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아래의 003c#화학식 1003e#로 표시되는 전구체를 이용하여 증착되는 중합체 박막
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제1 항에 있어서, 상기 중합체 박막은, 플라즈마 보강 CVD 방법으로 증착되는 것을 포함하는 중합체 박막
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제 1항에 있어서,상기 전구체는 003c#화학식 2003e#로 표시되는 것을 포함하는 중합체 박막
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피롤리딘(pyrrolidine)을 포함하는 전구체가 수용된 버블러 내에 준비되는 단계;상기 버블러 내에 비활성 가스를 공급하여, 기화된 상기 전구체를 챔버 내로 이동시키는 단계; 및기화된 상기 전구체가 상기 챔버 내로 이동하는 과정에서 질소 가스를 공급하는 방법으로, 상기 질소 가스와 함께 기화된 상기 전구체가 상기 챔버 내의 기판 상에 제공되어, 상기 기판 상에 확산 방지막을 형성하는 단계를 포함하는 확산 방지막의 제조 방법
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제 4항에 있어서,상기 전구체는, 아래의 003c#화학식 2003e#로 표시되는 화합물을 포함하는 확산 방지막의 제조 방법
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제 4항에 있어서,상기 기판 상에 기화된 상기 전구체는, 플라즈마 환경에서 증착되는 것을 포함하는 확산 방지막의 제조 방법
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제 6항에 있어서,기화된 상기 전구체는, 교류 전원의 진동수가 13Hz 내지 14Hz이고, 상기 교류 전원의 전력은 15W 내지 30W인 조건에서 증착되는 것을 포함하는 확산 방지막의 제조 방법
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제 7항에 있어서,기화된 상기 전구체가 상기 교류 전원의 상기 전력이 25W 이상인 조건에서 증착되는 경우,상기 확산 방지막의 누설 전류밀도 값이 포화되는 것을 포함하는 확산 방지막의 제조 방법
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제 7항에 있어서,상기 교류 전원의 상기 전력이 증가할수록, 상기 확산 방지막의 유전상수가 증가되는 것을 포함하는 확산 방지막의 제조 방법
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제 7항에 있어서,상기 교류 전원의 상기 전력이 증가할수록, 상기 확산 방지막의 증착률이 감소되는 것을 포함하는 확산 방지막의 제조 방법
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제 4항에 있어서,상기 기판 상에 배치된 반도체 소자를 포함하는 반도체층 형성하는 단계; 및 상기 반도체층 상에 배치된 배선층을 형성하는 단계를 더 포함하는 확산 방지막의 제조 방법
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제 11항에 있어서,상기 배선층은 홀을 포함하고,상기 배선층의 상기 홀의 바닥면, 측벽, 또는 상기 배선층 상의 금속 배선 상에 상기 확산 방지막이 형성되는 것을 포함하는 확산 방지막의 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 확산 방지막을 형성하는 단계는,상기 배선층의 상기 홀의 상기 바닥면 및 상기 측벽 상에 상기 전구체를 증착하여, 예비 확산 방지막을 형성하는 단계; 상기 예비 확산 방지막이 형성된 상기 홀을 갖는 상기 배선층 상에, 예비 금속 배선을 형성하는 단계; 및화학적 기계적 연마공정을 수행하여, 상기 홀 외부의 상기 예비 확산 방지막 및 상기 예비금속 배선을 제거하여, 상기 홀 내부에 상기 확산 방지막 및 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하는 확산 방지막의 제조 방법
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기판; 및상기 기판 상에 배치된 확산 방지막을 포함하되,상기 확산 방지막은 규소, 탄소, 질소, 및 수소 원소를 포함하고,규소, 탄소, 질소, 및 수소 원소가 피롤리딘(pyrrolidine) 구조를 이루는 것을 포함하는 확산 방지막
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제 14항에 있어서,상기 기판 상에 배치된 홀을 갖는 배선층을 더 포함하고,상기 배선층의 상기 홀의 바닥면 및 측벽 상에 상기 확산 방지막이 배치된 것을 포함하는 확산 방지막
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제 15항에 따른 상기 확산 방지막; 및상기 확산 방지막이 배치된 상기 홀의 내부를 채우는 구리 배선을 포함하는 구리 배선 구조체
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