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컨택 저항 감소를 위한 다층 배선 연결 구조 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2023010130
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다층 배선 연결 구조 및 이의 제조방법을 제공한다. 상기 다층 배선 연결 구조는 기판 상에 배치된 제1 절연막과 상기 제1 절연막 내에 위치하는 제1 배선, 상기 제1 배선 상에 위치하는 제2 절연막 및 상기 제2 절연막 내에 위치하고 상기 제1 배선과 접촉하는 제2 배선을 포함한다. 상기 제1 배선은 상기 제2 배선 하부에 적어도 하나의 이방성 식각부와 적어도 하나의 등방성 식각부를 구비하는 트렌치를 포함하고, 상기 제2 배선은 상기 트렌치를 채우는 연장부를 포함한다.
Int. CL H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 21/3213 (2006.01.01)
CPC H01L 21/76892(2013.01) H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76807(2013.01) H01L 21/32134(2013.01) H01L 21/32135(2013.01) H01L 21/32139(2013.01)
출원번호/일자 1020220052909 (2022.04.28)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0153111 (2023.11.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.04.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍진표 서울시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2022-0458428-43
2 보정요구서
Request for Amendment
2022.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2022-0072518-05
3 [출원서 등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2022.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2022-0503823-10
4 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2022.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2022-0676222-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 배치된 제1 절연막과 상기 제1 절연막 내에 위치하는 제1 배선;상기 제1 배선 상에 위치하는 제2 절연막 및 상기 제2 절연막 내에 위치하고 상기 제1 배선과 접촉하는 제2 배선을 포함하되,상기 제1 배선은 상기 제2 배선 하부에 적어도 하나의 이방성 식각부와 적어도 하나의 등방성 식각부를 구비하는 트렌치를 포함하고, 상기 제2 배선은 상기 트렌치를 채우는 연장부를 포함하는 다층 배선 연결 구조
2 2
청구항 1에 있어서,상기 트렌치는 최상단에 상기 등방성 식각부를 구비하고, 상기 등방성 식각부의 하부에 이방성 식각부를 구비하는 다층 배선 연결 구조
3 3
청구항 1에 있어서,상기 트렌치는 상기 이방성 식각부와 상기 등방성 식각부 중 하나 이상을 복수개 포함하고, 상기 이방성 식각부와 상기 등방성 식각부는 교호적으로 배치된 다층 배선 연결 구조
4 4
청구항 3에 있어서,상기 트렌치는 상기 이방성 식각부를 1 내지 4개 그리고, 상기 등방성 식각부를 1 내지 4개 포함하는 다층 배선 연결 구조
5 5
기판 상에 제1 절연막과 상기 제1 절연막 내에 위치하는 제1 배선을 형성하는 단계;상기 제1 배선을 식각하여 상기 제1 배선 내에 적어도 하나의 이방성 식각부와 적어도 하나의 등방성 식각부를 구비하는 트렌치를 형성하는 단계; 및상기 제1 배선 상에 제2 배선을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제2 배선은 상기 트렌치를 채우는 연장부를 구비하는 다층 배선 연결 구조 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 트렌치는 상기 제1 배선의 상부에 상기 제1 배선의 일부를 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 제1 배선을 식각하여 형성하는 다층 배선 연결 구조 제조방법
7 7
청구항 5에 있어서,상기 제1 배선을 식각할 때, 등방성 식각을 수행하여 상기 등방성 식각부를 형성한 후, 상기 등방성 식각부의 바닥면을 이방성 식각하여 상기 이방성 식각부를 형성하는 다층 배선 연결 구조 제조방법
8 8
청구항 5에 있어서,상기 제1 배선을 식각할 때, 등방성 식각과 이방성 식각을 교호적으로 수행하여 상기 이방성 식각부와 상기 등방성 식각부를 교호적으로 형성하는 다층 배선 연결 구조 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한양대학교산학협력단 산업기술혁신사업 / 미래성장동력기술개발사업 / 소재부품산업미래성장동력-차세대시스템반도체설계소자공정기술개발 공정 단계 최소화를 위한 Charge Plasma 개념을 도입한 Dopingless Tunnel Field Transistor
2 산업통상자원부 한양대학교산학협력단 산업기술혁신사업 / 산업융합원천기술개발사업 / 미래반도체소자원천기술개발사업(민간투자금) [민간] 공정 단계최소화를 위한 Charge Plasma 개념을 도입한 Dopingless Tunnel Field Transistor