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자구벽(magnetic domain wall) 운동을 측정하고자 하는 조성의 자성체 필름을 실리콘 기판 위에 증착하는 단계;일정 규격의 와이어 패턴 및 전극 패턴을 사용하여 상기 자성체 필름이 증착된 실리콘 기판에 자성체 와이어(magnetic wire)를 형성하는 단계;상기 자성체 와이어의 중심부를 상기 일정 규격에 대응하는 엣지 밀링 패턴(edge milling pattern)에 의해 포토리소그래피(photolithography) 방식으로 쉴딩(shielding)하는 단계; 및 이온 밀링(ion-milling)에 의해 상기 쉴딩되지 않은 상기 자성체 와이어의 엣지 부분을 절삭하는 단계를 포함하는, 자성체 와이어를 제작하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 자성체 와이어의 엣지 부분을 절삭하는 단계는상기 자성체 와이어의 엣지 부분에 전류가 흐르되, 상기 엣지 부분의 자성층이 자성을 띄지 않는 두께까지 상기 엣지 부분을 절삭하는 단계를 포함하는, 자성체 와이어를 제작하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 자성체 와이어의 엣지 부분을 절삭하는 단계는상기 자성체 와이어의 엣지 부분에 대한 P-MOKE(Magneto-Optical Kerr Effect)를 측정하는 단계; 및 상기 P-MOKE의 측정 결과를 이용하여, 상기 자성체 와이어의 엣지 부분에 전류는 흐르되, 상기 엣지 부분의 자성층이 자성을 띄지 않는 두께까지 상기 엣지 부분을 절삭하는 단계를 포함하는, 자성체 와이어를 제작하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 자성체 와이어의 엣지 부분을 절삭하는 단계는 상기 엣지 부분의 자성층을, 상기 자성체 와이어의 전체 폭 대비 0
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제1항에 있어서, 상기 자성체 와이어의 엣지 부분을 절삭하는 단계는상기 자성체 와이어의 전체 폭(W) 대비 1/4의 폭 비율로 상기 자성체 와이어의 양단의 상기 엣지 부분을 각각 절삭하는 단계를 포함하는, 자성체 와이어를 제작하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 자성체 와이어의 엣지 부분을 절삭하는 단계는아르곤(Ar) 이온 빔 에칭(etching)을 통해 상기 자성체 와이어의 엣지 부분을 자성층까지 에칭하는 단계를 포함하는, 자성체 와이어를 제작하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 자성체 필름은 수직 자화 상태를 가지는 수직 자기 이방성의 자성체 필름을 포함하는, 자성체 와이어를 제작하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 자성체 필름을 상기 실리콘 기판 위에 증착하는 단계는DC 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)을 이용하여 상기 자성체 필름을 상기 실리콘 기판 위에 증착하는 단계를 포함하는, 자성체 와이어를 제작하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 자성체 와이어를 형성하는 단계는 상기 포토리소그래피를 통해, 상기 자성체 와이어의 폭(W)보다 넓은 폭을 가진 상기 와이어 패턴 및 상기 전극 패턴을 상기 자성체 필름이 증착된 실리콘 기판에 증착(deposition)하는 단계를 포함하는, 자성체 와이어를 제작하는 방법
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자성체 와이어에 있어서, 상기 자성체 와이어에 인가되는 전류에 의해 발생하는 외스테르 필드로 인해 상기 자성체 와이어의 자구벽이 기울어지지 않도록 상기 자성체 와이어의 전체 폭 대비 일정 폭 비율로 절삭된 양 단의 엣지 부분을 포함하는, 자성체 와이어
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제10항에 있어서, 상기 일정 폭 비율은 상기 자성체 와이어의 전체 폭 대비 1/4의 폭 비율을 포함하는, 자성체 와이어
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제10항에 있어서,상기 엣지 부분은 상기 엣지 부분에 상기 전류는 흐르되 상기 엣지 부분의 자성층이 자성을 띄지 않는 두께까지 절삭되는, 자성체 와이어
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제10항에 있어서, 상기 엣지 부분의 자성층은 상기 자성체 와이어의 전체 폭 대비0
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제10항에 있어서, 상기 자성체 와이어는 아르곤(Ar) 이온 빔 에칭(etching)을 통해 상기 엣지 부분의 자성층까지 에칭되는, 자성체 와이어
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제10항에 있어서, 상기 엣지 부분은 상기 엣지 부분에 대한 P-MOKE의 측정 결과를 기초로, 상기 엣지 부분에 상기 전류는 흐르되, 상기 엣지 부분의 자성층이 자성을 띄지 않는 두께까지 절삭되고,상기 자성체 와이어의 중심부는 일정 규격에 대응하는 엣지 밀링 패턴에 의해 포토리소그래피 방식으로 쉴딩되는, 자성체 와이어
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