| 1 |
1
(a) 금속 나노와이어 네트워크를 산화시켜 제1 금속 산화물 나노와이어 네트워크를 제조하는 단계; (b) 상기 제1 금속 산화물 나노와이어 네트워크의 일부에 레이저를 조사해 제1 금속 산화물을 산화시켜, 제1 금속 산화물과 금속 이온의 산화수(oxidation number)가 상이한 제2 금속 산화물 나노와이어 네트워크로 이루어지는 제2 금속 산화물 패턴부를 형성하는 단계; 및 (c) 상기 제1 금속 산화물 나노와이어 네트워크의 일부 또는 상기 제2 금속 산화물 나노와이어 네트워크의 일부에 환원제를 도포하고 레이저를 조사해 제1 금속 산화물 또는 제2 금속 산화물을 환원시켜, 금속 나노와이어 네트워크로 이루어지는 금속 패턴부를 제조하는 단계;를 포함하는, 산화 상태가 상이한 다중 패턴부를 포함하는 모놀리식 나노와이어 네트워크의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 단계 (a)에서, 습식 산화법(wet oxidation)에 따라 상기 금속 나노와이어 네트워크를 산화시키는 것을 특징으로 하는, 산화 상태가 상이한 다중 패턴부를 포함하는 모놀리식 나노와이어 네트워크의 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 단계 (a)에서, 상기 금속 나노와이어는, 구리(Cu), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 테크네튬(Tc), 루비듐(Ru), 란탄(La), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta) 및 텅스텐(W)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종의 전이 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 산화 상태가 상이한 다중 패턴부를 포함하는 모놀리식 나노와이어 네트워크의 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 단계 (b) 및 단계 (c)에서, 상기 레이저는, 연속파(continuous wave) 및 펄스파(pulsed wave)에서 선택되는 하나 이상의 파형을 포함하고, UV(ultraviolet), Vis(visible) 및 IR(infrared)에서 선택되는 하나 이상의 파장 대역을 가지는 것을 특징으로 하는, 산화 상태가 상이한 다중 패턴부를 포함하는 모놀리식 나노와이어 네트워크의 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 단계 (c)에서, 상기 환원제는 글리콜(glycol)계 환원제 또는 글리콜 에테르(glycol ether)계 환원제인 것을 특징으로 하는, 산화 상태가 상이한 다중 패턴부를 포함하는 모놀리식 나노와이어 네트워크의 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 금속은 구리(Cu)이고, 상기 제1 금속 산화물은 산화구리(I) (Cu2O)이고, 상기 제2 금속 산화물은 산화구리(II) (CuO)인 것을 특징으로 하는, 산화 상태가 상이한 다중 패턴부를 포함하는 모놀리식 나노와이어 네트워크의 제조방법
|
| 7 |
7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조된 나노와이어 네트워크
|
| 8 |
8
제7항에 따른 나노와이어 네트워크를 포함하는 전자소자
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 광검출기(photodetector)인 것을 특징으로 하는 전자소자
|
