| 1 |
1
폴리디메틸실록산의 프리폴리머와 경화제를 20:1 내지 5:1의 질량비로 혼합한 블렌드를 실리콘 웨이퍼 상에 스핀코팅하여 폴리디메틸실록산 기판을 형성하는 단계;상기 폴리디메틸실록산 기판을 표면 전처리하는 단계;상기 표면 전처리된 폴리디메폴틸실록산 기판의 상부에 티타늄 층 및 금 층을 순차적으로 증착한 후 미세전극을 패터닝하는 단계;상기 패터닝 된 미세전극의 상부에 포토레지스트를 형성하고, 상기 포토레지스트가 형성되지 않은 폴리디메틸실록산 기판의 상부에 폴리디메틸실록산을 스핀코팅하는 단계; 및 상기 패터닝 된 미세전극의 상부에 형성된 포토레지스트를 제거한 후, 상기 패터닝된 금 층의 상부에 금 전기도금을 수행하여 미세전극을 패키징하는 단계를 포함하는 폴리디메틸실록산을 이용한 미세전극 형성 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 표면 전처리하는 단계는,산소 플라즈마에 상기 폴리디메틸실록산 기판을 노출하여 상기 폴리디메틸실록산 기판의 표면을 전처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리디메틸실록산을 이용한 미세전극 형성 방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 표면 전처리하는 단계는,상기 폴리디메틸실록산 기판의 상부에 사이층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리디메틸실록산을 이용한 미세전극 형성 방법
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 사이층은 스핀 코팅에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 폴리디메틸실록산을 이용한 미세전극 형성 방법
|
| 5 |
5
제 3 항에 있어서,상기 사이층은, 사이탑, 폴리 에틸렌 클리콜, 및 4-하이드록시 부틸 아크릴레이트로 이루어진 군 중에서 선택된 어느 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리디메틸실록산을 이용한 미세전극 형성방법
|
| 6 |
6
제 3 항에 있어서,상기 사이층은, 1∼2㎛의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 폴리디메틸실록산을 이용한 미세전극 형성방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 미세전극을 패터닝하는 단계는,상기 증착된 금 층의 상부에 포토레지스트를 스핀코팅하고, 배선 패턴이 인쇄된 투명마스크를 이용하여 패터닝 하고자 하는 부분을 경화하는 단계;상기 투명마스크를 제거하고 상기 포토레지스트를 선택적으로 제거하는 단계; 및상기 증착된 티타늄 층 및 금 층을 식각하여 상기 폴리디메틸실록산 기판에 미세전극을 패터닝 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리디메틸실록산을 이용한 미세전극 형성방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 티타늄 층은 습식 식각에 의해 식각되되, 상기 습식 식각에 사용되는 식각액은 H2O, HF 및 HNO3를 포함하고, H2O가 100부피%인 것을 기준으로 하여 HF는 10∼20 부피%이고, HNO3는 20∼40 부피%인 것을 특징으로 하는 폴리디메틸실록산을 이용한 미세전극 형성방법
|
| 9 |
9
제 7 항에 있어서,상기 티타늄 층 및 금 층은, 전자 빔 증착 시스템에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 폴리디메틸실록산을 이용한 미세전극 형성방법
|
| 10 |
10
제 7 항에 있어서,상기 티타늄 층은 50∼300Å로 증착되고, 상기 금 층은 500∼3000Å로 증착되는 것을 특징으로 하는 폴리디메틸실록산을 이용한 미세전극 형성방법
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
제 1 항에 있어서,상기 금 전기도금에 의해 형성된 금 도금층의 높이는 상기 스핀코팅된 폴리디메틸실록산의 높이와 동일한 것을 특징으로 하는 폴리디메틸실록산을 이용한 미세전극 형성방법
|
| 13 |
13
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 폴리디메틸실록산을 이용한 미세전극
|
