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입력단(Vin)에서 출력단(Vout)으로 순방향 전류만 흐를 수 있는 다이오드 모듈로서,
소스와 드레인이 각각 상기 입력단(Vin)과 상기 출력단(Vout)에 접속되는 제1 PMOS 트랜지스터(MP1);
소스가 상기 출력단(Vout)에 접속되고 게이트와 드레인이 서로 접속된 제2 PMOS 트랜지스터(MP2);
상기 제1 PMOS 트랜지스터(MP1)의 게이트를 상기 출력단(Vout)과 상기 제2 PMOS 트랜지스터(MP2)의 드레인 중 어느 하나로 접속시키는 스위치부(410); 및
일단이 상기 제2 PMOS 트랜지스터(MP2)의 게이트에 접속되고 타단에 바이어스 전압이 인가되는 바이어스 저항을 포함하는, PMOS 다이오드 모듈
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입력단(Vin)에서 출력단(Vout)으로 순방향 전류만 흐를 수 있는 NMOS 다이오드 모듈로서,
드레인과 소스가 각각 상기 입력단(Vin)과 상기 출력단(Vout)에 접속되는 제1 NMOS 트랜지스터(MN1);
드레인이 상기 제1 NMOS 트랜지스터(MN1)의 게이트에 접속되고 게이트와 드레인이 서로 접속된 제2 NNOS 트랜지스터(MN2);
상기 입력단(Vin)을 상기 제1 NMOS 트랜지스터(MN1)의 게이트와 상기 제2 NMOS 트랜지스터(NM2)의 드레인 중 어느 하나로 접속시키는 스위치부(510); 및
일단이 상기 제2 NMOS 트랜지스터(MN2)의 게이트에 접속되고 타단에 바이어스 전압이 인가되는 바이어스 저항을 포함하는, NMOS 다이오드 모듈
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3
제1 입력단자(Vin+) 및 제2 입력단자(Vin-)를 통해 차동신호를 입력받아 정류하여 출력단자(VP)로 출력하는 정류회로에 있어서,
각각 입력단, 출력단, 제어입력단자를 포함하는 제1 내지 제4 다이오드 모듈을 포함하고,
상기 제2 다이오드 모듈의 출력단이 상기 제1 다이오드 모듈의 입력단에 접속되고,
상기 제4 다이오드 모듈의 출력단이 상기 제3 다이오드 모듈의 입력단에 접속되고,
상기 제1 다이오드 모듈의 입력단이 상기 제1 입력단자(Vin+)에 접속되고,
상기 제3 다이오드 모듈의 입력단이 상기 제2 입력단자(Vin-)에 접속되고,
상기 제1 다이오드 모듈의 출력단과 상기 제3 다이오드 모듈의 출력단이 상기 정류회로의 출력단자(VP)에 접속되고,
상기 제2 다이오드 모듈의 입력단과 상기 제4 다이오드 모듈의 입력단이 서로 접속되어 기저전압 단자를 구성하고,
상기 제2 및 제4 다이오드 모듈은 제1항에 따른 PMOS 다이오드 모듈 또는 제2항에 따른 NMOS 다이오드 모듈로 구성되고,
상기 제1 및 제3 다이오드 모듈은 제1항에 따른 PMOS 다이오드 모듈 또는 제2항에 따른 NMOS 다이오드 모듈로 구성되는, 정류회로
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4
제3항에 있어서,
상기 출력단자(VP)의 전압이 미리 정해진 값 이상인 경우 상기 제1 내지 제4 다이오드 모듈 내부의 상기 스위치부들의 스위칭 상태를 전환하는 스위치 제어부를 더 포함하는, 정류회로
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5
복수개의 상기 제3항에 따른 정류회로가 서로 캐스코드 접속되고,
상기 복수개의 정류회로 중 최하단의 정류회로의 기저전압 단자(VN)는 접지되고,
상기 복수개의 정류회로 중 최상단의 정류회로의 출력단자(VP)에 부하 캐패시터가 접속되고,
상기 복수개의 정류회로 각각의 기저전압 단자와 출력단자 사이에는 저장 캐패시터가 접속된, 정류회로
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제5항에 있어서,
상기 최상단의 정류회로의 출력단자(VP)의 전압이 미리 정해진 값 이상인 경우 상기 복수개의 정류회로 내부의 다이오드 모듈들 내부의 상기 스위치부들의 스위칭 상태를 전환하는 스위치 제어부를 더 포함하는, 정류회로
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