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평판 디스플레이 구동용 저소비전력 고슬루율 증폭기

  • 기술번호 : KST2014007713
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 정적 상태에서는 매우 작은 전류를 소모하고, 과도기에는 매우 큰 슬루율을 가지는 평판 디스플레이 구동용 저소비전력 고슬루율 증폭기를 제공한다. 이러한 본 발명은, 차동 입력 쌍을 가지며, 소싱 전류를 흘리는 PMOS 트랜지스터를 구동하는 NMOS 입력 스테이지; 및 차동 입력 쌍을 가지며, 싱킹 전류를 흘리는 NMOS 트랜지스터를 구동하는 PMOS 입력 스테이지;로 구성되며, 상기 NMOS 입력 스테이지 및 PMOS 입력 스테이지는 각각 슬루 구간 동안 출력 구동 전류를 복사하여 상기 차동 입력 쌍의 테일 전류에 더하고, 이로 인해 증가된 출력 구동 전류를 다시 복사하여 입력 쪽에 더하는 제1, 제2 정귀환 루프를 구비함을 특징으로 하며, 본 발명은 슬루 구간동안의 매우 큰 구동 전류를 정적 상태의 바이어스 전류와 거의 무관하게 얻을 수 있게 되며, 이에 따라 큰 용량성 부하를 빠른 시간 내에 원하는 전압으로 충방전할 수 있게 되며, 큰 부하 캐패시턴스를 구동하는 LCD 등의 평판 디스플레이 장치에 있어서 매우 유용하게 사용될 수 있다. 증폭기, 슬루율, 평판 디스플레이, 저소비전력
Int. CL H03F 3/45 (2006.01) G09G 3/20 (2006.01)
CPC G09G 3/2092(2013.01) G09G 3/2092(2013.01) G09G 3/2092(2013.01) G09G 3/2092(2013.01)
출원번호/일자 1020050117483 (2005.12.05)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0742628-0000 (2007.07.19)
공개번호/일자 10-2007-0058780 (2007.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20070726) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.05)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조규형 대한민국 충남 공주시
2 김상경 대한민국 대전 유성구
3 손영석 대한민국 경기 화성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 아이카이스트 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2005-0708454-96
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0118139-17
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.04.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0254488-35
4 의견서
Written Opinion
2007.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0254489-81
5 등록결정서
Decision to grant
2007.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0383951-13
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
차동 입력 쌍을 가지며, 소싱 전류를 흘리는 PMOS 트랜지스터를 구동하도록 다수의 MOS 트랜지스터를 포함하는 NMOS 입력 스테이지; 및 차동 입력 쌍을 가지며, 싱킹 전류를 흘리는 NMOS 트랜지스터를 구동하도록 다수의 MOS 트랜지스터를 포함하는 PMOS 입력 스테이지;로 구성되며, 상기 NMOS 입력 스테이지 및 PMOS 입력 스테이지는 각각 슬루 구간 동안 출력 구동 전류를 복사하여 상기 차동 입력 쌍의 바이어스 전류에 더하고, 이로 인해 증가된 출력 구동 전류를 다시 복사하여 상기 바이어스 전류에 더하는 제1, 제2 정귀환 루프를 구비하되, 상기 제1, 제2 정귀환 루프는 각 입력 스테이지의 일부 MOS 트랜지스터로 이루어는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 구동용 저소비전력 고슬루율 증폭기
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 PMOS 트랜지스터를 구동하는 NMOS 입력 스테이지는 제1 및 제2 NMOS 트랜지스터에 의해 상기 차동 입력 쌍을 형성하고, 상기 차동 입력 쌍은 소 전류원인 제3 NMOS 트랜지스터로 소스단을 통해 바이어스 되며, 상기 차동 입력 쌍의 드레인은 고 전원 전압 측에서 캐스코드 전류 미러를 형성하고 있는 제5 내지 제8 PMOS 트랜지스터의 제5 및 제7 PMOS트랜지스터와 제6 및 제8 PMOS트랜지스터로 이루어진 가지로 각각 연결되고, 상기 제6 및 제8 PMOS 트랜지스터로 이루어진 가지에서 제9 NMOS 트랜지스터가 제8 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되며, 제10 NMOS 트랜지스터가 상기 제9 NMOS 트랜지스터와 낮은 전원 전압측에서 미러를 형성하고, 상기 제10 NMOS 트랜지스터의 드레인이 상기 제5 및 제7 PMOS 트랜지스터로 이루어진 가지에서 제7 PMOS 트랜지스터의 드레인과 연결되고, 상기 제7 PMOS 트랜지스터의 드레인에 또 다른 소 전류원인 제4 NMOS 트랜지스터의 드레인를 연결하며, 제11 NMOS 트랜지스터가 상기 제9 NMOS 트랜지스터와 낮은 전원 전압측에서 미러를 형성하고, 그 드레인을 상기 차동 입력 쌍의 소스단을 통해 또 다른 바이어스 전류로 연결하도록 함을 특징으로 하는 평판 디스플레이 구동용 저소비전력 고슬루율 증폭기
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 제10 NMOS 트랜지스터 및 제11 NMOS 트랜지스터는 각각 상기 제9 NMOS 트랜지스터의 사이즈의 소정 배수인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 구동용 저소비전력 고슬루율 증폭기
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 PMOS 트랜지스터가 상기 제5 PMOS 트랜지스터의 사이즈의 소정 배수이고, 상기 제5 PMOS 트랜지스터와 각각 미러를 형성하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 구동용 저소비전력 고슬루율 증폭기
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 제5 PMOS 트랜지스터 - 제6 PMOS 트랜지스터 - 제9 NMOS 트랜지스터 - 제10 NMOS 트랜지스터로 상기 제1 정귀환 루프를 형성하고, 상기 제5 PMOS 트랜지스터- 제6 PMOS 트랜지스터 - 제9 NMOS 트랜지스터 - 제11 NMOS 트랜지스터 - 제1 NMOS 트랜지스터로 상기 제2 정귀환 루프를 형성함을 특징으로 하는 평판 디스플레이 구동용 저소비전력 고슬루율 증폭기
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 NMOS 트랜지스터를 구동하는 PMOS 입력 스테이지는 제1 및 제2 PMOS 트랜지스터에 의해 상기 차동 입력 쌍을 형성하고, 상기 차동 입력 쌍은 소 전류원인 제3 PMOS 트랜지스터로 소스단을 통해 바이어스 되며, 상기 차동 입력 쌍의 드레인은 낮은 전원 전압 측에서 캐스코드 전류 미러를 형성하고 있는 제5 내지 제8 NMOS 트랜지스터의 제5 및 제7 NMOS 트랜지스터와 제6 및 제8 NMOS 트랜지스터로 이루어진 가지로 각각 연결되고, 상기 제6 및 제8 NMOS 트랜지스터로 이루어진 가지에서 제9 PMOS 트랜지스터가 제8 NMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되며, 제10 PMOS 트랜지스터가 상기 제9 PMOS 트랜지스터와 높은 전원 전압측에서 미러를 형성하고, 상기 제10 PMOS 트랜지스터의 드레인이 상기 제5 및 제7 NMOS 트랜지스터로 이루어진 가지에서 제7 NMOS 트랜지스터의 드레인과 연결되고, 상기 제7 NMOS 트랜지스터의 드레인에 또 다른 소 전류원인 제4 PMOS 트랜지스터의 드레인을 연결하며, 제11 PMOS 트랜지스터가 상기 제9 PMOS 트랜지스터와 높은 전원 전압측에서 미러를 형성하고, 그 드레인을 상기 차동 입력 쌍의 소스단을 통해 또 다른 바이어스 전류로 연결하도록 함을 특징으로 하는 평판 디스플레이 구동용 저소비전력 고슬루율 증폭기
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 제10 PMOS 트랜지스터 및 제11 PMOS 트랜지스터는 각각 상기 제9 PMOS 트랜지스터의 사이즈의 소정 배수인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 구동용 저소비전력 고슬루율 증폭기
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 NMOS 트랜지스터가 상기 제5 NMOS 트랜지스터의 사이즈의 소정 배수이고, 상기 제5 NMOS 트랜지스터와 각각 미러를 형성하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 구동용 저소비전력 고슬루율 증폭기
9 9
제 6 항에 있어서, 상기 제5 NMOS 트랜지스터 - 제6 NMOS 트랜지스터 - 제9 PMOS 트랜지스터 - 제10 PMOS 트랜지스터로 상기 제1 정귀환 루프를 형성하고, 상기 제5 NMOS 트랜지스터- 제6 NMOS 트랜지스터 - 제9 PMOS 트랜지스터 - 제11 PMOS 트랜지스터 - 제1 PMOS 트랜지스터로 상기 제2 정귀환 루프를 형성함을 특징으로 하는 평판 디스플레이 구동용 저소비전력 고슬루율 증폭기
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 NMOS 입력 스테이지와 PMOS 입력 스테이지의 두 차동 입력 전압이 입력되는 비반전 전압 입력단 및 반전 전압 입력단 중 비반전 전압 입력단은 비반전 전압 입력단끼리 연결되고, 반전 전압 입력단은 반전 전압 입력단끼리 서로 연결되며, 상기 PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터의 드레인을 서로 연결한 노드를 출력으로 함을 특징으로 하는 평판 디스플레이 구동용 저소비전력 고슬루율 증폭기
11 11
제 1 항에 따른 고슬루율 증폭기의 출력단과 반전 입력단을 연결한 것을 특징으로 하는 버퍼 증폭기
12 12
제 1 항에 따른 고슬루율 증폭기를 버퍼 증폭기로 이용함을 특징으로 하는 LCD 드라이버
13 13
제 1 항에 따른 고슬루율 증폭기를 버퍼 증폭기로 이용함을 특징으로 하는 필드 방출 디스플레이(FED) 드라이버
14 14
제 1항에 따른 고슬루율 증폭기를 버퍼 증폭기로 이용함을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드(OLED) 드라이버
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.