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제1 전압 소스;상기 제1 전압 소스의 양단에 연결되어 2개의 전류 경로를 형성하는 H-브리지 회로;상기 H-브리지 회로에 연결되는 스위치 레그; 및상기 스위치 레그에 양극 출력단이 연결되는 제2 전압 소스;를 포함하고, 상기 제1 전압 소스의 음극 출력단과 상기 제2 전압 소스의 음극 출력단이 공통 접지에 연결되는 것을 특징으로 하는 H-브리지 기반 전력 변환 장치
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제1 항에 있어서,상기 전력 변환 장치는,상기 제1 전압 소스가 AC 또는 DC 전원을 사용하고 상기 제2 전압 소스가 다른 DC 또는 AC 전원을 사용하여 전력의 방향 및 전류의 형상에 따라 인버터, 컨버터, 또는 역률 보상 회로로 동작하는 것을 특징으로 하는 H-브리지 기반 전력 변환 장치
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제1 항에 있어서,상기 H-브리지 회로는,적어도 4개의 스위치로 구성되어 서로 다른 적어도 2개의 스위치가 하나의 전류 경로를 형성하는 H-브리지 타입의 스위치; 및상기 2개의 전류 경로에 공통으로 사용되되, 각 전류 경로를 형성하는 적어도 2개의 스위치 사이에 직렬 연결되는 인덕터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 H-브리지 기반 전력 변환 장치
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제3 항에 있어서,상기 스위치 레그는,상기 인덕터의 일측과 상기 제2 전압 소스의 일측 사이에 직렬 연결되는 적어도 하나의 제1 스위치; 및상기 인덕터의 타측과 상기 제2 전압 소스의 일측 사이에 직렬 연결되는 적어도 하나의 제2 스위치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 H-브리지 기반 전력 변환 장치
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제1 항에 있어서,상기 전력 변환 장치는,상기 H-브리지 회로 내에 형성되는 다수의 스위치의 온 상태 또는 오프 상태에 따라 벅 컨버터, 부스트 컨버터, 반전 벅-부스트 컨버터, 및 비반전 벅-부스트 컨버터 중 어느 하나로 동작하는 것을 특징으로 하는 H-브리지 기반 전력 변환 장치
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제1 항에 있어서,상기 H-브리지 회로와 상기 스위치 레그에 사용되는 스위치는 양방향 스위치이고,MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor), IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), 다이오드, 및 이들의 조합 중 어느 하나로 구현되는 것을 특징으로 하는 H-브리지 기반 전력 변환 장치
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제1 전압 소스;상기 제1 전압 소스의 양단에 연결되어 2개의 전류 경로를 형성하되, 서로 다른 적어도 2개의 스위치 각각이 하나의 전류 경로를 형성하는 H-브리지 타입의 스위치;상기 H-브리지 내 2개의 전류 경로에 공통으로 사용되되 각 전류 경로를 형성하는 적어도 2개의 스위치 사이에 직렬 연결되는 인덕터;상기 인덕터의 양단에 연결되는 스위치 레그; 및상기 스위치 레그에 양극 출력단이 연결되는 제2 전압 소스;를 포함하고, 상기 제1 전압 소스의 음극 출력단과 상기 제2 전압 소스의 음극 출력단이 공통 접지에 연결되는 것을 특징으로 하는 H-브리지 기반 전력 변환 장치
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제7 항에 있어서,상기 전력 변환 장치는,상기 제1 전압 소스가 AC 또는 DC 전원을 사용하고 상기 제2 전압 소스가 다른 DC 또는 AC 전원을 사용하여 전력의 방향 및 전류의 형상에 따라 인버터, 컨버터, 또는 역률 보상 회로로 동작하는 것을 특징으로 하는 H-브리지 기반 전력 변환 장치
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제7 항에 있어서,상기 스위치 레그는,상기 인덕터의 일측과 상기 제2 전압 소스의 일측 사이에 직렬 연결되는 적어도 하나의 제1 스위치; 및상기 인덕터의 타측과 상기 제2 전압 소스의 일측 사이에 직렬 연결되는 적어도 하나의 제2 스위치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 H-브리지 기반 전력 변환 장치
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제7 항에 있어서,상기 전력 변환 장치는,상기 H-브리지 회로 내에 형성되는 다수의 스위치의 온 상태 또는 오프 상태에 따라 벅 컨버터, 부스트 컨버터, 반전 벅-부스트 컨버터, 및 비반전 벅-부스트 컨버터 중 어느 하나로 동작하는 것을 특징으로 하는 H-브리지 기반 전력 변환 장치
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제7 항에 있어서,상기 H-브리지 타입의 스위치와 상기 스위치 레그에 사용되는 스위치는 양방향 스위치이고,MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor), IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), 다이오드, 및 이들의 조합 중 어느 하나로 구현되는 것을 특징으로 하는 H-브리지 기반 전력 변환 장치
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