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멤즈 소자의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015100687
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야멤즈 소자의 형성 방법.2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제진공 밀봉이 요구되는 멤즈 소자의 형성시, 웨이퍼 위에 형성된 모든 소자를 한꺼번에 진공 밀봉하고 또한 진공 성능을 높일 수 있는 진공 밀봉 방법을 사용하여 제조된 멤즈 소자의 형성 방법을 제공하고자 함을 그 목적으로 한다. 3. 발명의 해결 방법의 요지하부 기판 상에 절연막, 상부 기판을 형성한후, 상기 상부 기판 및 절연막의 선택적 식각으로 상기 하부 기판을 다수군데 노출시키는 단계; 상기 노출된 하부 기판을 메우는 희생막 패턴을 형성하되, 적어도 상기 노출된 하부 기판중 두군데를 연결하여 이루어지는 희생막 패턴을 형성하는 단계; 상기 희생막 패턴 상부에 제1밀봉 박막을 형성하는 단계; 상기 제1밀봉 박막에 상기 희생부 패턴의 끝부분과, 상기 상부 기판을 노출시키는 다수의 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 통하여 상기 희생막 패턴을 완전히 제거하는 단계; 및 상기 콘택홀 및 제1밀봉 박막을 덮는 제2밀봉 박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Int. CL H01L 29/82 (2006.01)
CPC H01L 21/76897(2013.01) H01L 21/76897(2013.01) H01L 21/76897(2013.01) H01L 21/76897(2013.01) H01L 21/76897(2013.01)
출원번호/일자 1019970049653 (1997.09.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0236934-0000 (1999.10.05)
공개번호/일자 10-1999-0027223 (1999.04.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종현 대한민국 대전광역시 유성구
2 최창억 대한민국 대전광역시 유성구
3 이용일 대한민국 대전광역시 유성구
4 백종태 대한민국 대전광역시 유성구
5 유형준 대한민국 대전광역시 유성구
6 장원익 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1997-0157553-48
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1997-0157554-94
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1997-0157555-39
4 등록사정서
Decision to grant		 1999.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0289475-18
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

하부 기판 상에 절연막, 상부 기판을 형성한후, 상기 상부 기판 및 절연막의 선택적 식각으로 상기 하부 기판을 다수군데 노출시키는 단계;

상기 노출된 하부 기판을 메우는 희생막 패턴을 형성하되, 적어도 상기 노출된 하부 기판중 두군데를 연결하여 이루어지는 희생막 패턴을 형성하는 단계;

상기 희생막 패턴 상부에 제1밀봉 박막을 형성하는 단계;

상기 제1밀봉 박막에 상기 희생부 패턴의 끝부분과, 상기 상부 기판을 노출시키는 다수의 콘택홀을 형성하는 단계;

상기 콘택홀을 통하여 상기 희생막 패턴을 완전히 제거하는 단계; 및

상기 콘택홀 및 제1밀봉 박막을 덮는 제2밀봉 박막을 형성하는 단계

를 포함하여 이루어지는 멤즈 소자의 형성 방법

2 2

제1항에 있어서,

상기 제1 및 제2 밀봉 박막은 증발 증착 방법 또는 물리 증착 방법으로 형성되는 멤즈 소자의 형성 방법

3 3

제1항에 있어서,

상기 희생막은 SOG, BPSG, LTO, PECVD를 포함하는 산화막으로 이루어지는 멤즈 소자의 형성 방법

4 4

제1항에 있어서,

상기 제1밀봉 박막은 폴리 실리콘막 또는 질화막을 포함하여 이루어지는 멤즈 소자의 형성 방법

5 5

제1항에 있어서,

상기 제2밀봉 박막은 실리콘막, 산화막, 금속막을 포함하여 이루어지는 멤즈 소자의 형성 방법

6 6

제1항에 있어서,

상기 희생막 패턴의 완전한 제거시

상기 절연막의 일부를 포함하여 동시에 제거되는 멤즈 소자의 형성 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.