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스퍼터링을 이용한 광소자의 박막형 투명 상부전극 형성방법

  • 기술번호 : KST2015144291
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 스퍼터링을 이용한 광소자의 박막형 투명 상부전극 형성방법은 나노와이어가 이미 형성된 기판이 반응챔버 내부 일측에 배치되고, 스퍼터링 타겟이 반응챔버 내부의 대향되는 일측에 배치되는 S1 단계; 및 반응챔버 내부에서는 기준압력, 기준온도 및 기준시간 하에서 RF 마그네트론 스퍼터링이 수행되는 S2 단계를 포함하며, S1 단계의 기판은 상부전극이 형성될 위치인 나노와이어의 단부와 스퍼터링 타겟이 대향되도록 배치되는 것을 특징으로 한다.본 발명은 나노와이어 사이의 공극에 절연물질이 채워지지 않아도 되는 효과가 있고, 이래 인해 높은 투과도를 유지할 수 있는 효과가 있고, 스퍼터링방법을 이용하여, 나노와이어 단부에 상부전극을 직접 증착시키므로, 공정이 매우 간소화되는 효과가 있고, 옴접촉을 하는 모든 반도체 물질의 나노구조체(나노와이어)에 적용이 가능한 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/203 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01)
CPC H01L 21/02573(2013.01) H01L 21/02573(2013.01) H01L 21/02573(2013.01) H01L 21/02573(2013.01) H01L 21/02573(2013.01)
출원번호/일자 1020120024853 (2012.03.12)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0103877 (2013.09.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.12)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조형균 대한민국 경기 수원시 장안구
2 정병오 대한민국 경기 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인철 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 에이치앤에이치 H&H 국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0196148-40
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.10.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0085549-28
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0028752-02
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0038509-03
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0418455-85
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0738531-27
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0738530-82
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0851410-21
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0107937-19
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노와이어가 이미 형성된 기판이 반응챔버 내부 일측에 배치되고, 스퍼터링 타겟이 반응챔버 내부의 대향되는 일측에 배치되는 S1 단계; 및 반응챔버 내부에서는 기준압력, 기준온도 및 기준시간 하에서 RF 마그네트론 스퍼터링이 수행되는 S2 단계를 포함하며,S1 단계의 기판은 상부전극이 형성될 위치인 나노와이어의 단부와 스퍼터링 타겟이 대향되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링을 이용한 광소자의 박막형 투명 상부전극 형성방법
2 2
제1항에 있어서,S1 단계에 사용되는 기판에 이미 형성된 나노와이어는 적어도 500nm 의 길이인 것을 특징으로 하는 스퍼터링을 이용한 광소자의 박막형 투명 상부전극 형성방법
3 3
제1항에 있어서,S1 단계에 사용되는 기판은 사파이어(Sapphire), 규소(Si) 또는 유리(Glass) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스퍼터링을 이용한 광소자의 박막형 투명 상부전극 형성방법
4 4
제1항에 있어서,S1 단계에 배치되는 기판상에 성장된 나노와이어가 산화아연계이면, 스퍼터링 타겟은 ITO 세라믹 타겟인 것을 특징으로 하는 스퍼터링을 이용한 광소자의 박막형 투명 상부전극 형성방법
5 5
제1항에 있어서,S2 단계의 공정압력은 1 ~ 10 mTorr 인 것을 특징으로 하는스퍼터링을 이용한 광소자의 박막형 투명 상부전극 형성방법
6 6
제5항에 있어서,S2 단계의 공정압력은 3 ~ 7 mTorr 인 것을 특징으로 하는스퍼터링을 이용한 광소자의 박막형 투명 상부전극 형성방법
7 7
제1항에 있어서,S2 단계의 공정압력은 5 mTorr 인 것을 특징으로 하는스퍼터링을 이용한 광소자의 박막형 투명 상부전극 형성방법
8 8
제1항에 있어서,S2 단계의 공정온도는 200℃ ~ 300℃인 것을 특징으로 하는스퍼터링을 이용한 광소자의 박막형 투명 상부전극 형성방법
9 9
제1항에 있어서,S2 단계의 공정시간은 적어도 40분인 것을 특징으로 하는스퍼터링을 이용한 광소자의 박막형 투명 상부전극 형성방법
10 10
제1항에 있어서,S2 단계에서 주입되는 아르곤(Ar)과 산소(O2)의 유량비율은 29 : 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 성균관대학교 산학협력단 일반연구자지원 나노구조를 이용한 color tunable 수발광소자 구현
2 교육과학기술부 성균관대학교 핵심연구지원사업 친환경 열전소자 응용을 위한 다성분계 신산화물 열전소재 개발 연구