| 1 |
1
제1 기판;상기 제1 기판 상에 형성된 제2 기판; 및상기 제2 기판 상에 형성된 육방정계 질화붕소 시트;를 포함하며,상기 제2 기판이 하기 화학식 1의 조성을 갖는 물질인 것이고, 상기 제2 기판이 암염 구조체, 우르짜이트 구조체, 또는 코런덤 구조체인 것인 기판상의 질화붕소 시트:003c#화학식 1003e#XaYb상기 X는 1족 원소, 2족 원소, 전이금속, 란탄족 원소, 악티늄족 원소, 13족 원소 및 14족 원소 중 하나 이상을 나타내며,상기 Y는 14족 원소, 15족 원소, 16족 원소 및 17족 원소 중 하나 이상을 나타내고,상기 a는 1 또는 2의 수를 나타내며,상기 b는 0 내지 3의 정수를 나타낸다
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 X가 Li, Na, K, Rb, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, Zr, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ag, Zn, Cd, Hg, B, Al, Ga, In, C, Si, Pb, La, Ce, Pr, Gd, Tb, Dy, Yb, U, 및 Pu 중 하나 이상인 것인 기판상의 질화붕소 시트
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 Y가 C, N, P, As, Bi, O, S, Se, Te, F, Cl, Br 및 I 중 하나 이상인 것인 기판상의 질화붕소 시트
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 제1 기판이 금속 산화물계, 실리카계, 붕화질소계 기판 및 실리콘계 기판 중 하나 이상인 것인 기판상의 질화붕소 시트
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 제2 기판이 NaCl, AgCl, BaS, CaO, CeSe, DyAs, GdN, KBr, LaP, LiCl, LiF, MgO, NaBr, NaF, NiO, PrBi, PuC, RbF, ScN, SrO, TbTe, UC, YN, YbO, ZrO, CoO, MnO, PbO, Zinc blende, AgI, AlAs, AlP, AlSb, BAs, BP, BeS, BeSe, BeTe, CdS, CuBr, CuCl, CuF, CuI, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, MnS, MnSe, ZnTe, SiC, ZnO, ZnS, ZnSe, BN, AlN, GaN, CdS, CdSe, C(hexagonal diamond), α-SiC, Al2O3, Fe2O3, Cr2O3 중 하나 이상인 것인 기판상의 질화붕소 시트
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 육방정계 질화붕소 시트가 90% 이상의 순도로 육방정계 질화붕소를 포함하는 것인 기판상의 질화붕소 시트
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 육방정계 질화붕소 시트의 폭 또는 너비가 1mm 이상의 크기인 것인 기판 상의 질화붕소 시트
|
| 9 |
9
제1 기판 상에 제2 기판을 형성하여 복합 기판을 준비하는 단계;반응기 내의 상기 복합 기판에 열을 공급하면서 제1 열처리하는 단계;상기 제1 열처리 공정 중 상기 반응기에 질소 공급원 및 붕소 공급원을 도입하여 활성화 질소 및 활성화 붕소를 형성시키는 단계; 및상기 복합 기판 상에서 상기 활성화 질소 및 활성화 붕소가 서로 결합하여 형성된 육방정계 질화붕소 시트를 얻는 단계;를 포함하며,상기 제2 기판이 하기 화학식 1의 조성을 갖는 물질인 것이고, 상기 제2 기판이 암염 구조체, 우르짜이트 구조체, 또는 코런덤 구조체인 것인 기판상 질화붕소시트의 제조방법:003c#화학식 1003e#XaYb상기 X는 1족 원소, 2족 원소, 전이금속, 란탄족 원소, 악티늄족 원소, 13족 원소 및 14족 원소 중 하나 이상을 나타내며,상기 Y는 14족 원소, 15족 원소, 16족 원소 및 17족 원소 중 하나 이상을 나타내고,상기 a는 1 또는 2의 수를 나타내며,상기 b는 0 내지 3의 정수를 나타낸다
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 제2 기판이 NaCl, AgCl, BaS, CaO, CeSe, DyAs, GdN, KBr, LaP, LiCl, LiF, MgO, NaBr, NaF, NiO, PrBi, PuC, RbF, ScN, SrO, TbTe, UC, YN, YbO, ZrO, CoO, MnO, PbO, Zinc blende, AgI, AlAs, AlP, AlSb, BAs, BP, BeS, BeSe, BeTe, CdS, CuBr, CuCl, CuF, CuI, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, MnS, MnSe, ZnTe, SiC, ZnO, ZnS, ZnSe, BN, AlN, GaN, CdS, CdSe, C(hexagonal diamond), α-SiC, Al2O3, Fe2O3, Cr2O3 중 하나 이상인 것인 기판상 질화붕소 시트의 제조방법
|
| 11 |
11
제9항에 있어서,상기 활성화 질소 및 활성화 붕소가 상기 복합 기판의 표면에서 라미나 플로우를 형성하는 것인 기판상 질화붕소 시트의 제조방법
|
| 12 |
12
제9항에 있어서,상기 제1 열처리 공정이 환원 분위기하에 수행되는 것인 기판상 질화붕소 시트의 제조방법
|
| 13 |
13
제9항에 있어서,상기 질소 공급원이 NH3 및 N2에서 선택된 하나 이상인 것인 기판상 질화붕소 시트의 제조방법
|
| 14 |
14
제9항에 있어서,상기 붕소 공급원이 BH3, BF3, BCl3, B2H6, (CH3CH2)3B 및 (CH3)3B에서 선택된 하나 이상인 것인 기판상 질화붕소 시트의 제조방법
|
| 15 |
15
제9항에 있어서,상기 질소와 붕소의 공급원이 H3NBH3, (BH)3(NH)3 등에서 선택된 하나 이상인 것인 기판상 질화붕소 시트의 제조방법
|
| 16 |
16
제9항에 있어서,상기 제1 열처리가 300 내지 2,000℃의 온도 범위에서 0
|
| 17 |
17
제9항에 있어서,상기 육방정계 질화붕소 시트를 제2 열처리하여 상기 육방정계 질화붕소 시트의 결정성을 증가시키는 단계;를 더 포함하는 것인 기판상 질화붕소 시트의 제조방법
|
| 18 |
18
제17항에 있어서,상기 제2 열처리 공정이 불활성 대기하에 수행되는 것인 기판상 질화붕소 시트의 제조방법
|
| 19 |
19
제17항에 있어서,상기 제2 열처리 공정이 수소 가스를 더 포함하는 것인 기판상 질화붕소 시트의 제조방법
|
| 20 |
20
제1항 내지 제4항 및 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 기판상의 육방정계 질화붕소 시트를 구비한 전기소자
|
