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1
입력 신호를 제공받고, 상기 입력 신호를 기초로 제1 입력 전압 신호, 제2 입력 전압 신호 및 제3 입력 전압 신호를 생성하는 입력 제어기;가중치 비트수를 기초로 제1 선택 신호 및 제2 선택 신호를 생성하는 가중치 제어기;상기 입력 제어기로부터 상기 제1 입력 전압 신호, 상기 제2 입력 전압 신호 및 상기 제3 입력 전압 신호를 제공받고, 상기 가중치 제어기로부터 제1 선택 신호 및 제2 선택 신호를 제공받아, 상기 제1 입력 전압 신호, 상기 제2 입력 전압 신호, 상기 제3 입력 전압 신호, 상기 제1 선택 신호 및 상기 제2 선택 신호를 기초로 제1 출력 전하 내지 제7 출력 전하를 생성하는 메모리 어레이; 및상기 메모리 어레이로부터 상기 제1 출력 전하 내지 상기 제7 출력 전하를 제공받아, 상기 가중치 비트수 및 제1 출력 전하 내지 상기 제7 출력 전하를 기초로 제1 합산 전하 내지 제4 합산 전하를 생성하는 합산기를 포함하는, 인메모리 컴퓨팅 장치
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2
제1항에 있어서,상기 메모리 어레이는,제1 열에 제1 메모리 셀들이 배치되고, 제2 내지 4열에 제2 메모리 셀들이 배치되는 뱅크들을 포함하는, 인메모리 컴퓨팅 장치
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3
제2항에 있어서,상기 제1 열에 배치된 상기 제1 메모리 셀들은 제1 연산 전하들을 생성하고, 상기 제2 열에 배치된 상기 제2 메모리 셀들은 제2 연산 전하들 및 제3 연산 전하들을 생성하고, 상기 제3 열에 배치된 상기 제2 메모리 셀들은 제4 연산 전하들 및 제5 연산 전하들을 생성하고, 상기 제4 열에 배치된 상기 제2 메모리 셀들은 제6 연산 전하들 및 제7 연산 전하들을 생성하고;상기 제1 출력 전하 내지 상기 제7 출력 전하 각각은 상기 제1 연산 전하들의 합 내지 상기 제7 연산 전하들의 합인, 인메모리 컴퓨팅 장치
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| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 가중치의 비트수가 4인 경우,상기 제1 합산 전하는 상기 제2 합산 전하와 동일한, 인메모리 컴퓨팅 장치
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5
제4항에 있어서,상기 합산기는,상기 제1 출력 전하 내지 상기 제4 출력 전하를 기초로 상기 제1 합산 전하 및 상기 제2 합산 전하를 생성하는, 인메모리 컴퓨팅 장치
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| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 가중치의 비트수가 8인 경우,상기 제1 합산 전하 내지 상기 제4 합산 전하는 동일한, 인메모리 컴퓨팅 장치
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7
제6항에 있어서,상기 합산기는,상기 제1 출력 전하 내지 상기 제7 출력 전하를 기초로 상기 제1 합산 전하 내지 상기 제4 합산 전하를 생성하는, 인메모리 컴퓨팅 장치
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8
제1항에 있어서,상기 합산기로부터 상기 제1 합산 전하 내지 상기 제4 합산 전하를 제공받아 출력 전압을 생성하는 출력 제어기를 더 포함하는, 인메모리 컴퓨팅 장치
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9
제8항에 있어서,상기 출력 제어기는,상기 제1 합산 전하 내지 상기 제4 합산 전하를 기초로 아날로그 전압을 생성하고 상기 아날로그 전압을 디지털 전압으로 변환하여 상기 출력 전압을 생성하는, 인메모리 컴퓨팅 장치
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10
입력 신호를 기초로 제1 입력 전압 신호, 제2 입력 전압 신호 및 제3 입력 전압 신호를 생성하는 단계;가중치 비트수를 기초로 제1 선택 신호 및 제2 선택 신호를 생성하는 단계;상기 제1 입력 전압 신호, 상기 제2 입력 전압 신호, 상기 제3 입력 전압 신호, 상기 제1 선택 신호 및 상기 제2 선택 신호를 기초로 제1 출력 전하 내지 제7 출력 전하를 생성하는 단계; 및상기 제1 출력 전하 내지 상기 제7 출력 전하 및 상기 가중치 비트수를 기초로 제1 합산 전하 내지 제4 합산 전하를 생성하는 단계를 포함하는, 인메모리 컴퓨팅 장치의 동작 방법
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11
제10항에 있어서,상기 가중치의 비트수가 4인 경우,상기 제1 합산 전하는 상기 제2 합산 전하와 동일한, 인메모리 컴퓨팅 메모리 장치의 동작 방법
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12
제11항에 있어서,상기 제1 출력 전하 내지 상기 제4 출력 전하를 기초로 상기 제1 합산 전하 및 상기 제2 합산 전하를 생성하는, 인메모리 컴퓨팅 장치의 동작 방법
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13
제10항에 있어서,상기 가중치의 비트수가 8인 경우,상기 제1 합산 전하 내지 상기 제4 합산 전하는 동일한, 인메모리 컴퓨팅 장치의 동작 방법
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14
제13항에 있어서,상기 제1 출력 전하 내지 상기 제7 출력 전하를 기초로 상기 제1 합산 전하 내지 상기 제4 합산 전하를 생성하는, 인메모리 컴퓨팅 장치의 동작 방법
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제10항에 있어서,상기 제1 합산 전하 내지 상기 제4 합산 전하를 기초로 출력 전압을 생성하는 단계를 더 포함하는, 인메모리 컴퓨팅 장치의 동작 방법
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제15항에 있어서,상기 출력 전압을 생성하는 단계는,상기 제1 출력 전하 내지 상기 제4 출력 전하를 기초로 아날로그 전압을 생성하는 단계; 및상기 아날로그 전압을 디지털 전압으로 변환하는 단계를 포함하는, 인메모리 컴퓨팅 장치의 동작 방법
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제1 열에 배치되어, 제1 입력 전압 신호, 제2 입력 전압 신호 및 제3 입력 전압 신호를 제공받아 제1 출력 전하를 생성하는 제1 메모리 셀들; 및제2 열 내지 제 4열에 배치되어, 상기 제1 입력 전압 신호, 상기 제2 입력 전압 신호, 상기 제3 입력 전압 신호, 제1 가중치 선택 신호 및 제2 가중치 선택 신호를 제공받아 제2 출력 전하 내지 제7 출력 전하를 생성하는 제2 메모리 셀들을 포함하고;상기 제1 메모리 셀은 가중치의 부호를 저장하는 제1 SRAM(static random access memory) 및 상기 가중치의 크기를 저장하는 제2 SRAM을 포함하고,상기 제2 메모리 셀은 상기 가중치의 부호 및 크기 중 하나를 저장하는 제3 SRAM을 및 상기 가중치의 크기를 저장하는 제4 SRAM을 포함하는, 메모리 어레이
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제17항에 있어서,상기 제1 메모리 셀들은,상기 제1 입력 전압 신호 및 상기 가중치의 부호를 기초로 부호 신호를 생성하는, 메모리 어레이
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19
제18항에 있어서,상기 제1 메모리 셀들은,제1 임계 전압 신호가 인가되고,상기 부호 신호 상기 제3 입력 전압 신호 및 상기 부호 신호를 기초로 샘플링 신호를 생성하는, 메모리 어레이
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20
제19항에 있어서,상기 제1 메모리 셀들은,상기 샘플링 신호를 기초로 제1 연산 전하를 생성하는, 메모리 어레이
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제19항에 있어서,상기 제1 메모리 셀들은,제2 임계 전압 신호가 인가되고,상기 제2 임계 전압 신호를 기초로 제1 연산 전하를 생성하는, 메모리 어레이
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22
제17항에 있어서,상기 제2 메모리 셀들은,제1 커패시터 및 제2 커패시터를 더 포함하고,상기 제1 커패시터의 크기는 상기 제2 커패시터의 크기의 2배인, 메모리 어레이
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