| 1 |
1
실리콘 기판을 준비하는 단계(제1단계);실리콘 기판에 TSV(Through Silicon Via)를 형성하는 단계(제2단계);TSV가 형성된 실리콘 기판에 산화막 및 구리 시드층을 형성하는 단계(제3단계);실리콘 기판의 상면과 하면에 마스크층을 형성하는 단계(제4단계);TSV에 구리를 충진하여 일단이 실리콘 기판보다 돌출되고 마스크층보다 함몰된 형태의 구리 포스트를 형성하는 단계(제5단계);구리 포스트의 일단에 솔더를 증착하고, 마스크층을 제거하는 단계(제6단계); 및리플로우 공정을 통해 구리 포스트의 일단에 솔더 범프를 형성하는 단계(제7단계)를 포함하는 실리콘 인터포저의 제작방법
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 제2단계는,실리콘 기판의 표면을 연마하는 단계(제2-1단계);실리콘 기판의 상면에 일정한 패턴을 갖는 마스크층을 형성하는 단계(제2-2단계); 및실리콘 기판에 TSV가 형성되도록 에칭하는 단계(제2-3단계)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 인터포저의 제작방법
|
| 3 |
3
청구항 2에 있어서,상기 제2-1단계에서 CMP(Chemical Mechanical Polishing)를 통해 실리콘 기판의 표면을 연마하는 것을 특징으로 하는 실리콘 인터포저의 제작방법
|
| 4 |
4
청구항 2에 있어서,상기 제2-3단계에서 플라즈마에칭, 스퍼터에칭, 반응이온에칭 중 하나를 이용하여 실리콘 기판에 TSV를 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 인터포저의 제작방법
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 제3단계에서 확산로, RTP(Rapid Thermal Process) 장비 중 하나를 이용하여 실리콘 기판에 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 인터포저의 제작방법
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 제5단계에서 전해도금법을 이용하여 구리를 충진하는 것을 특징으로 하는 실리콘 인터포저의 제작방법
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 제6단계에서 전해도금법 또는 비전해도금법을 통해 구리 포스트의 일단에 솔더를 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 인터포저의 제작방법
|
| 8 |
8
청구항 1에 있어서,상기 솔더 범프가 Sn, Sn-Ag, Sn-Cu 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 인터포저의 제작방법
|
| 9 |
9
실리콘 기판을 준비하는 단계(제1단계);실리콘 기판에 TSV를 형성하는 단계(제2단계);TSV가 형성된 실리콘 기판에 산화막 및 구리 시드층을 형성하는 단계(제3단계);실리콘 기판의 상면과 하면에 마스크층을 형성하는 단계(제4단계);TSV에 구리를 충진하여 마스크층과 높이가 같거나 더 돌출된 구리 포스트를 형성하는 단계(제5단계);구리 포스트의 높이가 동일하도록 마스크층의 표면을 평탄화하는 단계(제6단계);구리 포스트의 일단이 마스크층의 표면보다 함몰되도록 에칭하는 단계(제7단계);마스크층의 표면보다 함몰된 구리 포스트의 일단에 솔더를 증착하고, 마스크층을 제거하는 단계(제8단계); 및리플로우 공정을 통해 구리 포스트의 일단에 솔더 범프를 형성하는 단계(제9단계)를 포함하는 실리콘 인터포저의 제작방법
|
| 10 |
10
청구항 9에 있어서,상기 제2단계는,실리콘 기판의 표면을 연마하는 단계(제2-1단계);실리콘 기판의 상면에 일정한 패턴을 갖는 마스크층을 형성하는 단계(제2-2단계); 및실리콘 기판에 TSV가 형성되도록 에칭하는 단계(제2-3단계)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 인터포저의 제작방법
|
| 11 |
11
청구항 10에 있어서,상기 제2-1단계에서 CMP를 통해 실리콘 기판의 표면을 연마하는 것을 특징으로 하는 실리콘 인터포저의 제작방법
|
| 12 |
12
청구항 10에 있어서,상기 제2-3단계에서 플라즈마에칭, 스퍼터에칭, 반응이온에칭 중 하나를 이용하여 실리콘 기판에 TSV를 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 인터포저의 제작방법
|
| 13 |
13
청구항 9에 있어서,상기 제3단계에서 확산로, RTP 장비 중 하나를 이용하여 실리콘 기판에 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 인터포저의 제작방법
|
| 14 |
14
청구항 9에 있어서,상기 제5단계에서 전해도금법을 이용하여 구리를 충진하는 것을 특징으로 하는 실리콘 인터포저의 제작방법
|
| 15 |
15
청구항 9에 있어서,상기 제6단계에서 CMP를 통해 마스크층의 표면을 연마하는 것을 특징으로 하는 실리콘 인터포저의 제작방법
|
| 16 |
16
청구항 9에 있어서,상기 제7단계에서 플래시 에칭을 통해 구리 포스트의 일단이 마스크층의 표면보다 함몰되도록 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 인터포저의 제작방법
|
| 17 |
17
청구항 9에 있어서,상기 제8단계에서 전해도금법 또는 비전해도금법을 통해 구리 포스트의 일단에 솔더를 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 인터포저의 제작방법
|
| 18 |
18
청구항 9에 있어서,상기 솔더 범프가 Sn, Sn-Ag, Sn-Cu 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 인터포저의 제작방법
|
| 19 |
19
삭제
|
