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자기 비드를 감지하기 위한 박막을 이용하여 자기장 감지소자를 제조하는 방법으로서,
기판을 준비하는 기판 준비 단계;
상기 기판의 상면에 상기 박막을 증착시키고, 상기 박막을 식각하여 링 형상의 자기저항소자를 만드는 자기저항소자 형성 단계;
상기 기판의 상면에 상기 자기저항소자와 연결되는 전극 패드를 형성하는 전극 패드 형성 단계;
상기 자기저항소자 및 상기 전극 패드를 덮는 보호층을 형성하는 보호층 형성 단계; 및
상기 보호층의 상면에서 상기 전극 패드의 일부 및 상기 자기저항소자의 전체를 둘러싸는 자기 비드 제한층을 형성하는 자기 비드 제한층 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 2에 있어서,
상기 박막을, 거대자기저항 박막, 이방성 자기저항 박막, 스핀밸브 박막, 및 터널형 자기저항 박막중에서 어느 한 박막으로 하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 3에 있어서,
상기 박막은 고정층 및 자유층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 3에 있어서,
상기 박막을, 씨드층, 반강자성체층, 고정층, 간격층, 자유층, 및 보호층의 순서대로 적층시킨 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 5에 있어서,
상기 씨드층을 Ta막으로 하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 5에 있어서,
상기 반강자성체층을 IrMn막으로 하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 5에 있어서,
상기 고정층을 Ni80Fe20막 또는 Co80Fe20막으로 하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 5에 있어서,
상기 간격층을 Cu막으로 하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 5에 있어서,
상기 자유층을 Ni80Fe20막 또는 Co80Fe20막으로 하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 5에 있어서,
상기 보호층을 Ta막으로 하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 2에 있어서,
상기 자기저항소자를, 원형 링 형상, 타원형 링 형상, 정사각형 링 형상, 및 직사각형 링 형상중 어느 한 형상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 2에 있어서,
상기 전극 패드 형성 단계는, 상기 전극 패드를 Ta 재질 또는 Au 재질로 하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 2에 있어서,
상기 전극 패드 형성 단계는, 상기 전극 패드를 상기 자기저항소자에 수평으로 연결되게 형성하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 2에 있어서,
상기 전극 패드 형성 단계는, 상기 전극 패드를 상기 자기저항소자에 수평 및 수직으로 연결되게 형성하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 2에 있어서,
상기 보호층 형성 단계는, 상기 보호층을 SiO2 또는 Si3N4 재질로 하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 2에 있어서,
상기 보호층 형성 단계는, 상기 보호층을 상온에서 50 ~ 300nm 의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 2에 있어서,
상기 자기 비드 제한층 형성 단계는, 광 감응 박막을 이용하여 상기 자기 비드 제한층을 형성하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 2에 있어서,
상기 자기 비드 제한층 형성 단계는, 상기 자기 비드 제한층을 상온에서 1 ~ 2um의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 2에 있어서,
상기 자기저항소자의 외직경을 100 nm ~ 30 um의 크기로 형성하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 2에 있어서,
상기 자기저항소자의 폭을 100 nm ~ 5 um의 크기로 형성하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 2에 있어서,
상기 자기저항소자를, 일렬로 다수개 배열된 일차원 어레이 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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청구항 2에 있어서,
상기 자기저항소자를, 행렬로 배열된 이차원 어레이 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자의 제조방법
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