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절연 물질로 형성된 절연막;
상기 절연막의 상부 표면에 형성된 발열부;
상기 절연막의 상부 표면에 형성되며, 상기 발열부로부터 일정거리 이격된 위치에 형성된 온도 감지부; 및
상기 절연막, 상기 발열부 및 상기 온도 감지부를 밀폐되도록 하우징하며, 상기 발열부와 상기 온도 감지부의 상부에 공간을 제공하는 덮개부;
를 구비하고,
상기 발열부는 굴곡되어 밀집 배치되는 가열 배선을 구비하고, 전기저항체로 이루어져 상기 절연막의 상부 표면의 중심 영역에 위치하며, 상기 발열부의 양 끝단을 통해 외부로부터 전류가 공급되어, 상기 덮개부에 의해 제공된 공간의 공기를 가열하며,
상기 온도 감지부는 상기 발열부를 기준으로 하여 서로 대칭되는 위치에 각각 형성되어 주변영역의 온도를 감지하는 것을 특징으로 하는 반도체 센서
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중심 영역이 표면으로부터 일정 깊이까지 식각되어 형성된 홈을 갖는 반도체 기판;
상기 홈을 제외한 상기 반도체 기판의 표면에 형성된 절연막;
상기 반도체 기판의 홈의 상부 공간에 배치되고 양 끝단이 상기 절연막의 상부 표면에 고정되는 발열부;
상기 반도체 기판의 홈의 상부 공간에 배치되고 양 끝단이 상기 절연막의 상부 표면에 고정되며, 상기 발열부로부터 일정거리 이격된 위치에 형성된 온도 감지부; 및
상기 반도체 기판, 상기 절연막, 상기 발열부 및 상기 온도 감지부를 밀폐되도록 하우징하며, 상기 발열부와 상기 온도 감지부의 상부에 공간을 제공하는 덮개부;
를 구비하고,
상기 발열부는 굴곡되어 밀집 배치되는 가열 배선을 구비하고, 전기저항체로 이루어져 상기 절연막의 상부 표면의 중심 영역에 위치하며, 상기 발열부의 양 끝단을 통해 외부로부터 전류가 공급되어, 상기 덮개부에 의해 제공된 공간의 공기를 가열하며,
상기 온도 감지부는 상기 발열부를 기준으로 하여 서로 대칭되는 위치에 각각 형성되어 주변영역의 온도를 감지하는 것을 특징으로 하는 반도체 센서
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제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 온도 감지부는, 특정 온도 구간에서 온도에 따라 저항이 선형적으로 변하는 성질을 갖는 전기전도성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 센서
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제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발열부의 양 끝단과 상기 온도 감지부의 양 끝단은 상기 절연막의 외주변의 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 센서
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제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 덮개부에 의해 제공된 공간의 온도 분포는 상기 반도체 센서의 기울기의 변화에 대응하여 변화하는 것을 특징으로 하는 반도체 센서
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제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 덮개부에 의해 제공된 공간의 온도 분포는 상기 반도체 센서의 가속도의 변화에 대응하여 변화하는 것을 특징으로 하는 반도체 센서
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제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 덮개부에 의해 제공된 공간의 온도 분포는 상기 반도체 센서의 기울기 및 가속도의 변화에 대응하여 변화하는 것을 특징으로 하는 반도체 센서
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제1항에 있어서, 상기 절연막의 하부 표면에는 외주변을 따라 반도체 기판이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 센서
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제1항에 있어서, 상기 절연막은 멤브레인(Membrane)으로 이루어지며, 상기 멤브레인은 반도체 기판의 표면에 절연막을 형성한 후 상기 반도체 기판을 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 센서
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제1항에 있어서, 상기 절연막은 Glass 또는 SOI(Silicon On Insulator)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 센서
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제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 온도 감지부는 Pt 또는 Ni 또는 Pd로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 센서
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제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 온도 감지부는 상기 발열부를 중심으로 하여 대칭되는 다수개의 위치에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 센서
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(a) 반도체 기판의 표면에 절연막을 형성하는 단계;
(b) 상기 절연막의 표면에 금속 박막을 형성하는 단계;
(c) 상기 금속 박막을 패터닝하여 발열부 및 온도 감지부를 형성하는 단계; 및
(d) 상기 반도체 기판의 후면을 식각하는 단계; 및
(e) 상기 발열부와 상기 온도 감지부의 상부에 공간을 제공하도록 상기 절연막, 상기 발열부 및 상기 온도 감지부를 패키징하는 단계;
를 구비하고,
상기 발열부는 굴곡되어 밀집 배치되는 가열 배선을 구비하고, 전기저항체로 이루어져 상기 절연막의 상부 표면의 중심 영역에 위치하며, 상기 발열부의 양 끝단을 통해 외부로부터 전류가 공급되어, 상기 (e)단계의 패키징에 의해 제공된 공간의 공기를 가열하며,
상기 온도 감지부는 상기 발열부를 기준으로 하여 서로 대칭되는 위치에 각각 형성되어 주변영역의 온도를 감지하는 것을 특징으로 하는 반도체 센서의 제조 방법
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(a) 반도체 기판의 표면에 절연막을 형성하는 단계;
(b) 상기 절연막의 표면에 금속 박막을 형성하는 단계;
(c) 상기 금속 박막을 패터닝하여 발열부 및 온도 감지부를 형성하는 단계;
(d) 상기 발열부 및 상기 온도 감지부를 마스크로 하여 상기 절연막 및 상기 반도체 기판을 식각하는 단계; 및
(e) 상기 발열부와 상기 온도 감지부의 상부에 공간을 제공하도록 상기 절연막, 상기 발열부 및 상기 온도 감지부를 패키징하는 단계;
를 구비하고,
상기 발열부는 굴곡되어 밀집 배치되는 가열 배선을 구비하고, 전기저항체로 이루어져 상기 절연막의 상부 표면의 중심 영역에 위치하며, 상기 발열부의 양 끝단을 통해 외부로부터 전류가 공급되어, 상기 (e)단계의 패키징에 의해 제공된 공간의 공기를 가열하며,
상기 온도 감지부는 상기 발열부를 기준으로 하여 서로 대칭되는 위치에 각각 형성되어 주변영역의 온도를 감지하는 것을 특징으로 하는 반도체 센서의 제조 방법
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제15항 및 제16항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 온도 감지부는, 특정 온도 구간에서 온도에 따라 저항이 선형적으로 변하는 성질을 갖는 전기전도성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 센서의 제조방법
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제15항 및 제16항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 금속 박막은 Pt 또는 Ni 또는 Pd로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 센서의 제조방법
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