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백나노미터 이하의 고정밀 나노 미세패턴 및 자성 금속 점정렬 형성방법

  • 기술번호 : KST2015112078
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 패턴화를 요하는 금속박막 위에 규칙적인 다공성 고분자 패턴을 형성하는 단계; 마스크용 금속을 상기 형성된 홀에 선택적으로 증착하는 단계; 선택적으로 고분자층을 제거하는 단계; 및 상기 패턴화를 요하는 금속박막을 식각하는 단계를 포함하는 금속점 정렬의 형성방법을 제공한다. 상기 구성에 의하면, 종래 광식각 공정으로는 구현하기 힘든 백나노미터 이하의 미세패턴화가 가능하고, 간단한 공정에 의해 다양한 크기와 모양의 금속패턴을 형성할 수 있다. 또한 미리 원하는 성질의 자성 금속을 증착하므로 자성금속의 선택이 자유롭고, 사용되는 마스크 금속의 성질에 따라 종횡비가 큰 금속패턴을 형성하는 것이 가능하다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/28 (2011.01)
CPC H01L 21/32139(2013.01) H01L 21/32139(2013.01) H01L 21/32139(2013.01) H01L 21/32139(2013.01) H01L 21/32139(2013.01)
출원번호/일자 1020030025194 (2003.04.21)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0527409-0000 (2005.11.02)
공개번호/일자 10-2004-0091377 (2004.10.28) 문서열기
공고번호/일자 (20051109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.04.21)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양승만 대한민국 대전광역시유성구
2 정희태 대한민국 대전광역시유성구
3 최대근 대한민국 대전광역시유성구
4 권기영 대한민국 대전광역시유성구
5 신성철 대한민국 대전광역시유성구
6 정종률 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2003-0140540-89
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0009017-59
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0175415-15
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.04.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0224361-29
8 의견서
Written Opinion
2005.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0224362-75
9 등록결정서
Decision to grant
2005.08.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0379500-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
패턴화를 요하는 금속박막 위에 규칙적인 다공성 고분자 패턴을 형성하는 단계; 마스크용 금속을 상기 형성된 홀에 선택적으로 증착하는 단계; 선택적으로 고분자층을 제거하는 단계; 및 상기 패턴화를 요하는 금속박막을 식각하는 단계를 포함하는 금속점 정렬의 형성방법
2 2
제 1항에 있어서, 다공성 고분자 패턴의 형성은, 블록공중합체를 패턴화를 요하는 금속 위에 자기조립시키는 단계; 서로 다른 블록들간의 식각에 대한 선택성을 이용해 어느 하나의 블록을 제거하는 단계를 포함하는 금속점 정렬의 형성방법
3 3
제 1항에 있어서, 금속박막은 강자성 물질인 금속점 정렬의 형성방법
4 4
제 3항에 있어서, 강자성 물질은 Co 또는 이를 포함한 합금, FePt, FeO3, FePd, SmCo5, MnAl, FeNdB의 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 금속점 정렬의 형성방법
5 5
제 2항에 있어서,블록공중합체는 구형인 금속점 정렬의 형성방법
6 6
제 5항에 있어서, 블록공중합체는 구조내에 적어도 어느 하나의 블록이 아크릴레이트류 또는 주쇄에 이중결합을 가지는 고분자에서 선택되어지는 금속점 정렬의 형성방법
7 7
제 6항에 있어서, 블록공중합체는 폴리스티렌-폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리스티렌-폴리부타디엔, 폴리스티렌-폴리이소프렌, 폴리에틸렌옥사이드-폴리메타메틸아크릴레이트, 폴리스티렌-포리소디움메타아크릴레이트, 폴리스티렌-폴리부틸메타아크릴레이트, 폴리바이닐피리딘-폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리스티렌-폴리아크릴에시드, 폴리스티렌-폴리아크릴에시드에서 적어도 하나 이상 선택되는 금속점 정렬의 형성방법
8 8
제 5항에 있어서, 블록공중합체는 어느 하나의 블록이 금속 또는 세라믹을 포함한 무기물 고분자이며, 다른 하나의 고분자는 유기고분자인 금속점 정렬의 형성방법
9 9
제 1항에 있어서, 마스크용 금속은 Co 또는 이를 포함한 합금, FePt, FeO3, FePd, SmCo5, MnAl, FeNdB, CrTi, CrMn, CrMo, Ti, Pd, Au, Ni, Cr의 군에서 선택되는 적어도 1종인 금속점 정렬의 형성방법
10 10
제 1항에 있어서, 고분자 층은 마스크용 금속이 증착된 패턴에서 이온밀링을 수행한 후, 플라즈마를 처리하여 식각을 수행하여 제거시키는 금속점 정렬의 형성방법
11 11
제 1항에 있어서, 패턴화를 요하는 금속박막의 표면을 플라즈마 처리하는 단계가 더 구비되어지는 금속점 정렬의 형성방법
12 11
제 1항에 있어서, 패턴화를 요하는 금속박막의 표면을 플라즈마 처리하는 단계가 더 구비되어지는 금속점 정렬의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.