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광집적 회로의 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015079088
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 여러 가지의 광소자를 하나의 기판에 집적한 광집적 회로의 제작 방법에 관한 것으로, 매몰된 릿지 스트라이프(Buried Ridge Stripe; BRS) 형태의 능동소자, 딥 릿지 도파로(Deep Ridge Waveguide) 형태의 수동소자 그리고 광섬유와의 광결합 효율을 향상시키기 위한 모드크기 변환기(Mode Size Converter)가 집적된다. 수동소자와 능동소자의 구조를 기판 위에 형성한 다음 수동소자와 능동소자의 정렬을 위해 하나의 마스크를 이용하여 수동소자와 능동소자의 도파로를 정의한다. 마스크를 이용하여 모드크기 변환기의 도파로를 정의하고, 마스크를 제거하지 않은 상태에서 전류 차단층을 형성한다. 수동소자 영역의 마스크는 그대로 두고 능동소자 영역의 마스크를 제거한 후 전체 상부면을 클래드층으로 덮거나, 다른 마스크로 수동소자 영역을 가리고 클래드층을 덮는다.광집적 회로, BRS, 딥 릿지 도파로, 모드크기 변환기, 도파로
Int. CL G02B 6/12 (2006.01)
CPC G02B 6/136(2013.01) G02B 6/136(2013.01) G02B 6/136(2013.01) G02B 6/136(2013.01)
출원번호/일자 1020020071278 (2002.11.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0440257-0000 (2004.07.05)
공개번호/일자 10-2004-0042695 (2004.05.20) 문서열기
공고번호/일자 (20040715) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.11.15)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정우 대한민국 서울특별시동대문구
2 백용순 대한민국 대전광역시유성구
3 송정호 대한민국 제주도제주시
4 심은덕 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2002-0378276-54
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2004-0034019-92
4 등록결정서
Decision to grant		 2004.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0249855-14
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

a) 능동소자 영역 및 수동소자 영역의 기판 상에 모드크기 변환기의 코어층 및 버퍼층을 형성하는 단계와,

b) 상기 능동소자 영역의 상기 버퍼층 상에 제 1 가이드층, 코어층, 제 2 가이드층 및 클래드층을 형성하는 단계와,

c) 상기 수동소자 영역의 상기 버퍼층 상에 코어층 및 클래드층을 형성하는 단계와,

d) 전체 상부면에 능동소자와 수동소자 그리고 모드크기 변환기의 위쪽 도파로의 폭을 정의하기 위해 제 1 마스크 패턴을 형성하는 단계와,

e) 상기 제 1 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 능동소자 영역의 클래드층, 제 2 가이드층, 코어층, 제 1 가이드층 및 버퍼층, 그리고 상기 수동소자 영역의 클래드층, 코어층 및 버퍼층을 식각하는 단계와,

f) 상기 모드크기 변환기의 아래쪽 도파로의 폭을 정의하는 제 2 마스크 패턴을 형성한 후 노출된 부분의 상기 버퍼층, 코어층 및 기판의 일부를 제거하는 단계와,

g) 노출된 상기 기판 상에 다층 구조의 전류 차단층을 형성하는 단계와,

h) 상기 능동소자 영역의 상기 제 2 마스크 패턴을 제거하고 전체 상부면에 클래드층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광집적 회로의 제작 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 e) 단계의 식각은 반응성이온식각(RIE) 방법으로 실시되는 것을 특징으로 하는 광집적 회로의 제작 방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 e) 단계에서 상기 버퍼층의 일부 두께가 식각되는 것을 특징으로 하는 광집적 회로의 제작 방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 전류 차단층은 p-InP, n-InP 및 p-InP로 이루어진 것을 특징으로 하는 광집적 회로의 제작 방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 전류 차단층은 저항을 크게 하는 물질로 도핑된 반절연 InP 및 n-InP로 이루어진 것을 특징으로 하는 광집적 회로의 제작 방법

6 6

제 5 항에 있어서, 상기 저항을 크게 하는 물질은 Fe인 것을 특징으로 하는 광집적 회로의 제작 방법

7 7

제 1 항에 있어서, 상기 g) 단계로부터 상기 제 2 마스크 패턴을 제거하는 단계와,

상기 수동소자 영역에 다른 마스크 패턴을 형성하고 전체 상부면에 상기 클래드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광집적 회로의 제작 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.