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자기 비드를 감지하기 위한 박막을 이용한 자기장 감지소자로서,
기판;
상기 기판의 상면에 형성되되, 상기 박막을 이용하여 링 형상으로 형성된 자기저항소자;
상기 기판의 상면에서 상기 자기저항소자와 연결된 전극;
상기 자기저항소자 및 상기 전극의 상부에 배치된 보호층; 및
상기 보호층의 상면에서 상기 전극의 일부 및 상기 자기저항소자의 전체를 둘러싼 자기 비드 제한층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 2에 있어서,
상기 박막은, 거대자기저항 박막, 이방성 자기저항 박막, 스핀밸브 박막, 및 터널형 자기저항 박막중에서 어느 한 박막으로 구성된 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 3에 있어서,
상기 박막은 고정층 및 자유층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 3에 있어서,
상기 박막은, 씨드층, 반강자성체층, 고정층, 간격층, 자유층, 및 보호층의 순서대로 적층된 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 5에 있어서,
상기 씨드층은 Ta막으로 구성된 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 5에 있어서,
상기 반강자성체층은 IrMn막으로 구성된 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 5에 있어서,
상기 고정층은 Ni80Fe20막 또는 Co80Fe20막으로 구성된 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 5에 있어서,
상기 간격층은 Cu막으로 구성된 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 5에 있어서,
상기 자유층은 Ni80Fe20막 또는 Co80Fe20막으로 구성된 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 5에 있어서,
상기 보호층은 Ta막으로 구성된 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 2에 있어서,
상기 자기저항소자는 원형 링 형상, 타원형 링 형상, 정사각형 링 형상, 및 직사각형 링 형상중 어느 한 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 2에 있어서,
상기 전극은 Ta 재질 또는 Au 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 2에 있어서,
상기 전극은 상기 자기저항소자에 수평으로 연결되게 형성된 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 2에 있어서,
상기 전극은 상기 자기저항소자에 수평 및 수직으로 연결되게 형성된 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 2에 있어서,
상기 보호층은 SiO2 또는 Si3N4 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 2에 있어서,
상기 보호층은 상온에서 50 ~ 300nm 의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 2에 있어서,
상기 자기 비드 제한층은 광 감응 박막으로 형성된 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 2에 있어서,
상기 자기 비드 제한층은, 상온에서 1 ~ 2ｕm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 2 내지 청구항 19중의 어느 한 항에 있어서,
상기 자기저항소자는 100 nm ~ 30 ｕm의 외직경을 갖는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 2 내지 청구항 19중의 어느 한 항에 있어서,
상기 자기저항소자는 100 nm ~ 5 ｕm의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 2 내지 청구항 19중의 어느 한 항에 있어서,
상기 자기저항소자는 일렬로 다수개 배열된 일차원 어레이 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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청구항 2 내지 청구항 19중의 어느 한 항에 있어서,
상기 자기저항소자는 행렬로 배열된 이차원 어레이 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 자기장 감지소자
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