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스위칭 빔 형성 장치

  • 기술번호 : KST2015082777
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스위칭 빔 형성 장치에 관한 것으로서, 다수의 지향성을 갖는 다수개의 안테나소자와, 다수개의 안테나소자로부터 수신된 신호를 다수개의 독립적인 빔으로 분리하여 출력시키는 스위칭 빔 형성 회로와; 빔 형성 회로를 통과한 신호 중 원하는 신호가 아닌 나머지 N-1개의 경로의 신호를 연결된 저항으로 연결시키는 다수의 스위치와; 스위칭 빔 형성회로에서 출력된 후 스위치와 저항으로 연결되지 않은 하나의 지향된 신호만을 수신하여 로컬오실레이터에서 출력된 신호와 혼합하는 다수의 주파수 변환기와, 하나의 지향된 신호만을 수신하여 복호화하는 복호부 및 기저대역부로 구성되므로, 신호의 격리도를 충분히 높일 수 있으며, 또한, 증폭기는 임피던스 정합 회로로써만 동작하면 되므로, 임피던스의 값이 최대한 유지되도록 하면서, 전력 소모를 줄일 수 있도록 하여 시스템의 효율 및 신호대잡음비가 개선되고, 신호의 격리도 특성이 향상된 효과가 있다. 스위칭, 빔, 버틀러 메트릭스, 안테나,
Int. CL H01Q 3/26 (2006.01) H01Q 3/22 (2006.01) H01Q 3/24 (2006.01)
CPC H01Q 3/24(2013.01) H01Q 3/24(2013.01) H01Q 3/24(2013.01) H01Q 3/24(2013.01)
출원번호/일자 1020070054563 (2007.06.04)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0865087-0000 (2008.10.17)
공개번호/일자 10-2008-0050948 (2008.06.10) 문서열기
공고번호/일자 (20081024) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060121361   |   2006.12.04
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.04)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변우진 대한민국 대전 유성구
2 김봉수 대한민국 대전 대덕구
3 김광선 대한민국 대전 유성구
4 송명선 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권태복 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 청원빌딩)(아리특허법률사무소)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2007-0407739-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0014309-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0211166-89
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0354680-53
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0354681-09
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0528710-63
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다수의 지향성을 갖는 다수개의 안테나소자와; 상기 다수개의 안테나소자로부터 수신된 신호를 다수개의 독립적인 빔으로 분리하여 출력시키는 스위칭 빔 형성 회로와;상기 빔을 증폭시키는 증폭기와;상기 증폭기에서 출력된 다수의 경로를 지나는 신호를 로컬오실레이터에서 출력된 신호와 혼합하는 다수의 주파수 변환기와; 상기 주파수 변환기에서 출력된 신호 중 원하는 신호가 아닌 나머지 N-1개의 경로의 신호를 스위치와 연결된 저항으로 연결시키는 다수의 스위치와; 상기 스위치와 저항으로 연결되지 않은 하나의 지향된 신호만을 상기 다수의 주파수 변환기로부터 수신하여 복호화하는 복호부 및 기저대역부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 스위칭 빔 형성 회로는 버틀러 메트릭스인 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
3 3
제1항에 있어서, 상기 주파수 변환기를 통과한 신호를 중간 주파수 신호로 변환하여 이 중 하나의 신호만을 상기 복호부 및 기저대역부로 전송하는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
4 4
제1항에 있어서, 특정 경로를 지나는 원하는 신호가 아닌 나머지 N-1개의 경로는 고정 임피던스로 지정되도록 제어하여 원하는 신호가 아닌 나머지 N-1개의 경로는 상기 스위치를 상기 저항으로 연결시키는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
5 5
제1항에 있어서, 상기 증폭기는 캐스코드로 연결된 2개의 CMOS 트랜지스터를 사용하고, 바이어스를 캐스코드 CMOS 트랜지스터의 각각의 베이스에 연결하여 구성하는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
6 6
제1항에 있어서, 상기 증폭기는 캐스코드로 연결된 2개의 트랜지스터를 사용하고, 바이어스를 캐스코드 트랜지스터의 각각의 베이스에 연결하여 구성하는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
7 7
제1항에 있어서, 상기 증폭기는 캐스코드로 연결된 2개의 CMOS 트랜지스터를 사용하고, 바이어스를 캐스코드 CMOS 트랜지스터의 각각의 드레인에 연결하여 구성하는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
8 8
제1항에 있어서, 상기 증폭기는 캐스코드로 연결된 2개의 트랜지스터를 사용하고, 바이어스를 캐스코드 트랜지스터의 각각의 에미터에 연결하여 구성하는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
9 9
제1항에 있어서, 상기 빔 형성 회로와 상기 안테나는 실리콘 기판, GaAs 기판, 유기 기판, 또는 세라믹 기판 중 어느 하나의 기판에 구현 가능하는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
10 10
제1항에 있어서, 능동 소자는 실리콘 소자 또는 GaAs 소자로 구현하는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
11 11
제1항에 있어서, 상기 주파수 변환기를 불평형 회로 구조 또는 평형 회로 구조 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
12 12
다수의 지향성을 갖는 다수개의 안테나소자와; 상기 다수개의 안테나소자로부터 수신된 신호를 다수개의 독립적인 빔으로 분리하여 출력시키는 스위칭 빔 형성 회로와;상기 빔을 증폭시키는 증폭기와;상기 증폭기를 통과한 신호 중 원하는 신호가 아닌 나머지 N-1개의 경로의 신호를 연결된 저항으로 연결시키는 다수의 스위치와; 상기 증폭기에서 출력된 후 상기 스위치와 저항으로 연결되지 않은 하나의 지향된 신호만을 수신하여 로컬오실레이터에서 출력된 신호와 혼합하는 다수의 주파수 변환기와; 하나의 지향된 신호만을 수신하여 복호화하는 복호부 및 기저대역부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
13 13
제12항에 있어서, 상기 스위칭 빔 형성 회로는 버틀러 메트릭스인 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
14 14
제12항에 있어서, 상기 주파수 변환기를 통과한 신호를 중간 주파수 신호로 변환하여 이 중 하나의 신호만을 상기 복호부 및 기저대역부로 전송하는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
15 15
제12항에 있어서, 특정 경로를 지나는 원하는 신호가 아닌 나머지 N-1개의 경로는 고정 임피던스로 지정되도록 제어하여 원하는 신호가 아닌 나머지 N-1개의 경로는 상기 스위치를 상기 저항으로 연결시키는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
16 16
제12항에 있어서, 상기 증폭기는 캐스코드로 연결된 2개의 CMOS 트랜지스터를 사용하고, 바이어스를 캐스코드 CMOS 트랜지스터의 각각의 베이스에 연결하여 구성하는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
17 17
제12항에 있어서, 상기 증폭기는 캐스코드로 연결된 2개의 트랜지스터를 사용하고, 바이어스를 캐스코드 트랜지스터의 각각의 베이스에 연결하여 구성하는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
18 18
제12항에 있어서, 상기 증폭기는 캐스코드로 연결된 2개의 CMOS 트랜지스터를 사용하고, 바이어스를 캐스코드 CMOS 트랜지스터의 각각의 드레인에 연결하여 구성하는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
19 19
제12항에 있어서, 상기 증폭기는 캐스코드로 연결된 2개의 트랜지스터를 사용하고, 바이어스를 캐스코드 트랜지스터의 각각의 에미터에 연결하여 구성하는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
20 20
제12항에 있어서, 상기 빔 형성 회로와 상기 안테나는 실리콘 기판, GaAs 기판, 유기 기판, 또는 세라믹 기판 중 어느 하나의 기판에 구현 가능하는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
21 21
제12항에 있어서, 능동 소자는 실리콘 소자 또는 GaAs 소자로 구현하는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
22 22
제12항에 있어서, 상기 주파수 변환기는 불평형 회로 구조 또는 평형 회로 구조 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 스위칭 빔 형성 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.