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섬유 기판;상기 섬유 기판의 상부에 배치된 폴리비닐 알코올(PVA) 평탄화층;상기 평탄화층의 상부에서 일정 간격으로 이격되어 배치된 소스 전극과 드레인 전극;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극이 위치하는 평탄화층의 상부에 배치된 활성층;상기 활성층의 상부에 배치된 적층 구조의 게이트 절연층; 및상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 채널 영역에 대응되며 상기 게이트 절연층의 상부에 배치된 게이트 전극을 포함하는 섬유형 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 평탄화층의 상부에 배치된 접착층을 더 포함하는 섬유형 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 섬유 기판은 단면이 원형 또는 타원형의 형태를 갖는 단일 가닥의 모노 필라멘트 섬유로 이루어진 섬유형 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 평탄화층은 폴리비닐 알코올 용액에 상기 섬유 기판을 담궜다가 일정한 속도로 빼는 딥 코팅 과정으로 형성되는 섬유형 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 금속, 탄소 나노소재 또는 전도성 고분자로 이루어진 섬유형 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 활성층은 고분자 또는 단분자 기반의 유기물 반도체, 금속 산화물 반도체, 및 탄소 나노소재 반도체 중 적어도 하나로 이루어진 섬유형 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 게이트 절연층은 산화 알루미늄(Al2O3)과 산화 마그네슘(MgO)이 교대로 증착된 구조를 갖는 섬유형 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 금속, 전도성 고분자, 및 탄소 나노소재 중 적어도 하나로 이루어진 섬유형 박막 트랜지스터
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섬유 기판의 상부에 폴리비닐 알코올(PVA) 평탄화층을 형성하는 단계;상기 평탄화층의 상부에 일정 간격으로 이격된 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극이 형성된 평탄화층의 상부에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층의 상부에 라미네이트 적층 구조의 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 채널 영역에 대응되도록, 상기 게이트 절연층의 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 섬유형 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 평탄화층의 상부에 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 섬유형 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 접착층을 형성하는 단계는, 원자층 증착 방법을 통해 형성하는 단계인 섬유형 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 평탄화층을 형성하는 단계는, 폴리비닐 알코올(PVA)이 함유된 폴리비닐 알코올 용액에 상기 섬유 기판을 담궜다가 일정한 속도로 빼는 과정을 반복하되, 상기 폴리비닐 알코올 용액 내에 상기 섬유 기판을 일정 시간동안 유지하는 단계인 섬유형 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제12 항에 있어서, 상기 평탄화층을 형성하는 단계는, 분당 30 내지 50 mm 의 이동 속도로 상기 섬유 기판을 상기 폴리비닐 알코올 용액에 담그는 과정을 1 내지 5회 반복하되, 상기 섬유 기판을 상기 폴리비닐 알코올 용액 내에서 20 내지 40초 동안 유지하는 단계인 섬유형 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제12 항에 있어서, 상기 평탄화층을 형성하는 단계는, 분당 40 mm 의 이동 속도로 상기 섬유 기판을 상기 폴리비닐 알코올 용액에 담그는 과정을 3회 반복하되, 상기 섬유 기판을 상기 폴리비닐 알코올 용액 내에서 30초 동안 유지하는 과정을 통해 60 내지 70 nm 의 두께로 형성하는 단계인 섬유형 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 활성층을 형성하는 단계는, 스퍼터링, 원자층 증착을 포함하는 물리적 증착 방법 또는 전구체의 열이나 빛을 이용해 소성 가능한 용액 공정을 통해 형성하는 단계인 섬유형 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 게이트 절연층을 형성하는 단계는, 산화 알루미늄(Al2O3)과 산화 마그네슘(MgO)을 교대로 증착하여 라미네이트 적층 구조로 형성하는 단계인 섬유형 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 게이트 절연층을 형성하는 단계는, 60°C 내지 90°C 의 온도에서 산화 알루미늄(Al2O3) 층과 산화 마그네슘(MgO) 층을 동일한 두께로 교대로 증착함으로써 형성하는 단계인 섬유형 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 게이트 전극을 형성하는 단계는, 쉐도우 마스크를 이용한 열증착 방법, 선택적 영역의 전기화학적 증착 방법, 또는 인쇄 코팅 방법으로 형성하는 단계인 섬유형 박막 트랜지스터의 제조 방법
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