패드를 이용하여, 상기 대상막에 대한 화학적 기계적 연마 공정을 수행하는 것을 포함하되,각각의 상기 연마 돌기들은 돌출부 및 상기 돌출부의 표면을 덮는 표면층을 포함하고,상기 돌출부는 상기 표면층보다 탄성적이고,상기 표면층은 상기 돌출부보다 경성인, 반도체 소자의 제조 방법
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복수의 돌출부들을 포함하는 베이스층; 및각각의 상기 돌출부들의 표면을 덮는 표면층을 포함하되,상기 돌출부는 상기 표면층보다 탄성적이고,상기 표면층은 상기 돌출부보다 경성인, 연마 패드
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제 2항에 있어서,상기 돌출부의 탄성 계수는 상기 표면층의 탄성 계수보다 큰, 연마 패드
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제 2항에 있어서,상기 표면층의 쇼어 경도는 상기 돌출부의 쇼어 경도보다 큰, 연마 패드
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제 2항에 있어서,상기 표면층은 상기 베이스층의 표면을 따라 컨포멀하게 연장되는, 연마 패드
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제 2항에 있어서,상기 돌출부는 제1 폴리우레탄을 포함하고, 상기 표면층은 상기 제1 폴리우레탄보다 경성인 제2 폴리우레탄을 포함하는, 연마 패드
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제 6항에 있어서,상기 제1 폴리우레탄은 폴리에테르계 폴리우레탄을 포함하고,상기 제2 폴리우레탄은 폴리에스테르계 폴리우레탄을 포함하는, 연마 패드
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제 2항에 있어서,상기 베이스층은 복수의 기공(pore)들을 포함하는, 연마 패드
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제 2항에 있어서,상기 베이스층을 지지하는 지지층을 더 포함하되,상기 지지층은 상기 베이스층보다 연성인, 연마 패드
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회전 가능한 플레이튼;상기 플레이튼 상에 웨이퍼를 제공하는 연마 헤드 어셈블리;상기 플레이튼 상에 배치되며, 상기 웨이퍼와 대향하는 복수의 연마 돌기들을 포함하는 연마 패드; 및상기 웨이퍼와 상기 연마 패드 사이에 연마용 슬러리를 제공하는 슬러리 공급부를 포함하되,각각의 상기 연마 돌기들은 돌출부 및 상기 돌출부의 표면을 덮는 표면층을 포함하고,상기 돌출부는 상기 표면층보다 탄성적이고,상기 표면층은 상기 돌출부보다 경성인, 화학적 기계적 연마 장치
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