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특정방향으로 스핀분극된 전자를 선택적으로 통과시키는 자성물질로 형성된 채널;
자성물질로 형성된 소스;
드레인; 및
상기 소스로부터 상기 채널로 주입되는 전자를 선택적으로 통과시키기 위하여 채널의 자화상태를 제어하는 게이트 전극;을 구비하며,
상기 소스, 채널 및 드레인은 기판에 대해서 수직으로 순차적으로 형성되며, 상기 게이트 전극은 상기 채널을 감싸도록 형성된 스핀 트랜지스터
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2
제 1 항에 있어서
상기 게이트 전극에 인가된 전압에 의해 발생하는 전기장으로 상기 채널을 제어하여 상기 소스로부터 주입되는 스핀분극된 전자의 통과를 제어하는 스핀 트랜지스터
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3
제 1 항에 있어서
상기 소스 및 상기 기판 사이에 형성된 소스 전극패드; 및
상기 드레인 상에 형성된 드레인 전극 패드를 더 구비하는 스핀 트랜지스터
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4
제 1 항에 있어서
상기 채널과 상기 소스 사이의 제1터널배리어; 및
상기 채널과 상기 드레인 사이의 제2터널배리어;를 더 구비한 스핀 트랜지스터
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5
제 4 항에 있어서
상기 소스는, 상기 제1터널배리어 상의 강자성층; 및
상기 강자성층 상의 메탈층;을 더 구비한 스핀 트랜지스터
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6
제 5 항에 있어서
상기 소스는, 상기 강자성층 및 상기 메탈층 사이에 형성된 반강자성층;을 더 구비한 스핀 트랜지스터
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7
제 4 항에 있어서
상기 드레인은, 상기 제2터널배리어 상의 자성층; 및 상기 자성층 상의 메탈층;을 구비한 스핀 트랜지스터
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8
제 7 항에 있어서
상기 드레인의 상기 자성층은 강자성층인 스핀 트랜지스터
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제 8 항에 있어서
상기 드레인은, 상기 강자성층 및 상기 메탈층 사이에 반강자성층을 더 구비한 스핀 트랜지스터
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10
제 4 항에 있어서,
상기 터널배리어는 산화마그네슘 또는 알루미늄 산화물으로 형성된 스핀 트랜지스터
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11
제 1 항에 있어서
상기 채널은 강자성물질인 스핀 트랜지스터
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12
제 11 항에 있어서
상기 강자성물질은 하프메탈 또는 하프메탈 성질을 가진 CrAs, MnAs, CrSe 인 스핀 트랜지스터
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13
제 12 항에 있어서,
상기 채널은 CoFe, CoFeB, Fe, Co, Mn, 퍼몰로이 중 어느 하나의 물질로 형성된 스핀 트랜지스터
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14
제 11 항에 있어서
상기 채널은 반도체에 전이금속을 도핑해서 자성을 나타내게 만든 희석된 자성 반도체 물질로 형성된 스핀 트랜지스터
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15
제 11 항에 있어서
상기 채널은 일반 반도체로 형성된 스핀 트랜지스터
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16
제 11 항에 있어서
상기 채널은 부도체로 형성된 스핀 트랜지스터
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