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마이크로 발광 다이오드 소자에 있어서, 제 1 도전형 반도체층과 제 2 도전형 반도체층; 및상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층 사이에 배치되고, 단일 양자 우물 구조를 갖는 활성층을 포함하고, 상기 단일 양자 우물 구조는,상기 제 1 도전형 반도체층 또는 상기 제 2 도전형 반도체층 중 어느 하나에 대한 전도대 오프셋(conduction band offset)과 상기 제 1 도전형 반도체층 또는 상기 제 2 도전형 반도체층 중 다른 하나에 대한 가전대 오프셋(valance band offset)의 비율이 0을 초과하고 1 미만이 되도록 형성되고,상기 단일 양자 우물 구조는, 상기 활성층에서, 정공의 밀도가 1014 cm-3 이상이고 전자의 밀도가 1013 cm-3 미만이 되도록 설정됨에 따라, 형성되는 마이크로 발광 다이오드 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 활성층은, 상기 제 1 도전형 반도체층 상에서, 상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 마이크로 발광 다이오드 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 제 1 도전형 반도체층은 상기 활성층에 정공을 주입하고, 상기 제 2 도전형 반도체층은 상기 활성층에 전자를 주입하는 마이크로 발광 다이오드 소자
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제 3 항에 있어서, 상기 단일 양자 우물 구조는,상기 제 2 도전형 반도체층에 대한 상기 전도대 오프셋과 상기 제 1 도전형 반도체층에 대한 상기 가전대 오프셋의 비율이 0을 초과하고 1 미만이 되도록 형성되는 마이크로 발광 다이오드 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 제 1 도전형 반도체층은 상기 활성층에 전자를 주입하고, 상기 제 2 도전형 반도체층은 상기 활성층에 정공을 주입하는 마이크로 발광 다이오드 소자
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제 5 항에 있어서, 상기 단일 양자 우물 구조는,상기 제 1 도전형 반도체층에 대한 상기 전도대 오프셋과 상기 제 2 도전형 반도체층에 대한 상기 가전대 오프셋의 비율이 0을 초과하고 1 미만이 되도록 형성되는 마이크로 발광 다이오드 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 활성층은,상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층으로부터 각각 주입되는 전자와 정공이 결합함에 따라, 미리 정해진 파장의 광을 발생시키는 마이크로 발광 다이오드 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 활성층은,인듐-갈륨-인 화합물(InGaP)로 이루어지는 마이크로 발광 다이오드 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 마이크로 발광 다이오드 소자는, 상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층이 동일한 물질로 이루어짐에 따라, 대칭적인 구조를 갖거나, 상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층이 상이한 물질들로 각각 이루어짐에 따라, 비대칭적인 구조를 갖는 마이크로 발광 다이오드 소자
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마이크로 발광 다이오드 소자의 제조 방법에 있어서, 제 1 도전형 반도체층을 준비하는 단계; 상기 제 1 도전형 반도체층 상에 단일 양자 우물 구조를 갖는 활성층을 적층하는 단계; 및상기 활성층 상에 제 2 도전형 반도체층을 적층하는 단계를 포함하고, 상기 단일 양자 우물 구조는,상기 제 1 도전형 반도체층 또는 상기 제 2 도전형 반도체층 중 어느 하나에 대한 전도대 오프셋과 상기 제 1 도전형 반도체층 또는 상기 제 2 도전형 반도체층 중 다른 하나에 대한 가전대 오프셋의 비율이 0을 초과하고 1 미만이 되도록 형성되고, 상기 단일 양자 우물 구조는, 상기 활성층에서, 정공의 밀도가 1014 cm-3 이상이고 전자의 밀도가 1013 cm-3 미만이 되도록 설정됨에 따라, 형성되는 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 마이크로 발광 다이오드 소자의 동작 시, 상기 제 1 도전형 반도체층은 상기 활성층에 정공을 주입하고, 상기 제 2 도전형 반도체층은 상기 활성층에 전자를 주입하고,상기 활성층은,상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층으로부터 각각 주입되는 전자와 정공이 결합함에 따라, 미리 정해진 파장의 광을 발생시키는 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 단일 양자 우물 구조는,상기 제 2 도전형 반도체층에 대한 상기 전도대 오프셋과 상기 제 1 도전형 반도체층에 대한 상기 가전대 오프셋의 비율이 0을 초과하고 1 미만이 되도록 형성되는 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 마이크로 발광 다이오드 소자의 동작 시,상기 제 1 도전형 반도체층은 상기 활성층에 전자를 주입하고, 상기 제 2 도전형 반도체층은 상기 활성층에 정공을 주입하는 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 단일 양자 우물 구조는,상기 제 1 도전형 반도체층에 대한 상기 전도대 오프셋과 상기 제 2 도전형 반도체층에 대한 상기 가전대 오프셋의 비율이 0을 초과하고 1 미만이 되도록 형성되는 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 활성층은,인듐-갈륨-인 화합물(InGaP)로 이루어지는 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 마이크로 발광 다이오드 소자는, 상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층이 동일한 물질로 이루어짐에 따라, 대칭적인 구조를 갖거나, 상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층이 상이한 물질들로 각각 이루어짐에 따라, 비대칭적인 구조를 갖는 방법
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디스플레이에 있어서, 구동 회로가 배선된 집적 회로 소자; 및상기 집적 회로 소자의 일 면에 실장되는 복수 개의 마이크로 발광 다이오드 소자들을 포함하고, 상기 마이크로 발광 다이오드 소자들은, 제 1 도전형 반도체층과 제 2 도전형 반도체층; 및상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층 사이에 배치되고, 단일 양자 우물 구조를 갖는 활성층을 각각 포함하고, 상기 단일 양자 우물 구조는,상기 제 1 도전형 반도체층 또는 상기 제 2 도전형 반도체층 중 어느 하나에 대한 전도대 오프셋과 상기 제 1 도전형 반도체층 또는 상기 제 2 도전형 반도체층 중 다른 하나에 대한 가전대 오프셋의 비율이 0을 초과하고 1 미만이 되도록 형성되고,상기 단일 양자 우물 구조는, 상기 활성층에서, 정공의 밀도가 1014 cm-3 이상이고 전자의 밀도가 1013 cm-3 미만이 되도록 설정됨에 따라, 형성되는 디스플레이
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제 17 항에 있어서, 상기 마이크로 발광 다이오드 소자들은, 서로 다른 파장들의 광들을 각각 생성하는 디스플레이
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제 18 항에 있어서, 상기 마이크로 발광 다이오드 소자들은,상기 집적 회로 소자의 일 면에 각각 부착되는 디스플레이
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제 18 항에 있어서, 상기 마이크로 발광 다이오드 소자들은,상기 집적 회로 소자의 일 면에서 적층되는 디스플레이
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